Звоните! 
 (926)274-88-54 
 Бесплатная доставка. 
 Бесплатная сборка. 
Ассортимент тканей

График работы:
Ежедневно. С 8-00 до 20-00.
Почта: soft_hous@mail.ru
Читальный зал -->  Конденсаторы постоянной емкости 

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 [ 59 ] 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186 187 188 189 190 191 192 193 194 195 196 197 198 199 200 201 202 203 204 205 206 207 208 209 210 211 212 213 214 215 216 217 218 219 220 221 222 223 224 225 226 227 228 229 230 231 232 233 234 235 236 237 238 239 240 241 242 243 244 245 246 247 248 249 250 251 252 253 254 255 256 257 258 259 260 261

Обозначение типа транзисторов, разработанных до 1964 г., состоит из трех элементов: первый - буква Л (полупроводниковый триод, транзистор); второй - цифра (порядковый номер разработки в соответствии с табл. IV.21); третий - буква, соответствующая разновидности транзистора данного типа. В обозначение модернизированных транзисторов входит буква М (например, МП21В, МП113А).

Таблица IV.21. Второй элемент обозначения типа транзисторов, разработанных до 1964 г.

Материал

Мощность рассеивания, Вт

Обозначение при граничной частоте коэффициента передачи тока

до 5 МГц (низкочастотные)

более 5 МГц (высоко ч астотные)

Германий

До 0,25 (малая)

1...99

401...499

Кремний

101...199

501...599

Германий

Более 0,25

201...299

601...699

Кремний

(большая)

301...399

701...799

Обозначение параметров биполярных транзисторов установлено ГОСТ 20003-74.

Параметры постоянного тока характеризуют неуправляемые токи транзистора, связанные с обратными токами перехода. Обратный ток коллектора I- ток через коллекторный переход при заданном

р-п-р р-п-р , А

р-п-р

Рис. IV.30. Схемы изме рения:

а - обратного тока коллектора; б - обратного тока эмиттера; в - обратного тока коллектор - эмиттер.

обратном напряжении коллектор - база и разомкнутом выводе эмиттера (рис. IV.30,q:). Обратный ток эмиттера Iq - ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер - база и разомкнутом выводе коллектора (рис. IV.30,б). Обратный ток коллектор - эмиттер 1 - ток в цепи коллектор - эмиттер при заданном обратном напряжении коллектор - эмиттер (рис. IV.30,в).

Обратные токи коллектора и эмиттера зависят от температуры переходов:

*1(Гп-25)

/ /(25) -i(n- J. т г(25)

КБО --/КБО > ЭБО = ЭБО

где /jBO ЭБО- обратные токи коллектора и эмиттера при 25 °С 1 - коэффициент, равный 0,06...0,09 1/°С для германия и 0,08...0,12

При разомкнутом выводе базы /кЭО при коротко замкнутых выводах эмиттера и базы КЭК* Р заданном сопротивлении в цепи база - эмиттер K9R при заданном об{5атном напряжении эмиттер - база КЭХ.



1/°С для кремния; Т - температура перехода °С. Эти завнсимоатя могут быть нарушены вследствие протекания тока поверхьюстной.утечки, особенно при низких температурах, когда объемные токи и /эБо малы, В больших напряжениях, когда поверхностные токи сравнительно велики. Обратный так коллектора /jq является основным дестабилизирующим фактором в каскадах на транзисторах.

Малосигнальные параметры характеризуют работу транзистора при воздействии малого сигнала, т. е. сигнала, возрастание амплитуды которого в 1,5 раза приводит к незначительному изменению параметре (обычно не более чем на 10 %). При воздействии малого сигнала транзистор рассматривают как линейный активный несимгвтричный четырехполюсник (рис. IV.31), у которого один из зажимов всегда является общим для входа и выхода. В зависимости от того, какой из

Транзистор

Рис. IV.31. Схема четырехполюсника, эквивалентного транзистору.

Рис. IV.32. Схемы включения биполярного транзистора.


алектродов транзистора подключен к общему зажиму, различают включения с общей базой, общим эмиттером и общим коллектором. Варианты схем включения транзистора приведены на рис. IV.32.

В .соответствии с теорией четырехполюсников входные и выходные напряжения и токи (i/j, и U.. h) однозначно связаны между собой системой уравнений, содержащей четыре параметра четырехполюсника.

