(926)274-88-54
Бесплатная доставка.
Бесплатная сборка.
График работы:
Ежедневно. С 8-00 до 20-00.
Почта: soft_hous@mail.ru
|
|
Звоните! (926)274-88-54 Бесплатная доставка. Бесплатная сборка. |
Ассортимент тканей График работы: Ежедневно. С 8-00 до 20-00. Почта: soft_hous@mail.ru |
  
|
Читальный зал --> Конденсаторы постоянной емкости Предельная частота по определенному параметру - частота, при которой этот параметр уменьшается на определенную величину (обычно 3 дБ) по сравнению с первоначальным (ниакочастотным). Предельная частота передачи тока при включении с ОБ th - частота, при которой модуль коэффициента передачи тока- уменьшается на 3 дБ по сравнению со значением на низкой частоте. Предельная частота по крутизне прямой передачи fy. - частота, при которой модуль крутизны прямой передачи в схеме с ОЭ уменьшается на 3 дБ по сравнению е его значением на низкой частоте. Максимальная частота генерации ty - наибольшая частота, при которой транзистор способен генерировать в схеме автогенератора. Емкость коллекторного перехода - ёмкость между выводами базы и коллектора при заданном обратном напряжении эмиттер - база и разомкнутой эмиттерной цепи. Емкость в первом приближении является функцией напряжения на коллекторе U: где (-прав - емкость коллекторного перехода, приведенная в справочнике ДЛЯ определенного U. Сопротивление базы Гд, - сопротивление между выводами базы и переходом база - эмиттер. На достаточно высокой частоте г, ~ Постоянная времени цепи обратной свят на высокой частоте - произведение сопротивления базы на емкость коллекторного перехода (т = г,С.. Эта величина используется при расчетах /-параметров на высоких частотах. В справочных данных приводятся С, г>С, измеренные при определенном режиме. Высокочастотные параметры транзистора связаны между собой определенными зависимостями, например /шах ISO]/ /,р/т; 1216 /21б/гр; /21э/гр11б/б t2l3 = /rp/( +21э)- где jjgj - максимальная частота генерации, МГц; /j,p - граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с ОЭ, МГц; tj.- постоянная времени, пс; fhiQ - предельная частота коэффициента передачи тока в схеме с ОБ, МГй; f , - предельная частота по крутизне прямой передачи, МГц; jgjg - предельная частота коэффициента передачи тока в схеме с ОЭ, МГц. Активные составляющие входной и выходной проводимостей транзистора на высокой частоте / < 500 МГц в схеме с ОЭ можно определить по формулам . , -\ вх = (1 + /гьпб 7/-б)/21э11б (1 + Vl); (IV. 1) W-/226 + 7g V 1 + vl у - входную и выходную емкости - по формулам 1-у 1цб21э крутизну прямой передачи - по формуле У21э = 21э/(1 + 21э)11б Vl +y ; (IV.4) модуль обратной взаимной проводимости - по формуле где = 21э- Если величина йцд отсутствует в справочных данных Транзистора, ее можно рассчитать по формуле цб э б21э где Гз = 25,6a j(.; Гб= JC. В формулах (IV.1) ... (IV.5) не учтены индуктивности выводов транзистора, которыми можно пренебречь на частотах / < 0,3/j,p, не снижая точности расчета. Коэф рициент шума /Сщ - отношение мощности шумов на выходе транзистора к той ее части, которая вызвана тепловыми шумами сопротивления источника сигнала. Коэффициент шума существенно зависит от частоты, режима транзистора {U, Iвнутреннего сопротивления источника сигнала и температуры. В таблицах параметров транзисторов приведены гарантируемые максимальные значения в определенном, не оптимальном режиме и только для малошумящих транзисторов. Для получения минимальногоуровня шумов необходимо найти наивыгоднейший режим по току и напряжению при оптимальном сопротивлении источника сигнала. Для обеспечения работы усилителя в малошумящем режиме необходимо, чтобы его первые каскады использовались при малых токах эмиттера (0,1...0,5 мА), небольшом напряжении на коллекторе (0,5...2,5 В) и по возможности узкой полосе рабочих частот. Параметры большого сигнала характеризуют работу транзистора при