(926)274-88-54
Бесплатная доставка.
Бесплатная сборка.
График работы:
Ежедневно. С 8-00 до 20-00.
Почта: soft_hous@mail.ru
|
|
Звоните! (926)274-88-54 Бесплатная доставка. Бесплатная сборка. |
Ассортимент тканей График работы: Ежедневно. С 8-00 до 20-00. Почта: soft_hous@mail.ru |
  
|
Читальный зал --> Конденсаторы постоянной емкости Рекомендации по применению полевых транзисторов. Полевые транзисторы имеют вольт-амперные характеристики, подобные ламповым, и обладают всеми принципиальными преимуществами транзисторов. Это позволяет применять их в схемах, где в большинстве случаев использовались электронные лампы, например, в усилителях постоянного тока с высокоомным входом, в истоковых повторителях с особо высокоомным входом, в электрометрических усилителях, различных реле времени, iC-генераторах синусоидальных колебаний низких и инфранизких частот, в генераторах пилообразных колебаний, усилителях низкой частоты, работающих от источников с большим 019.6 
Исток Рис. IV. 59. Мощные полевые транзисторы. j7.2 <iS,Z внутренним сопротивлением, в активных /?С-фильтрах низких частот. Полевые транзисторы с изолированным затвором используют в высбко-частотных усилителях, смесителях, ключевых устройствах. В рекомендации по использованию транзисторов (см. п. 3 данной главы) для случая полевых транзисторов следует внести дополнения: 1. На затвор полевых транзисторов с р - -переходом не рекомендуется подавать напряжение, смещающее переход в прямом направлении (отрицательное для транзисторов с р-каналом и положительное для транзисторов с п-каналом). 2. Полевые транзисторы с изолированным затвором следует х.ра-нить с закороченными выводами. При включении транзисторов в схему Должны быть приняты все меры для снятия зарядов статического электричества. Необходимо пайку производить на заземленном металлическом листе, заземлить жало паяльника, а также руки монтажника при помощи специального металлического браслета. Не следует применять одежду из синтетических тканей. Целесообразно подсоединять полезной транзистор к схеме, предварительно закоротив его выводы. ГЛАВА V ИНТЕГРАЛЬНЫЕ МИКРОСХЕМЫ 1. Общие сведения Интегральная микросхема (ИМС) - микроэлектронное изделие, выполняющее определенное преобразование и обработку сигналов и имеющее высокую плотность упаковки электрически соединенных элементов, компонентов и кристаллов. Синонимом термина интегральная микросхема являются термины интегральная схема , или микросхема . Элемент интегральной микросхемы - часть ИМС, реализующая функцию простого радиоэлемента (например, транзистора, резистора, диода). Эта часть выполнена нераздельно от кристалла или подложки ИМС. Элемент не может быть отделён от ИМС как самостоятельное изделие. Компонент интегральной микросхемы - часть ИМС, реализующая функцию какого-либо электрорадиоэлемента, которая перед монтажом в ИМС была самостоятельным комплектующим изделием. Компонент может быть отделен от изготовленной ИМС (например, бескорпусный транзистор, керамический конденсатор). Корпус интегральной микросхемы - часть конструкции, предназначенная для ее защиты от внешних воздействий и соединения ее с внешними электрическими цепями посредством выводов. Подложка ИМС - заготовка, предназначенная для нанесения на нее элементов гибридных и пленочных ИМС, межэлементных и межкомпонентных соединений, а также контактных площадок. Плата ИМС - часть подложки или вся подложка гибридной-или пленочной ИМС, на поверхность которой нанесены пленочные элементы ИМС, межэлементные и межкомпонентные соединения и контактные площадки. Контактные площадки - металлизированные участки на плате, подложке или кристалле ИМС, предназначейные для присоединения выводных контактов, а также контроля электрических параметров и режимов ИМС. Классификация интегральных микросхем. В зависимости от тех- нологии изготовления ИМС делятся на полупроводниковые, пленочные и гибридные. Полупроводниковой интегральной микросхемой называется ИМС, все элементы и межэлементные соединения которой выполнены в объеме и на поверхности полупроводника. Пленочной интегральной микросхемой называется ИМС, все элементы и межэлементные