Звоните! (926)274-88-54 Бесплатная доставка. Бесплатная сборка. |
Ассортимент тканей График работы: Ежедневно. С 8-00 до 20-00. Почта: soft_hous@mail.ru |
|
(926)274-88-54 ГлавнаяИнтернет-магазинТкани в наличииМягкая мебельДиваны еврокнижка
Диван-кровать
Диван книжка
Кожаные диваны
Угловые диваны
Кресло-кровать
Недорогие диваны
Кресла
Диваны с фабрики
Кожаная мебель
Производство
Недорогая мебель
Как купитьЗаказ мебелиМебель для домаКухниШкафы купеОфисная мебельШкольная мебельПродажа мебели
Карта сайта
Вакансии
Схема проезда
(926)274-88-54
|
Читальный зал --> Конденсаторы постоянной емкости ного напряжения и тока нагрузки. Такие стабилизаторы могут стабилизировать напряжение при больших токах нагрузки, чем параметрические, и отличаются большим коэффициентом стабилизации и меньшим выходным сопротивлением. Структурная схема КСН приведена на рис. VIII.8. Последовательно с нагрузкой включен регулирующий элемент (РЭ), сопротивле- Рис. VIII.8. Структурная схема КСН. Рис. VIII.Э. Схемы РЭ в виде составного (й, д) и тройного составного {б- t, е-э) транзистора. VT1 , G1 VT2 fern VTJ VTI VT3 ние которого для постоянного тока может изменяться под действием управляющего напряжения С/у. Выходное напряжение (или часть его) поступает на измерительный элемент (ИЭ), в котором сравнивается с опорным напряжением. Сигнал рассогласования усиливается УПТ и поступает на РЭ в качестве управляющего напряжения. Пр.1 повышении входного напряжения или уменьшении тока нагрузки возрастает выходное напряжение и изменяется управляющее напряжение так, что повышается сопротивление РЭ, а выходное напряжение остается в заданном интервале значений. Р1змерительный элемент вых;1- ляет также пульсации выпрямленного напряжения, поступающие на РЭ, который сглаживает их до достаточно малого уровня. В качестве РЭ при малых токах нагрузки (не более 0,1...0,2 А) используются одиночные транзисторы, при сравнительно больших тс-ках - составные и тройные составные транзисторы (рис. VIII.9). Структура РЭ и способ соединения транзисторов в нем определяют минимальное падение напряжения на РЭ и, следовательно, КПД стабилизатора. Минимальное падение напряжения на составном транзисторе (рис. VHI.9,а) находят по формуле РЭшт = К32нас + ЭБ1. (VHM) где 1/к.Э2нас - напряжение коллектор - эмиттер транзистора VT2 в режиме насыщения; эб! - напряжение эмигтер -- база транзистора VTI; минимальное падение напряжения на тройном составном транзисторе (рис. VIII.9,б) - по формуле РЭ min = КЭЗнас + ЭБ1 + ЭБ2- При включении дополнительного источника напряжения G1 (рис. VIII.9,б, г, ё) минимальное падение напряжения на РЭ уменьшается. Для РЭ, схема которого приведена на рис. VIП.9,б, его можно определить по формуле (VIII.1), для РЭ, схема которого приведена на рис. VIII.9,2,- f/p3niin = кэгнас- Применение транзисторов различной структуры (рис. VIII.9,5-з) позволяет согласовать вход РЭ с выходом УПТ при различных полярностях напряжения питания. Минимальное падение напряжения на РЭ уменьшается также при подключении ИСТ (G/ на рис. VIII.9,б, ж и G2 на рис. VIII.9,з). Для РЭ на тройном составном транзисторе (рис. VIII.9,б) с ИСТ-справедливо соотношение (/рэтш= БЭ1 + БЭ2 + БЭЗ + fGlmin. Gimin ~ минимальное падение напряжения на ИСТ; для РЭ на тройном составном транзисторе с дополнительной симметрией и ИСТ (рис. VIII.9,) - соотношение рэтш = БЭ1 + КЭ2нас- Поскольку CjggHac БЭ ТО f/p3min Имеет меньшее Значение при выполнении РЭ на составном транзисторе с дополнительной симметрией. Включение дополнительного источника напряжения G1 и ИСТ G2 (рис. VIII.9,з) позволяет получить наименьшее значение падения напряжения на РЭ, которое можно определить по формуле t/psmin ~ БЭ1 ~ K32min ~~ в Выбрав определенным образом значение f/g, можно уменьшить (/рэшш ДО значения, близкого к /кЭ2нас Для этого значение должно удовлетворять условию > бЭ1 + + K32min ~ КЭ1- Наиболее простые схемы КСН приведены на рис. VIII. 10,а, б. Коэффициент стабилизации этих стабилизаторов составляет около 30 (при токе нагрузки 40 мА), выходное сопротивление - около 0,5 Ом. Коэффициент стабилизации можно повысить до 75 (при токе нагрузки 40 мА), если включить резистор R5. В этом случае изменения входного напряжения передаются на базу транзистора VT2, вызывая такое изменение состояния РЭ, которое способствует повышению стабильности выходного напряжения. Однако удовлетворительная работа КСН с резистором R5 возможна лишь при фиксированных выходном напряжении и токе нагрузки, а также стабильной температуре окружающей среды. В противном случае возможна перекомпенсация (при -1-!=r двт R612 /72/5 тдвт KR2.R3 VTI Общий Ш Д226Д УТ1П2Ш R2*20Qk УТ2 КТбИдА УВ2 КСШ- R4 1,5k ZV Д226Д\7. II Рис. VIJI.IO. Схемы КСН с УПТ на транзисторе структуры Р - п- р (а), п -р-п (б) с составным транзистором в РЭ (в), с дополнительным КС (г). Повышении входного напряжения выходное напряжение будет уменьшаться). Для уменьшения выходного сопротивления КСН можно ввести 10с по току нагрузки. Для этого последовательно с нагрузкой включают резистор R6 (см. рис. VHI.lO.a), а КС подключают к правому схеме) выводу резистора (штриховая линия). При указанном на ri: CI
ООО «Мягкий Дом» - это Отечественный производитель мебели. Наша профильная продукция - это диваны еврокнижка. Каждый диван можем изготовить в соответствии с Вашими пожеланияи (размер, ткань и материал). Осуществляем бесплатную доставку и сборку. Звоните! Ежедневно! (926)274-88-54 Продажа и изготовление мебели. Копирование контента сайта запрещено. Авторские права защищаются адвокатской коллегией г. Москвы. |