Звоните! 
 (926)274-88-54 
 Бесплатная доставка. 
 Бесплатная сборка. 
Ассортимент тканей

График работы:
Ежедневно. С 8-00 до 20-00.
Почта: soft_hous@mail.ru
Читальный зал -->  Конденсаторы постоянной емкости 

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 [ 182 ] 183 184 185 186 187 188 189 190 191 192 193 194 195 196 197 198 199 200 201 202 203 204 205 206 207 208 209 210 211 212 213 214 215 216 217 218 219 220 221 222 223 224 225 226 227 228 229 230 231 232 233 234 235 236 237 238 239 240 241 242 243 244 245 246 247 248 249 250 251 252 253 254 255 256 257 258 259 260 261

иен представляют собой устройства автоматического регулирования, в которых РЭ переключается из открытого состояния в закрытое и обратно, когда изменяющееся во времени выходное напряжение стабилизатора достигает соответственно порога срабатывания и отпускания релейного элемента, управляющего РЭ. Частота переключения может изменяться в широких пределах, что является недостатком. Релейные ИСН характеризуются большим быстродействием и допускают больший уровень пульсаций напряжения на входе, однако характеризуются относительно высоким коэффициентом пульсаций выходного напряжения (до 10...20 %).

В ИСН с ШИМ в процессе регулирования напряжения изменяется соотношение между длительностями открытого и Закрытого состояний РЭ, а частота переключений остается постоянной. Эти стабилизаторы отличаются более высоким коэффициентом стабилизации, однако содер-

жат большее число элементов.

Qjvfi

уГН ЦОС

cf% --±ь

C/=i=

Рис. VIII.19. Упрощенные схемы релейного

Упро1 ИСН.

На , рис. VHI.19,а приведена упрощенная схема , релейного ИСН, в котором регулирующий транзистор включен последовательно с нагрузкой. На базу транзистора подаются импульсы от узла управления (УУ). Скважность импульсов изменяется под действием сигнала; поступающего по цепи обратной связи (ЦОС) с выхода стабилизатора. Дроссель и конденсатор преобразуют однополярные прямоугольные импульсы, возникающие на коллекторе транзистора, в напряжение постоянного тока.

В момент, когда транзистор открывается, на вход LC-фильтра поступает напряжение со входа стабилизатора. Диод закрывается, в дросселе начинает возрастать ток, достигающий максимального значения к моменту запирания транзистора. Накопление энергии в дросселе и конденсаторе приводит к некоторому увеличению выходного напряжения U- В момент закрывания транзистора открывается диод, образуя замкнутую цепь для тока дросселя. При этом энергия, накопленная в дросселе, начинает поступать в нагрузку. На ин тервале времени, когда транзистор закрыт, выходное напряжение несколько снижается.

Дроссель и диод можно поменять местами. В этом случае при открывании транзистора диод закрыт, нагрузка с конденсатором отключена от источника питания, происходит накопление избыточной энергии в дросселе. При закрытом транзисторе избыточная энергия отдается в нагрузку и конденсатор через открытый диод. В таком ИСН выходное напряжение может быть больше входного, причем полярности входного и выходного напряжений противоположны, однако выходное сопротивление стабилизатора больше.

Обычно частота переключения ИСН находится в пределах 5.., .. 50 кГц при выходной мощности 5...100 Вт. При повышении частоты переключения улучшаются динамические характеристики стабилизатора, уменьшаются габаритные размеры и масса сглаживающего фильтра, однако возрастают потери в элементах и уменьшается КПД стаби-, лизатора.

Коммутационная перегрузка транзистора по току (соотношение Импульсного тока коллектора и тока нагрузки) определяется инерционностью диода и зависит от свойств транзистора. Перегрузка будет тем



больше, чем лучше импульсные свойства транаистора и хуже импульсные свойства диода. Так,-например, если применены транзистор типа ГТ905А или КТ908А и диод типа КД201А, амплитуда тока коллектора может в 5...10 раз превышать ток нагрузки [16]. При этом транзистор плохо используется-по току. Для уменьшения перегрузки транзистора по току вводятся дополнительные токоограничиваюшие элементы (рис. VIII.19,б). Дополнительный дроссель L1 уменьшает скорость нарастания тока коллектора, в результате чего уменьшается его амплитуда. Резистор способствует полному закрыванию диода VD1 к моменту очередного открывания транзистора.

Практическая схема релейного ИСН, предназначенного для питания цифровых устройств на ИМС, приведена на рис. VIII.20. Максимальный ток нагрузки стабилизатора 4 А, напряжение пульсаций выходного напряжения не более 50 мВ, КПД не менее 60 % (более

0Q см

кттб

mosf Лтбцг

R5 27

220т

R2 ЗК

KT208i

R3 220

С2 о,015т

40мкГн

КД213А

Ж =г=

СЗ 470мк

Vn2 КС139А

R6 200

КТ315А

40mrn

C5 2Wmk

tfiK

Рис. VIII.20. Схема релейного ИСН для питания цифровых устройств на ИМС.

75%. При токе нагрузки свыше 1 А и входном напряжении 15 В). При входном напряжении 15 В и изменении тока нагрузки от 0,5 до 3,5 А выходное напряжение возрастает на 0,5...1,5 % (в зависимости оттока нагрузки). При импульсной нагрузч<е стабилизатора возникают выбросы выходного напряжения, обусловленные переходными процессами в фильтре L2C5, с амплитудой не более 0,4 В.

