Звоните! (926)274-88-54 Бесплатная доставка. Бесплатная сборка. |
Ассортимент тканей График работы: Ежедневно. С 8-00 до 20-00. Почта: soft_hous@mail.ru |
|
(926)274-88-54 ГлавнаяИнтернет-магазинТкани в наличииМягкая мебельДиваны еврокнижка
Диван-кровать
Диван книжка
Кожаные диваны
Угловые диваны
Кресло-кровать
Недорогие диваны
Кресла
Диваны с фабрики
Кожаная мебель
Производство
Недорогая мебель
Как купитьЗаказ мебелиМебель для домаКухниШкафы купеОфисная мебельШкольная мебельПродажа мебели
Карта сайта
Вакансии
Схема проезда
(926)274-88-54
|
Читальный зал --> Конденсаторы постоянной емкости Обозначение типа транзисторов, разработанных до 1964 г., состоит из трех элементов: первый - буква Л (полупроводниковый триод, транзистор); второй - цифра (порядковый номер разработки в соответствии с табл. IV.21); третий - буква, соответствующая разновидности транзистора данного типа. В обозначение модернизированных транзисторов входит буква М (например, МП21В, МП113А). Таблица IV.21. Второй элемент обозначения типа транзисторов, разработанных до 1964 г.
Обозначение параметров биполярных транзисторов установлено ГОСТ 20003-74. Параметры постоянного тока характеризуют неуправляемые токи транзистора, связанные с обратными токами перехода. Обратный ток коллектора I- ток через коллекторный переход при заданном р-п-р р-п-р , А р-п-р Рис. IV.30. Схемы изме рения: а - обратного тока коллектора; б - обратного тока эмиттера; в - обратного тока коллектор - эмиттер. обратном напряжении коллектор - база и разомкнутом выводе эмиттера (рис. IV.30,q:). Обратный ток эмиттера Iq - ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер - база и разомкнутом выводе коллектора (рис. IV.30,б). Обратный ток коллектор - эмиттер 1 - ток в цепи коллектор - эмиттер при заданном обратном напряжении коллектор - эмиттер (рис. IV.30,в). Обратные токи коллектора и эмиттера зависят от температуры переходов: *1(Гп-25) / /(25) -i(n- J. т г(25) КБО --/КБО > ЭБО = ЭБО где /jBO ЭБО- обратные токи коллектора и эмиттера при 25 °С 1 - коэффициент, равный 0,06...0,09 1/°С для германия и 0,08...0,12 При разомкнутом выводе базы /кЭО при коротко замкнутых выводах эмиттера и базы КЭК* Р заданном сопротивлении в цепи база - эмиттер K9R при заданном об{5атном напряжении эмиттер - база КЭХ. 1/°С для кремния; Т - температура перехода °С. Эти завнсимоатя могут быть нарушены вследствие протекания тока поверхьюстной.утечки, особенно при низких температурах, когда объемные токи и /эБо малы, В больших напряжениях, когда поверхностные токи сравнительно велики. Обратный так коллектора /jq является основным дестабилизирующим фактором в каскадах на транзисторах. Малосигнальные параметры характеризуют работу транзистора при воздействии малого сигнала, т. е. сигнала, возрастание амплитуды которого в 1,5 раза приводит к незначительному изменению параметре (обычно не более чем на 10 %). При воздействии малого сигнала транзистор рассматривают как линейный активный несимгвтричный четырехполюсник (рис. IV.31), у которого один из зажимов всегда является общим для входа и выхода. В зависимости от того, какой из Транзистор Рис. IV.31. Схема четырехполюсника, эквивалентного транзистору. Рис. IV.32. Схемы включения биполярного транзистора. алектродов транзистора подключен к общему зажиму, различают включения с общей базой, общим эмиттером и общим коллектором. Варианты схем включения транзистора приведены на рис. IV.32. В .