Система h-параметров получила широкое распространение, так как при измерении этих параметров требуется воспроизведение холостого хода на входе (/j =0) или короткого замыкания на выходе (i/g - = 0) что легко выполнять. В этой системе параметров уравнения четырехполюсника записываются в виде

1 = Klh + 122, h = 211 + 222-

Все ft-параметры имеют определенный физический смысл: h = - U-JIi - входное сопротивление транзистора при короткозамкнутом выходе ((/а - 0); гг ~ иШ - коэффициент обратной связи по напряжению при разомкнутом по переменному току входе (/j = 0); ftai ~ IjW - коэффициент передачи тока при короткозамкнутом выходе {U2 - 0); /122 = IIU - йыходная проводимость при разомкнутом по переменному току входе (/ =0).

Обычно /i-параметры измеряют при включениях транзисторов ОБ или ОЭ. Связь между Л-параметрами для разных схем включения



определяется формулами

ftl26 */jlb223/(l +2b) 12к 1/(1+Л12эН 216 -21э/(1 +/ 21э); 21K -( +21э); 226 22э/( + 21э); 22к ~ 22э-

Для наиболее часто используемых параметров (коэффициент передачи тока при включении с ОБ и ОЭ) введены дополнительные обозначения: fij26 = -а; hig - р. Зависимость между а и определяется выражением Р = а/(1 - а). Так как малосигнальные параметры измеряют на низкой частоте (в основном 270 и 1000 Гц), их можно считать действительными величинами.

Система у-параметров используется преимущественно на высоких частотах. По способу определения /-параметры являются параметрами -короткого замыкания по переменному току на входе или выходе, что вытекает из уравнений

h = Viii 4- Уиг, h = Уг1г + /222-

Все г/-параметры имеют определенный физический смысл: у = = - входная проводимость при короткозамкнутом выходе

{U2 = 0); г/12 = 12 - обратная взаимная проводимость при короткозамкнутом входе ((/j - 0); у2.1 ~ fJUi - прямая взаимная проводимость (крутизна) прл короткозамкнутом выходе; У22= Ш - выходная проводимость при короткозамкнутом входе.

Связь между h- и /-параметрами выражается формулами

hn=lyii, г/и = 1/11Г

= -У12/У11. Ун = -hn/hnl

21= Уц/Уп, y2i = hi/hir,

fi22~ У22 - У12У21/У11, г/22 = /l22 - 12/121/11-

Обычно в справочниках приводятся ft-параметры привключении транзистора с ОБ. По этим параметрам можно определить /-параметры при включении с ОЭ:

11э = (1-21б)/11б; 12э = 22б -12б(1-21б)/11б. У21э== 0 21б/11б5 223 = 226 + 126 21б/116-

Если вместо /z216 в справочнике приведено /1213 следует воспользоваться формулой /i216 = 121 J (1 + Л21э)-

МалосигналБные параметры транзисторов зависят от схемы его включения, режима работы, температуры и частоты. Так, параметр /121э прямо пропорционален, а /ijjg - обратно пропорционален току коллектора. Это необходимо учитывать, если режим работы транзистора отличается от режима измерения параметров.

Высокочастотные параметры характеризуют транзисторы на высо- ких частотах. Граничная частота по определенному параметру - это частота, выше которой транзистор не может быть тюпользован как усилительный элемент. Граничная частота коэффициента передачи тока при включении с общим эмиттером /р - частота, при которой модуль коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером экстраполируется к единице.



1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 [ 59 ] 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186 187 188 189 190 191 192 193 194 195 196 197 198 199 200 201 202 203 204 205 206 207 208 209 210 211 212 213 214 215 216 217 218 219 220 221 222 223 224 225 226 227 228 229 230 231 232 233 234 235 236 237 238 239 240 241 242 243 244 245 246 247 248 249 250 251 252 253 254 255 256 257 258 259 260 261



ООО «Мягкий Дом» - это Отечественный производитель мебели. Наша профильная продукция - это диваны еврокнижка. Каждый диван можем изготовить в соответствии с Вашими пожеланияи (размер, ткань и материал). Осуществляем бесплатную доставку и сборку.



Звоните! Ежедневно!
 (926)274-88-54 
Продажа и изготовление мебели.


Копирование контента сайта запрещено.
Авторские права защищаются адвокатской коллегией г. Москвы
.