(926)274-88-54
Бесплатная доставка.
Бесплатная сборка.
График работы:
Ежедневно. С 8-00 до 20-00.
Почта: soft_hous@mail.ru
|
|
Звоните! (926)274-88-54 Бесплатная доставка. Бесплатная сборка. |
Ассортимент тканей График работы: Ежедневно. С 8-00 до 20-00. Почта: soft_hous@mail.ru |
  
|
Читальный зал --> Конденсаторы постоянной емкости Т а б л и ft а IV.13. Основные параметры светодиодов
* Сила света в микроканделах, 2. 1ирнс1оры Тиристор - ЭТО полупроводниковый прибор с двумя устойчивыми состояниями, имеющий три или более перехода, который может переключаться из закрытого состояния в открытое и наоборот. Структура тиристора состоит из четырех слоев кристалла полупроводника с чередующимся типом электропроводности (рис: IV.23). Крайние области структуры - соответственно р- и п-эмиттеры, а области, примыкающие к среднему переходу,- р- и п-базы. Внешнее напряжение на такой прибор подается минусом на крайнюю область с электропровод- ностью п-типа (на катодный электрод) и плюсом на крайнюю область с электропроводностью р-типа (на анодный электрод). В этом случае крайние р - п-переходы П1, ПЗ включены в прямом направлении, поэтому их называют эмиттерными, средний р - /г-переход П2 включен в обратном направлении, поэтому его называют коллекторным. Структуру тиристора можно представить в виде схемы замещения (рис. IV.24), состоящей из транзисторов VI и V2 соответственно р - п - р- и п - р - /г-типа. В этой схеме для учета нелинейной зависимости коэффициентов усиления и от тока эмиттерные переходы транзисторов шунтируются резисторами и R2. База и коллектор транзистора VI соединены соответственно с коллектором и базой транзистора V2, образуя цепь внутренней положительной обратной связи. Если к аноду тиристора подключить положительный полюс источника питания, а к катоду - отрицательный, то П1 и ПЗ сместятся в прямом, а П2 - в обратном направлении (см. рис. IV.23). - + / П2 Ua Рис. IV.23. Четырехслой-ная структура тиристора.  Рис. IV.24. Двухтранзис-торная схема замещения тиристор а. Таким образом, напряжение источника питания окажется приложенным к переходу П2 и ток во внешней цепи будет определяться выражением / = /jo / [1 - (а + аз)], где / - обратный ток перехода П2. Из этого выражения следует, что ток / зависит от а- и и резко возрастает, когда их сумма приближается к единице. Коэффициенты и tta зависят от тока эмиттера, напряжения на коллекторном переходе, а также от других факторов. Тиристор, имею-1ций выводы только от крайних слоев, называется диодным тиристором или динистором; при дополнительном выво- де от одного из средних слоев он называется триодным тиристором или три-нистором. Вольт-амперная характеристика диодного тиристора представлена на рис. IV.25. Участок OA соответствует выключенному (закрытому) состоянию тиристора. На этом участке через тиристор протекает ток утечки /д и его сопротивление очень велико (порядка нескольких мегаом).При повышении напряжения до определенного U (точка А характеристики) ток через тиристор резко возрастает. Дифференциальное сопротивление тиристора в точке А равно нулю. На участке А Б дифференциальное сопротивление тиристора отрицательное. Этот участок соответствует неустойчивому состоянию тиристора. При включении последовательно с тиристором небольшого сопротивления нагрузки рабочая точка перемещается на участок БВ, соответствующий включенному состоянию тиристора. На этом участке диф- Рис. IV.25. Вольт-амперная характеристика диодного тиристора ференциальное сопротивление тиристора положительное. .Для поддержания тиристора в открытом состоянии через него должен протекать ток не менее /уд. Снижая напряжение на тиристоре, можно уменьшить ток до значения меньшего, чем /уд, и перевести тиристор в выключенное состояние. Еольт-амперная характеристика тркодного тиристора (рис. IV.26), снятая при нулевом токе управляющего электрода, подобна характеристике диодного тиристора. Рост тока управляющего электрода (от /у = О до /уз) приводит к смещению вольт-амперной характеристики в сторону меньшего напряжения включения (от U до .f/пркз) При достаточно большом токе управляющего электрода, называемом б1 {yj V fi  Рис. IV.26. Вольт-амперная характеристика триодного тирнс-тора. током спрямления, вольт-амперная характеристика триодного тиристора вырождается в характеристику обычного диода, теряя участок отрицательного сопротивления. Для выключения триодного тиристора необходимо, снижая напряжение на нем, уменьшать ток через тири- стор до значения, меньшего, чем /уд. Запираемые триодные тиристоры в отличие от обычных триодных тиристоров способны переключаться из отпертого состояния в запертое при подаче сигнала отрицательной полярности на управляющий электрод. Структура запираемого тиристора аналогична структуре обычного триодного тиристора. Способность тиристора к запиранию по управляющему электроду характеризуется коэффициентом запирания за/з-зДах+аа-!). где 1 анодный ток, при котором происходит запирание. Симметричные тиристоры (семксторы) имеют пятислойную структуру и обладают отрицательным сопротивлением на прямой и обратной ветвях вольт-амперной характеристики. Обратная ветвь вольт-амперной характеристики симметричного тиристора расположена в третьем квадранте и аналогична прямой ветви. Отпирание семисто-
ООО «Мягкий Дом» - это Отечественный производитель мебели. Наша профильная продукция - это диваны еврокнижка. Каждый диван можем изготовить в соответствии с Вашими пожеланияи (размер, ткань и материал). Осуществляем бесплатную доставку и сборку. Звоните! Ежедневно! (926)274-88-54 Продажа и изготовление мебели. Копирование контента сайта запрещено. Авторские права защищаются адвокатской коллегией г. Москвы. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||