соединения которой выполнены только в виде пленок. Вариантами технического исполнения пленочных ИМС являются тонко- и толстопленочные ИМС. К тонкопленочным условно относят ИМС с толщиной пленок до 1 мкм, а к толстопленочным - ИМС с толщиной пленок свыше 1 мкм. Эле- менты тонкопленочной ИМС наносят на подложку, как правило с помощью термовакуумного осаждения и катодного распыления, а элементы толстопленочной ИМС изготавливают преимущественно методом шелкографии с последующим вжиганием. Гибридной интегральной микросхемой называется ИМС, содержа- -щая кроме элементов, неразрывно связанных с поверхностью подложки, простые и сложные компоненты (например, кристаллы нолупро- , водниковых ИМС). Гибридные ИМС изготавливаются по тонко-или толстопленочной технологии с использованием бескорпусных полупроводниковых приборов и керамических конденсаторов. В зависимости от функционального назначения ИМС делятся на две основные группы - аналоговые и цифровые. К аналоговым относят ИМС, предназначенные для преобразования и обработки сигналов, изменяющихся по закону непрерывной функции, к цифровым - ИМС, с помощью которых преобразуются и обрабатываются сигналы, выраженные двоичном или другом цифровом коде. Аналоговые и цифровые ИМС выпускаются в виде серий, которые содержат совокупность ИМС, выполняющих различные функции, но имеющих единое конструктивно-технологическое исполнение и предназначенных для совместного применения. ИМС одной серии, как правило, имеют единые напряжения источников питания, согласованы по входным и-выходным сопротивлениям, уровням сигналов. Обозначение типа ИМС установлено ОСТ 11 073.915-80 и представляет собой код, отражающий конструктивно-технологические особенности и характер выполняемой функции. Условное обозначение ИМС состоит из четырех элементов. Первый элемент обозначает конструктивно-технологическую группу ИМС: полупроводниковые ИМС- 1, 5, 6, 7 (цифра 7 относится к бескорпусным ИМС); гибридные ИМС- 2, 4, 8; прочие ИМС - 3. Второй элемент - порядковый номер разработки (содержит две цифры). Третий элемент содержит две букбы, определяющие функциональное назначение ИМС в соответствии С табл. V.I. Четвертый злежен/тг - порядковый номер одноименных по функциональному признаку ИМС в данной серии (одна или две цифры). За четвертым элементом обозначения следует буква, указывающая на деление ИМС данного типа на группы, различные по одному или нескольким параметрам. Перед условным обозначением ИМС, предназначенных для аппаратуры широкого применения, ставится буква К. Например: интегральный полупроводниковый ОУ с порядковым номером разработки 53, порядковым номером разработки данной схемы в серии по функциональному признаку 3, группа А, предназначенный для устройств широкого применения,- К153УДЗА. Для характеристики материала и типа корпуса перед цифровым обозначением серии добавляются следующие буквы: Р - для пластмассовых корпусов типа 2; М - для керамических, металло-керами-ческих и металло-стеклянных корпусов типа 2; Е - для металло-полимерного корпуса типа 2; А - для пластмассового корпуса типа 4; И - для керамико-стеклянного корпуса типа 4. В условных обозначениях ИМС, разработанных до 1974 г., третий элемент (две буквы) стоит сразу после первой цифры серии, при этом буквенные обозначения некоторых ИМС отличаются от принятых в настоящее время. Старые и новые буквенные обозначения интегральных усилителей и вторичных источников питания приведены в табл. V.2. Типы корпусов ИМС, их габаритные и присоединительные размеры, также условные обозначения установлены ГОСТ 17467-79. По форме проекции тела корпуса ИМС на плоскость основания и расположению выводов корпуса делятся на типы и подтипы согласно табл. V.3. И 7-40 321
ООО «Мягкий Дом» - это Отечественный производитель мебели. Наша профильная продукция - это диваны еврокнижка. Каждый диван можем изготовить в соответствии с Вашими пожеланияи (размер, ткань и материал). Осуществляем бесплатную доставку и сборку. Звоните! Ежедневно! (926)274-88-54 Продажа и изготовление мебели. Копирование контента сайта запрещено. Авторские права защищаются адвокатской коллегией г. Москвы. |