соответствии с теорией четырехполюсников входные и выходные напряжения и токи (i/j, и U.. h) однозначно связаны между собой системой уравнений, содержащей четыре параметра четырехполюсника. Система h-параметров получила широкое распространение, так как при измерении этих параметров требуется воспроизведение холостого хода на входе (/j =0) или короткого замыкания на выходе (i/g - = 0) что легко выполнять. В этой системе параметров уравнения четырехполюсника записываются в виде 1 = Klh + 122, h = 211 + 222- Все ft-параметры имеют определенный физический смысл: h = - U-JIi - входное сопротивление транзистора при короткозамкнутом выходе ((/а - 0); гг ~ иШ - коэффициент обратной связи по напряжению при разомкнутом по переменному току входе (/j = 0); ftai ~ IjW - коэффициент передачи тока при короткозамкнутом выходе {U2 - 0); /122 = IIU - йыходная проводимость при разомкнутом по переменному току входе (/ =0). Обычно /i-параметры измеряют при включениях транзисторов ОБ или ОЭ. Связь между Л-параметрами для разных схем включения определяется формулами ftl26 */jlb223/(l +2b) 12к 1/(1+Л12эН 216 -21э/(1 +/ 21э); 21K -( +21э); 226 22э/( + 21э); 22к ~ 22э- Для наиболее часто используемых параметров (коэффициент передачи тока при включении с ОБ и ОЭ) введены дополнительные обозначения: fij26 = -а; hig - р. Зависимость между а и определяется выражением Р = а/(1 - а). Так как малосигнальные параметры измеряют на низкой частоте (в основном 270 и 1000 Гц), их можно считать действительными величинами. Система у-параметров используется преимущественно на высоких частотах. По способу определения /-параметры являются параметрами -короткого замыкания по переменному току на входе или выходе, что вытекает из уравнений h = Viii 4- Уиг, h = Уг1г + /222- Все г/-параметры имеют определенный физический смысл: у = = - входная проводимость при короткозамкнутом выходе {U2 = 0); г/12 = 12 - обратная взаимная проводимость при короткозамкнутом входе ((/j - 0); у2.1 ~ fJUi - прямая взаимная проводимость (крутизна) прл короткозамкнутом выходе; У22= Ш - выходная проводимость при короткозамкнутом входе. Связь между h- и /-параметрами выражается формулами hn=lyii, г/и = 1/11Г = -У12/У11. Ун = -hn/hnl 21= Уц/Уп, y2i = hi/hir, fi22~ У22 - У12У21/У11, г/22 = /l22 - 12/121/11- Обычно в справочниках приводятся ft-параметры привключении транзистора с ОБ. По этим параметрам можно определить /-параметры при включении с ОЭ: 11э = (1-21б)/11б; 12э = 22б -12б(1-21б)/11б. У21э== 0 21б/11б5 223 = 226 + 126 21б/116- Если вместо /z216 в справочнике приведено /1213 следует воспользоваться формулой /i216 = 121 J (1 + Л21э)- МалосигналБные параметры транзисторов зависят от схемы его включения, режима работы, температуры и частоты. Так, параметр /121э прямо пропорционален, а /ijjg - обратно пропорционален току коллектора. Это необходимо учитывать, если режим работы транзистора отличается от режима измерения параметров. Высокочастотные параметры характеризуют транзисторы на высо- ких частотах. Граничная частота по определенному параметру - это частота, выше которой транзистор не может быть тюпользован как усилительный элемент. Граничная частота коэффициента передачи тока при включении с общим эмиттером /р - частота, при которой модуль коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером экстраполируется к единице.
ООО «Мягкий Дом» - это Отечественный производитель мебели. Наша профильная продукция - это диваны еврокнижка. Каждый диван можем изготовить в соответствии с Вашими пожеланияи (размер, ткань и материал). Осуществляем бесплатную доставку и сборку. Звоните! Ежедневно! (926)274-88-54 Продажа и изготовление мебели. Копирование контента сайта запрещено. Авторские права защищаются адвокатской коллегией г. Москвы. |