![]() |
Звоните! (926)274-88-54 Бесплатная доставка. Бесплатная сборка. |
Ассортимент тканей График работы: Ежедневно. С 8-00 до 20-00. Почта: soft_hous@mail.ru |
![]() ![]() ![]() |
Читальный зал --> Программные средства foundation Поскольку переход база-эмиттер является не идеальным, а реальным диодом, прежде чем сможет протечь какой-либо ток базы, напряжение должно достичь, по крайней мере, величины +0.6 В (падение напряжения на открытом диоде). Как только это произойдет, согласно закону Ома получим: (Kin-0.6) * ~ R1 (Обычно пренебрегают малым сопротивлением Лоткрытого перехода база-эмиттер по сравнению с сопротивлением базового резистора RL) Когда течет ток базы тогда может течь пропорциональный ему ток коллектора, равный Коэффициент пропорциональности р называется коэффициентом усиления (gain) тока транзистора; в типичном случае величина j3 имеет значение порядка 100. Хотя ток базы определяет ток коллектора / ., он, помимо этого, косвенно влияет на напряжение V между коллектором и эмиттером, так как V равно напряжению питания V минус падение напряжения на резисторе R2: Усе = Усе-/c-R2 = Vcc-P-ib-R2==Vcc-P-(Vm - О-б) R2/RI. Однако в идеальном транзисторе напряжение V никогда не может быть меньше нуля (транзистор, конечно, не может быть источником отрицательного потенциала), а в реальном транзисторе V никогда не может быть меньше напряжения CE(sat) являющегося параметром транзистора; величина Vq обычно бывает порядка 0.2 В. Если значения V, p,RI hR2 таковы, что напряжение V, вычисленное согласно приведенному выше выражению, меньше чем Ущу то транзистор не может находиться в активной области, и указанное соотношение не применимо В этом случае транзистор переходит в область насыщения (saturation region) или, как говорят, оказывается насыщенным (saturated) и полностью открыт (ON). Независимо от того, насколько велик ток / втекающий в базу, напряжение V не может стать меньше Ущу поэтому ток коллектора определяется, главным образом, сопротивлением резистора нагрузки R2: 1с = (Усе - CE(saO)/( + ЛсЕ(5а1)). где ?cE(sat) ~ сопротивление транзистора в режиме насыщения (saturation resistance). Как правило, сопротивление R(, не более 50 Ом и пренебрежимо мало по сравнению с R2. Специалистг.м в области информатики может понравиться представление об -/ь-и-транзисторе как об устройстве, которое непрерывно наблюдает за тем, что происходит вокруг, выполняя приведенную в табл. 3.10 программу, моделирующую поведение транзистора (transistor simulation). Табл. 3.10. Программа на языке С, моделирующая поведение п-р-п-транзис-тора в схеме с общим эмиттером /* Transistor parameters */ #define DIODEDEOP 0.6 /* volts */ #define BETA 10; #define VCE.SAT 0.2 /* volts */ #define ECE.SAT 50 /* ohms */ mainC) { float Vcc, Via, Rl, R2; /* circuit parameters */ float lb, Ic, Vce; /* circuit conditions */ if (Vis < DIODEDRDP) i /* cut off */ lb = 0.0; Ic = 0.0; Vce = Vcc; else -C /* active or saturated */ lb = (Via - DIODEDROP) / Rl; if ((Vcc - ((BETA * lb) * R2)) >= VCE.SAT) { /* active */ Ic = BETA * lb; Vce = Vcc - (Ic * R2); > else -C /* saturated */ Vce = VCE SAT; Ic = (Vcc - Vce) / (R2 + RCE.SAT); > > 3.9.4. Транзисторный инвертор На рис. 3.69 показано, что на и-/>-л-транзисторе, включенном по схеме с общим эмиттером, можно построить инвертор логических сигналов. Когда входное напряжение имеет низкий уровень, напряжение на выходе имеет высокий уровень и наоборот. В цифровых схемах воздействие, оказываемое на биполярные транзисторы, часто приводит к тому, что они всегда либо закрыты, либо находятся в насыщении. То есть цифровые схемы типа инвертора, изображенного на рис. 3.69, разработаны так, чтобы транзисторы в них всегда находились (ну, почти всегда) в одном из состояний, изображенных нарис. 3.70. Если входное напряжение соответствует низкому уровню, то оно настолько мало, что ток равен нулю и транзистор закрыт; цепь между эмиттером и коллектором разомкнута. Если напряжение V соответствует высокому уровню, то оно настолько велико (а сопротивление RI достаточно мало и коэффициент j3 достаточно велик), что транзистор попадет в состояние насыщения при любом разумном значении сопротивления R2; цепь между коллектором и эмиттером выглядит почти как короткое замыкание. Наличие входных напряжений, попадающих в область неопределенности между низ- КИМ и высоким уровнями, не допустимо, за исключением переходных процессов. Эта область неопределенности соответствует запасу помехоустойчивости, о котором шла речь в связи с табл. 3.9. V,fi п-VW ![]() ![]() -i-- LOW не опрв- HIGH делен Pwc. 3.69. Транзисторный инвертор: (а) условное обозначение (IN - вход, OUT -ныход); (Ь) принципиальная схема; (с) передаточная характеристика (LOW- низший уровень, HIGH - высокий уровень) Vbe<C.6B ;,. = о /, = 0 + /, > о \/щ, = 0.6В [;,>о - >ce(ai) =0.2В ?ис. 3.70. Обычные состояния п-р-п-транзистора в цифровой схеме: (а) условное обозначение транзистора и протекаюш,ие в нем токи; (Ь) эквивалентная схема транзистора в состоянии отсечки (OFF); (с) эквивалентная схематранзис--ора в состоянии насыщения (ON) Другой способ, позволяющий наглядно представить работу транзисторного инвертора, показан на рис. 3.71. Если напряжение V соответствует высокому уровню, то транзисторный ключ замкнут, выход инвертора соединен с землей и выходное напряжение безусловно соответствует низкому уровню. Если входное напряжение V- соответствует низкому уровню, то транзисторный ключ разомкнут и выход инвертора через резистор подключен к шине питания +5 В; выходное напряжение соответствует высокому уровню, если выход не слишком сильно нагружен (то есть в том случае, когда он не соединен с землей резистором с малым сопротивлением, что было бы неправильно). 3.9.5. Транзисторы Шоттки Когда напряжение на входе насыщенного транзистора изменяется, выходное напряжение не начинает изменяться немедленно; для выхода из насыщения требует- ООО «Мягкий Дом» - это Отечественный производитель мебели. Наша профильная продукция - это диваны еврокнижка. Каждый диван можем изготовить в соответствии с Вашими пожеланияи (размер, ткань и материал). Осуществляем бесплатную доставку и сборку. Звоните! Ежедневно! (926)274-88-54 Продажа и изготовление мебели. Копирование контента сайта запрещено. Авторские права защищаются адвокатской коллегией г. Москвы. |