(926)274-88-54
Бесплатная доставка.
Бесплатная сборка.
График работы:
Ежедневно. С 8-00 до 20-00.
Почта: soft_hous@mail.ru
|
|
Звоните! (926)274-88-54 Бесплатная доставка. Бесплатная сборка. |
Ассортимент тканей График работы: Ежедневно. С 8-00 до 20-00. Почта: soft_hous@mail.ru |
  
|
Читальный зал --> Конденсаторы постоянной емкости При плотной компоновке элементов внутри аппаратуры или больших мощностях рассеивания в приборе применение радиаторов, расположенных внутри блока или прибора, становится малоэффективным. В этом случае мощные транзисторы целесообразно располагать непосредственно на корпусе прибора или на радиаторах, имеющих тепловой контакт с внешней средой. Для эффективной работы радиатора необходим надежный тепловой Контакт с транзистором. Для этого контактирующая с транзистором поверхность радиатора должна быть плоской, гладкой, без заусенцев и царапин. Для каждого вывода транзистора следует просверлить отдельное отверстие минимального диаметра. Транзисторы необходимо крепить к радиатору при помощи предусмотренных конструкций (бол-Гы, фланцы и др.). Для улучшения теплового контакта между транзистором и теплоотводом используют специальньгк теплоотводящие Йасты или смазки, например пасту кремнийорганичЖкую теплоНрово-дящую КПТ-8 ГОСТ 19783-74. Электрическая изоляция транзистора ет радиатора достигается установкой прокладок из слюды, фторопластовой пленки толщиной десятки микрометров, металлокерамических прокладок, а также использованием радиаторов с глубоким анодированием. Однако необходимо стремиться к электрической изоляции радиатора от корпуса прибора, а не транзистора от радиатора. Если два или более мощных транзистора включены параллельно, то между ними должен быть хороший тепловой контакт, чтобы тепловой режим транзисторов был одинаковым и устойчивым. Для этого транзисторы устанавливают на общем радиаторе. В противцом случае перегрев одного из них приведет к увеличению рассеиваемой им мощности за счет уменьшения ее на остальных транзисторах. Правила установки и включения транзисторов. 1. Транзисторы необходимо крепить за корпус, причем мощные транзисторы - при помощи предусмотренных конструкций деталей (болты, специальные фланцы и т. п.). 2. Выводы разрешается изгибать на расстоянии не менее 10 мм от корпуса, если нет других указаний. Изгиб жестких выводов мощных транзисторов запрещается. 3. Транзисторы не следует располагать вблизи элементов и узлов с большим тепловыделением (электронные лампы, трансформаторы питания, мощные резисторы и др.). 4. Транзисторы не следует размещать в сильных магнитных полях. 5. Выводы следует паять не ближе 10 мм от корпуса, обеспечивая теплоотвод между местом пайки и корпусом транзистора. Время пайки должно быть как можно меньшим (не более 2...3 с). Следует применять припои с температурой плавления не более 260 °С (см. п. 5 гл. 1). 6. Выводы 6a3bL должны подсоединяться первыми, а отключаться последними. Запрещается подавать напряжение на транзистор с отключенной базой. , 7. Транзисторы можно заменять только при отсутствии напряжения питания. 8. Необходимо исключить возможность подачи напряжения питания обратной (ошибочной) полярности, которым может бытБ пробит один из переходов транзистора. Для этого рекомендуется включать полупроводниковый диод последовательно в цепь питания транзистора. 9. Для защиты транзисторов от действия статического электричества необходимо тщательно заземлять оборудование и измерительные приборы, применять заземленные браслеты и паяльники с заэем ленным жалом. 4. Полевые транзисторы Полевой транзистор - это полупроводниковый прибор, усилителные свойства которого обусловлены потоком основных носителей, йоте-кающим через проводящий канал и управляемый электрическим полем. В отличие от биполярных работа полевых транзисторов основана на использовании основных носителей заряда в полупроводнике. По конструктивному исполнению и технологии иаготовленид полевые транзисторы можно разделить на две группы: полевые транзисторы с управляющим р - п-переходом и полевые транзисторы с иаолйро-ванным затвором.  