При подаче входного напряжения возникает ток в цепи базы составного транзистора VT2, VT3, и он открывается. Цепочка R3C2 способствует форсированному открыванию. Происходит заряд накопительного конденсатора СЗ через составной транзистор и дроссель L1. Когда напряжение на СЗ достигнет некоторого уровня и, открываются транзисторы VT4 и VTL Транзистор VT1 насыщается, и через него к эмиттерному переходу VT2 подключается конденсатор С2 в закрывающей полярности, что способствует быстрому запиранию составного транзистора. После закрывания составного транзистора открывается диод VD1, который замыкает цепь уменьшающегося тока через дроссель Ы. Когда ток через дроссель Ы сравняется с током нагрузки, начинает уменьшаться напряжение на накопительном конденсаторе СЗ (энергия, запасенная в конденсаторе, поступает в нагрузку). При некотором значении этого напряжения U2 транзисторы VT4 и VT1 закрываются, а VT2 и VT3 - открываются, и ток в дросселе L1 начинает снова увеличиваться, диод VDJ закрывается. Напряжение на конденсаторе СЗ продолжает уменьшаться до значения U3 ((/3 < (/2 < < Ul), которое соответствует моменту равенства токов в дросселе и нагрузке. Начиная с этого момента напряжение на конденсаторе СЗ снова увеличивается, и цикл работы стабилизатора повторяется. Кон-



денсатор С4 необходим для создания на базе транзистора VT4 необхо-димого фазового сдвига сигнала обратной связи, который определяет частоту следования рабочих циклов. Фильтр L2C5 уменьшает пульсации выходного напряжения.

Поскольку транзистор VT3 и диод VD1 работают в ключевом режиме, рассеиваемая на них мощность мала. Установка этих элемен. тов на теплоотводах необходима только в случае, если предполагается длительная работа стабилизатора тгри токе нагрузки более 3,5 А. Чтобы уменьшить выбросы выходного напряжения при импульсной нагрузке, необходимо увеличить емкость конденсатора С5 либо исключить фильтр L2C5, увеличив емкость конденсатора СЗ (в 8.,.10 раз).

Дроссели можно выполнить на броневых магнитопроводах типа Б22 из феррита марки 200НМ. Дроссель L1 содержит 18 витков жгута из семи проводов ПЭВ-1 0,35, дроссель 12-9 витков жгута из 10

ЗОтГн

R2 ЮО

m mm 1

-- loutvmi,

АЮО-Тг/, гяТ


L2 /бОмкГн

ЗОмкГн

Рис. VIII.21. Схема ИСН с ШИМ.

таких же проводов. Между чашками магнитопровода дросселя Ц должна быть помещена прокладка из изоляционного материала тол щиной 0,8 мм, между чашками дросселя L2 - толщиной 0,2 мм. Цент ральный винт, скрепляющий чашки, должен быть из немагнитного материала. Конденсаторы С1 и СЗ, работающие при больших импульсах тока, должны быть оксидные типа К52-К Транзистор VT2 может быть типа КТ644 или КТ626 с любым буквенным индексом. Указания по налаживанию стабилизатора приведены в [12].

Схема ИСН с ШИМ приведена на рис. VI 11.21. В нем применен компаратор (узел сравнения) DA1 с открытым коллектором, в котором сравниваются образцовое пилообразное напряжение, подаваемое на инвертирующий вход, и часть выходного напряжения с делителя напряжения R8R9, подаваемая на неинвертирующий вход. Пилообразное напряжение вырабатывает генератор на однопереходном транзисторе VT2, питающийся стабилизированным напряжением, снимаемым со стабилитронов VD1, VD2. Для повышения стабильности этого напряжения применен источник тока на ПТ VTL На входе и выходе стабилизатора включены фильтры. Конденсатор СЗ устраняет паразитную генерацию.

Если выходное напряжение больше определенного значения, ключевой составной транзистор VT3, VT4 закрыт. Как только пилообразное напряжение превысит напряжение на резисторе R9, выходное напряжение компаратора откроет этот транзистор. После спада пилообразного напряжения транзистор закрывается, и дроссель L2 отдает энергию через открывшийся мощный диод VD3 в нагрузку. При открывании транзистора VT3, VT4 закрывается диод.



1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 [ 182 ] 183 184 185 186 187 188 189 190 191 192 193 194 195 196 197 198 199 200 201 202 203 204 205 206 207 208 209 210 211 212 213 214 215 216 217 218 219 220 221 222 223 224 225 226 227 228 229 230 231 232 233 234 235 236 237 238 239 240 241 242 243 244 245 246 247 248 249 250 251 252 253 254 255 256 257 258 259 260 261



ООО «Мягкий Дом» - это Отечественный производитель мебели. Наша профильная продукция - это диваны еврокнижка. Каждый диван можем изготовить в соответствии с Вашими пожеланияи (размер, ткань и материал). Осуществляем бесплатную доставку и сборку.



Звоните! Ежедневно!
 (926)274-88-54 
Продажа и изготовление мебели.


Копирование контента сайта запрещено.
Авторские права защищаются адвокатской коллегией г. Москвы
.