(926)274-88-54
Бесплатная доставка.
Бесплатная сборка.
График работы:
Ежедневно. С 8-00 до 20-00.
Почта: soft_hous@mail.ru
|
|
Звоните! (926)274-88-54 Бесплатная доставка. Бесплатная сборка. |
Ассортимент тканей График работы: Ежедневно. С 8-00 до 20-00. Почта: soft_hous@mail.ru |
  
|
Читальный зал --> Конденсаторы постоянной емкости при rt-канале). Это напряжение называют пороговым Шзи.пор)-Так как появление и рост проводимости индуцированного канала связаны с обогащением его основными носителями заряда, то считают, что канал работает в режиме обогащения. В МДП-транзисторах со встроенным каналом проводящий канал, изготовленный технологическим путем,-образуется при напряжении на затворе, равном нулю. Током стока можно управлять, изменяя значение и полярность напряжения между затвором и истоком. При некотором положительном напряжении затвор - исток транзистора с р-каналом или отрицательном напряжении транзистора с л-кана-лом ток в цепи стока прекращается. Это напряжение называют напряжением отсечки (зи.отс)- МДП-транзистор со встроенным каналом может работать как в режиме обогащения, так и в режиме обеднения канала основными носителями заряда.  Рис. IV.48. Схема включения полевого транзистора: а - с ОИ; б - с ОС; в - с 03. Рис. IV.49. Эквивалентная схема полевого транзистора. ЗотВор Истон Сток Исшок -0 Полевой транзистор в качестве элемента схемы представляет собой активный несимметричный четырехполюсник, у которого один из зажимов является общим для цепей входа и выхода. В зависимости от того, какой из электродов полевого транзистора подключен к общему выводу, различают схемы: с общим истоком и входом на затвор; с общи стоком и входом на затвор; с общим затвором и входом на исток. Схемы включения полевого транзистора показаны на рис. IV.48. По аналогии с ламповой электроникой, где за типовую принята схема с общим катодом, для полевых транзисторов типовой является Ьхема с общим истоком. Параметры полевых транзисторов удобно определять в системе проводимостей, или /-параметров четырехполюснику (см. п. 3 данной главы). Эквивалентная схема полевого транзистора, элементы которой выражены через /-параметры, приведена на рис. IV.49. При таком подключении каждая из проводимостей имеет физический смысл. Входная проводимость определяется проводимостью участка затвор - исток 3j = г/jj + У12; выходная проводимость - проводимостью участка сток - исток уц = г/22 + 21! функция передачи - крутизной вольт-амперной характеристики 5 = г/21 - Уп функция обратной передачи - прохрдной проводимостью Узс~ Ую,- Эти параметры принимаются за первичные параметры полевого транзистора, используемого в качестве четырехполюсника. Если Первичные параметры четырехполюсника для схемы с общим истоком определены, то можно рассчитать параметры для любой другой схемы включения полевого транзистора. Обозначение типа полевых транзисторов состоит из нескольких элементов. Первый элемент обозначает исходный материал, из которого изготовлен прибор: германий или его соединения - Г; кремний или его соединения - К; соединения галлия - А. Второй элемент подкласс полупроводникового прибора (буква П). Третий элемент- назначение прибора (см. табл. IV.20). Четвертый элемент - порядковый номер разработки и технологического типа прибора (от 01 до 99). Пятый элемент - деление технологического типа на параметрические группы (буквы русского алфавита от А. до Я)- Наборы дискретных полупроводниковых приборов обозначаются в соответствии с их разновидностью и перед последним элементом добавляется буква С. Например, полевой транзистор, предназначенный для устройств широкого применения, кремниевый, малой мощности, высокочастотный, номер разработки 13, группа А - КП313А. Обозначение параметров полевых транзисторов установлено ГОСТ 19095-73. Начальный ток стока /с.