Параметр

Обозначение

Единица

КТ626А

1 КТ626Б

Тип транзистора KT626BJ КТ626Г КТ626Д

КТ630А

КТ630Б

Обратный ток коллектора при f/g. В*

10/30

150/30

150/30

150/20

150/20

* ~

Обратный ток эмиттера при СЭБ

10/4

300/4

300/4

300/4

300/4

0.1/5

0,1/5

Режим измерения h-параметров

напряжение коллектора

TOjt коллектора

Коэффициент передачи тока

40...250

30..,100

15...45

15...60

40...250

40...120

80...240

Граничная частота коэффициента передачи

Емкость коллекторного перехода

Постоянная времени цепи обратной связи

Максимально допустимые параметры

постоянное напряжение коллектор - база

КБ max

постоянное напряжение коллектор - эмиттер

КЭ rriax

постоянное напряжение эмиттер -база

ЭБ max

постоянный ток коллектора

к max

1000

1000

импульсный ток коллектора

К- и max

1500

1500

1500

1500

1500

2000

2000

постои нный ток базы

Б max

- ,

200

рассеиваемая мощность без теплоотвода

max

рассеиваемая мощность с теплоотводом

Максимальная температура окружающей среды

max

°С

+ 85

Минимальная температура окружающей среды

°С

.-40

Общее тепловое сопротивление транзистора

Т п. с

°С/Вт

Внутреннее тепловое сопротивление

Т п. к

°С/Вт

Тип перехода, технология изготовления

р - п -

Р -

П п -

Р - Л

Конструкция (номер рисунка)

IV.38, ж

IV,ЗР, а -

Эсвовное назначение

Для усилителей коротковолнового диапазона

Дл я усилительных

и переключающих устройств

и импульсных

устройств

Параметр

Обозначение

Единица

Тип транзистора

КТ630В

1 КТбЗОГ

1тбзод

1 КТбЗОЕ

К 1633Б

КТ635Б

Обратный ток коллектора при t/кБ, B*i

10/30

10/60

Обратный ток эмиттера при С/эБ

0.1/5

0,1/5

0,1/5

0.1/5

10/4,5

10/5

Режим измерения /г-параметров

напряжение коллектора

ток коллектора

Коэффициент передачи тока

40...120

40..Л20

80...240

160... 480

20...160

20.,.150

Граничная частота коэффициента передачи

50

. 50-

Емкость коллекторного перехода

Постоянная времени цепи обратной связи

Максимально допустимые параметры

постоянное напряжение коллектор - база

КБ max

постоянное напряжение коллектор ~ эмиттер

КЭ max

постоянное напряжение эмиттер - база

ЭБ max

постоянный ток коллектора

К max

1000

1000 ~

1000

1000

1000

импульсный ток коллектора

К. и max

2000

2000

2000 --

2000

1200

постоянный ток базы

Б max

рассеиваемая мощность без теплоотвода

. 0,8

0,8 -

рассеиваемая мощность с теплоотводом

Т max

Максимальная температура окружающей среды

°С

4-85

Минимальная температура окружающей среды

°С

г-40

Общее тепловое сопротивление транзистора

Т п. с

С/Вт

Внутреннее тепловое сопротивление

Тп. к

°С/Вт

Тнп перехода, технология изготовления

П п -

р>-,п

ЭПп-

-р - п

Конструкция (номер рисунка)

IV.39

Осиовдае назначение

Для усилительных и импульсных устройств

Параметр

Обозна-

Едп-

Тип транзистора;

чение

ница

П213

П213А

П213Б

П214

П214А

П214Б

Обратный ток коллектора при f-KB

0.15/45

1/45

1/45

0.3/60

0,3/60 .

0.15f60

Обратный ток эмиттера при f/g, В*

0,3/15

0.4/10

0,4/10

0,3/15

0.3/L5

0,3/15

Режим измерение ft-параметров

напряжение коллектора

, ток коллектора

Коэффициент передачи тока

20...50

>20

>40

20...60

50:..150

20...150

Граничная частота коэффициента передачи

Максимально допустимые параметры

КБ шах

постоянное напряжение коллектор - база

постоянное напряжение коллектор - эмиттер

КБшах

постоянное напряжение эмиттер - база

ЭБ шах

постоянный ток коллектора

К шах

постоянный ток базы

Б max

рассеиваемая мощ,ность без теплоотвода

niax

рассеиваемая мощность с теплоотводом

Т п ах

11,5

. 10

11.5

Максимальная температура окружающей среды

°С

+ 70

+ 70

Минимальная температура окружающей среды

°С

- 60

Общее тепловое сопротивление транзистора

°С/Вт

35

Внутреннее тепловое сопротивление

°С/Вт

3,5 ,

Тип перехода, материал

р-п-р,

германий

Конструкция (номер рисунка)

,0, б

Основное назначение

Для выходных каскадов УЗЧ, преобразователей и стабилизаторов напряжения, переключающих устройств