(926)274-88-54
Бесплатная доставка.
Бесплатная сборка.
График работы:
Ежедневно. С 8-00 до 20-00.
Почта: soft_hous@mail.ru
|
|
Звоните! (926)274-88-54 Бесплатная доставка. Бесплатная сборка. |
Ассортимент тканей График работы: Ежедневно. С 8-00 до 20-00. Почта: soft_hous@mail.ru |
  
|
Читальный зал --> Конденсаторы постоянной емкости 24,4  W,5 I tK5   , Катод J Управляющий электрод 4--о Окэ о-п + -о Рис. I. Биполярные транзисторы Биполярный транзистор - это полупроводниковый прибор с двумя-взаимодействующими переходами и тремя или более выводами, усилительные свойства которого обусловлены явлениями инжекции и экстракции неосновных носителей заряда. Особенность транзистора состоит в том, что между его электронно-дырочными переходами существует взаимодействие - ток одного из переходов может управлять током другого. Такое управление возможно, потому, что носители заряда, инжектированные через один из. электронно-дырочных переходов, могут дойти до другого перехода, находящегося под обратным напряжением, и изменить его ток. Основанием биполярного транзи-Стора служит пластина полупроводника, называемая базой. С двух сторон в нее вплавлена примесь, создающая области с проводимостью, отличной от проводимости базы. Таким образом получают транзистор типа п. - р - п, когда крайние области являются полупроводниками с электронной проводимостью, а средняя - полупроводником с дырочной проводимостью и транзистор типа р - п - р, когда крайние области являются полупроводниками с дырочной проводимостью, а средняя - полупроводником с электронной проводимостью. Примыкающие к базе области чаще всего делают неодинаковыми. Одну из областей изготавливают так, чтобы из нее наиболее эффективно происходила инжекция носителей в базу, а другую - так, чтобы соответствующий электронно-дырочный переход . наилучшим образом осуществлял экстракцию инжектированных носителей зистора, основным назначением которой телей в базу, называют эмиттером, дырочный переход - эмиттерным. Область транзистора, основным назначением которой является экстракция носителей из базы, называют коллектором, а соответствующий электронно-дырочный переход - коллекторным. При использовании транзистора в схемах на его переходы подают внешнее напряжение (рис. IV.29). В зависимости от полярности этих напряжений каждый из переходов может быть включен либо в прямом, либо в обратном направлении. Соответственно различают три режима раборы транзистора; режим отсечки, когда оба перехода заперты; режим насыщения, когда оба перехода отпертЫ; активный режим, когда эмиттерный переход частично отперт, а коллекторный заперт. Если же эмиттерный переход смещен в обратном направлении а коллекторный - в прямом, то транзистор работает в обращенном (инверсном) включении. В основном транзистор используют в активном режиме, где для смещения эмиттерного перехода в прямом направлении на базу тран зистора типа р - п - р подают отрицательное напряжение относи* тельно эмиттера, а коллектор смещают в обратном направлении пода чей отрицательного напряжения относительно эмиттера. Напряжение на коллекторе обычно в несколько раз больше напряжения на эмиттере. Классификация. Транзисторы классифицируются по исходному материалу, рассеиваемой мощности, диапазону рабочих частот, прин- IV. 29. Структура транзистора и схема подачи напряжений на его электроды. из базы. Область тран-является инжекция носи-соответствующий электронно- иипу действия. В зависимости от исходного материала их делят на две группы: германиевые и кремниевые. Германиевые транзисторы работают в интервале температур от -60 до +78...85 °С, кремниевые- от -60 до 4-120...150 X. По диапазону рабочих частот их делят на транзисторы низких, средних и высоких частот, по мощности - на классы транзисторов малой, средней и большой мощности. Транзисторы малой мощности делят на шесть групп: усилители низких и высоких частот, м,алошумящие усилители, переключатели насыщенные, ненасыщенные и малотоковые (прерыватели); транзисторы- большой мощности - на три группы: усилители, генераторы, переключатели. По технологическому признаку различают транзисторы сплавные, сплавно-диффузионные, диффузионно-сплавные, планарные, эпита-ксиальные, конверсионные, эпитаксиально-планарные. Обозначение типа биполярных транзисторов установлено отраслевым стандартом ОСТ 11 336.919-81. Первый элемент обозначает исходный материал, из Которого изготовлен прибор: германий или его соединения- Г; кремний или его соединения- К: соединения галлия- А. Второй элемент - подкласс полупроводникового прибора. Для биполярных транзисторов вторым элементом является буква Т. Третий элемент - назначение прибора (табл. IV.20). Четвертый элемент - двузначное число от 01 до 99, обозначающее порядковые номера разработки типа прибора. Допускается использовать трехзначное число от 101 до 999 при условии, что порядковый номер разработки превышает 99. Пятый элемент обозначения - буква русского алфавита, определяющая классификацию по параметрам приборов, изготовленных по единой технологии. Например: транзистор, предназначенный для устройств широкого применения, германиевый, низкочастотный, малой мощности, номер разработки 25, группа В - ГТ125В. В качестве дополнительных элементов обозначения для наборов в общем корпусе однотипных приборов, не соединенных электрически или соединенных одноименными выводами, после обозначения типа прибора используется буква С. Таблица IV.20. Третий элемент обозначения транзисторов Подкласс транзисторов Обозна чеки е Транзисторы малой мощности (максимальная мощность, рассеиваемая транзистором не более 0,3 Вт) с граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой не более 3 МГц с граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 3, но не превышающей 30 мГц с граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 30 МГц Транзисторы средней мощности (максимальная мощность, рассеиваемая транзистором dojee 0,3, но не превышающая 1,5 Вт) с граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой не более 3 МГц с граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 3, но не превышающей 30 мГн с граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 30 МГц Транзисторы большой мощности (максимальная мощность, рассеиваемая транзистором более 1,5 Вт) с граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальней рабочей частотой не более 3 МГц с граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 3, но не превышающей 30 мГ . -С граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 30 МГц
ООО «Мягкий Дом» - это Отечественный производитель мебели. Наша профильная продукция - это диваны еврокнижка. Каждый диван можем изготовить в соответствии с Вашими пожеланияи (размер, ткань и материал). Осуществляем бесплатную доставку и сборку. Звоните! Ежедневно! (926)274-88-54 Продажа и изготовление мебели. Копирование контента сайта запрещено. Авторские права защищаются адвокатской коллегией г. Москвы. |