нач - стока при напряжении между затвором и истоком, равном нулю, и напряжении на стоке, равном или превышающем напряжение насыщения. Остаточный ток стока Iq.oct ~~ стока при напряжении между затвором и истоком, превышающем напряжение отсечки. Ток утечкп затвора /3 - ток затвора при заданном напряжении между затвором и оста..!Ьными выводами, замкнутыми между собой. Обратный ток перехода затвор - сток IQQ - ток, протекающий в цепи затвор - сток при заданном обратном напряжении между затвором и стоком и разомкнутыми остальными выводами. Обратный ток перехода затвор - исток ЗИО - ток, протекающий в цепи затвор - исток при заданном обратном напряжении между затвором и истоком и разомкнутыми остальными выводами. Напряжение отсечки полевого транзистора Uy. - напряжение между затвором и истоком транзистора с р - -переходом или изолированным затвором, работающего в режиме обеднения, при котором ток стока достигает заданного низкого значения. Пороговое напряжение полевого транзистора Uy - напряжение между затвором и истоком транзистора с изолированным затвором, работающего в режиме обогащения, при котором ток стока достигает заданного низкого значения. Крутизна характеристик полевого транзистора S - отношение изменения тока стока к изменению напряжения на затворе при корот ком замыкании по переменному току на выходе транзистора в- схеме с общим истоком. Входная емкость полевого транзистора Сц - емкость между затвором и истоком при коротком замыкании по переменному току на выходе в схеме с общим истоком. Выходная емкость полевого транзистора Сази - емкость между стоком и истоком при коротком замыкании по переменному току на входе в схеме с общим истоком. Проходная емкость полевого транзистора Сзи - емкость между затвором и стоком при коротком замыкании по переменному току на входе в схеме с общим истоком. Емкость затвор - сток Cqq- емкость между затвором и стоком при разомкнутых пс переменному току остальных выводах. Емкость затвор - исток Cq - емкость между затвором и истоком приразомкнутых по переменному ток/ остальных выводах. КПС104Д КПС104Е КП301Б КП301В КП301Г Начальный ток стока Крутизна характеристики Напряжение отсечки Пороговое напряжение Ток утечки затвора Коэффициент шума Входная емкость Проходная емкость t Максимальная рабочая частота Максимально допустимые параметры постоянное напряжение затвор - исток постоянное напряжение затвор-сток постоянное напряжение сток - исток постоянный ток стока постоянная рассеиваемая мощность Максимальная температура окружающей среды Минимальная температура окружающей среды Общее тепловое сопротивление транзистора Тип канала Конструкция (номер рисунка) Основное назначение С. нач S ЗИ. отс ЗИ. пор 3. ут Ии С\2 frnsx ЗИ. max ЗС. т.ах СИ. max С. max min Тп.с мА/В пФ МГц мА мВт °С °С °С/мВт 1,0...3,0 >1,0 1,0...3 <5,0*> 4,5 1,5 30 30 25 -1-85 -50 0,4...2, >0,65 0,4...2 4,5 1,5 30 30 25 45 -f-85 -50 > р-п, тг-каная IV. 58. а Для входных каскадов дифференциальных малошумящих усилителей НЧ и постоянного тока с высоким вход- ным сопротивлением 0,5 . 10- 1,0...2,6 2,7...7,4 0,3 <9,5 1,0 100 -f70 0,5 . 10-3 2,0...3,0 2,7...7,4 0,3 <9,5 3,5 1,0 100 . 20 15 200 Н-70 -45 0,5 10-* 0,5...1,6 2,7...7,4 0,3 <9,5 3,5 1,0 100 200 Н-70 -45 Индуцированный р-канал IV.58, е , Для входных каскадов малошумящих усилителей с высоким входным сопротивлением
ООО «Мягкий Дом» - это Отечественный производитель мебели. Наша профильная продукция - это диваны еврокнижка. Каждый диван можем изготовить в соответствии с Вашими пожеланияи (размер, ткань и материал). Осуществляем бесплатную доставку и сборку. Звоните! Ежедневно! (926)274-88-54 Продажа и изготовление мебели. Копирование контента сайта запрещено. Авторские права защищаются адвокатской коллегией г. Москвы. |