изменениях токов и напряжений в широких пределах. Статичв ский коэффициент передачи тока в схеме с обидим эмиттером /1213 - отношение постоянного тока коллектора к постоянному току базы при заданном постоянном обратном напряжении коллектор - эмиттер и токе эмиттера в схеме с общим эмиттером. Статическая крутизна прямой передачи в схеме с обидим эмиттером У2\- отношение постоянного тока коллектора к постоянному напряжению база - эмиттер при заданном напряжении коллектор - эмиттер. Статическая крутизна прямой передачи используется для расчета схем с генератором напряжения на входе (например, в мощных усилительных каскадах) и почти .не зависит от схемы включения транзистора. Тепловые параметры характеризуют устойчивость транзисторов при работе в широком диапазоне температур и определяют связь между рассеиваемой электрической мощностью и температурой определенных областей приборов. Максимальная температура перехода Т - максимальная положительная температура перехода, при которой обеспечивается заданная надежность,-устанавливаемая с определенным коэффициентом запаса. Для германия 7ах составляет 80...100 °С, для кремния- 150...200 °С. Минимальная -температура перехода (окружаюшей cpeduj Tjjn -[минимальная отрицательная температура, при которой обеспечивается заданная надежность, Tjj опреде- ляется разрушающими механическими усилиями, возникающими между отдельными элементами транзистора при его охлаждении. Общее тепловое сопротивление транзистора Rj - отношение разности температур между коллекторным переходом и окружающей средой к мощности, рассеиваемой на транзисторе в установившемся режиме. Внутреннее тепловое сопротивление транзистора /?хп.к - отношение разности температур между коллекторным переходом и корпусом транзистора к мощности, рассеиваемой на транзисторе в установившемся режиме. Температура корпуса (перехода) транзистора определяется условиями теплоотвода, рассеиваемой мощностью. Максимально допустимая рассеиваемая мощность биполярного транзистора с ростом температуры окружающей среды снижается и для   Рис. 1V.33. Входные характеристики биполярного транзистора при включении? d - с ОБ; б - с ОЭ. каждого конкретного ее значения может быть определена по формулам тах = (п max )/Тп.с (без теплоотвода)} max==(nmax -)/(Тп.кН-к.с) теплоотводом), где Rj (. - тепловое сопротивление корпус - среда, °С/Вт (определяется качеством радиатора). Для, транзисторов &алой мощности в справочнике приводится ixn.c Д-я мощных транзисторов - Тп.к- Вольт-амперные характеристики содержат информацию о свойствах транзистора во всех режимах работы при больших и малых сигналах, в том числе о связях между параметрами. По вольт-амперным характеристикам можно определить ряд параметров, не приводимых в справочной литературе, а также рассчитать цепи смещения, стабилизации режима, оценить работу транзистора в широком диапазоне импульсных и постоянных токов, мощностей и напряжений. В основном исцользуются два семейства статических вольт-амперных характеристик: входных и выходных. Входные характеристики устанавливают зависимость входного тока (ток базы или эмиттера) от напряжения между базой и эмиттером при определенном напряжении на коллекторе. Входные характеристики транзистора (рис. IV.33) аналогичны характеристикам диода в прямом направлении с экспоненциальным возрастанием тока при увеличении напряжения. При f/j > О входные характеристики мало зависят от напряжения на коллекторе. При понижении или повыше-
ООО «Мягкий Дом» - это Отечественный производитель мебели. Наша профильная продукция - это диваны еврокнижка. Каждый диван можем изготовить в соответствии с Вашими пожеланияи (размер, ткань и материал). Осуществляем бесплатную доставку и сборку. Звоните! Ежедневно! (926)274-88-54 Продажа и изготовление мебели. Копирование контента сайта запрещено. Авторские права защищаются адвокатской коллегией г. Москвы. |