Рис. 1V.46. Структура полевого транзистора 9 р з-п-переходом (а, б) и принципиальная схема включения 6 ОИ (в). Полевой транзистор с управляюиим р - п-переходом - это прлевой транзистор, затвор которого отделен в электрическом отношении от канала р - п-переходом,;смещенным в обратном направлении. Полевой транзистор с управляющим р - п-переходСм состоит из полупроводникового стержня (пластины из кремния) с омическими контактами по краям и одним или Двумя р - -переходами в центральной части (рис. IV.46, а). Между омическими контактами методом диффузии образуется проводящий канал с дырочной (для полупроводника р-типа) или электронной (для полупроводника п-тиПа) проводимостью, толщина которого управляется р - я-переходом, смещенным в обратном направлении и расположенным параллельно направлению движения носителей заряда. Электрод, из которого в канал входят основные носители заряда, называют истоком; электрод, через который в канал уходят носители заряда,- стоком; электрод, служащий для регулирования поперечного сечения канала,- затвором. При подключении к истоку отрицательного (для л-канала), а к стоку положительного напряжения (рис. LV.46,6) в канале возникает электрический ток, создаваемый движением электронов от истока к стоку, т. е. осйов-Ными носителями заряда. В этом заключается существенное отличие полевого транзистора от биполярного. Движение носителей заряда вдоль электронно-дырочного перехода (а не через переходы, как в биполярном транзисторе) является второй характерной особенностью полевого транзистора. Электрическое поле, создаваемое между затвором и каналом, изменяет плотность носителей заряда в канале, т. е. величину протекающего тока. Так как управление происходит через обратно смещенный р - л-переход, сопротивление между управляющим-электродом и каналом велико, а потребляемая мощность от источника сигнала в цепи затвора ничтожно мала. Поэтому полевой транзистор может обеспечить усиление электромагнитных колебаний как по мощности, так и по току и напряжению. Полевые транзисторы с двумя управляющими р - л-переходами (затворами) являются более совершенными приборами (рис. IV.46,6). Второй затвор (второй р - п-переход) ограничивает канал снизу. Обычно второй затвор соединяют с заземленным (общим) истоком.  Канал р-типа 5Цп)  Канал п-типа SLIP) Рис. IV.47. Структура полевого транзистора с изолированным затвором: а - с индуцированным каналом; б - со встроенным,каналом. В некоторых случаях его соединяют с основным затвором, и тогда оба затвора действуют совместно. Но всегда второй затвор совместно с основным затвором участвует в перекрытии канала. Статические характеристики и параметры полевого транзистора с объединенными/? - -переходами такие же, как и у полевого транзистора с одним р - п-переходом, а при соединении второго затвора с истоком существенно уменьшается постоянная времени цепи затвора. Полевой транзистор с изолированным затвором - это полевой транзистор, затвор которого отделен в электрическом отношении от канала слоем диэлектрика. Полевой транзистор с изолированным затвором состоит из пластины полупроводника (подложки) с относительно высоким удельным сопротивлением, в которой созданы две области с противоположным типом электропроводности (рис. IV.47). На эти области нанесены металлические электроды - исток и сток. Поверхность полупроводника между истоком и стоком покрыта тонким слоем диэлектрика (обычно слоем оксида кремния). На слой диэлектрика нанесен металлический электрод - затвор. Получается структура, состоящая из металла, диэлектрика и полупроводника. Поэтому полевые транзисторы с изолированным затвором часто называют МДП-транзисторами или МОП-транзисторами (металл - оксид- полупроводник). Существуют две разновидности МДП-транзисторов с индуцированным и со встроенным каналами. В МДП-транзисторах с индуцированным каналом проводящий канал между сильнолегированными областями истока и стока и, следовательно, заметный ток стока появляются только при определенной полярности и при определенном значении напряжения на затворе относительно истока (отрицательного при р-канале и положительного
ООО «Мягкий Дом» - это Отечественный производитель мебели. Наша профильная продукция - это диваны еврокнижка. Каждый диван можем изготовить в соответствии с Вашими пожеланияи (размер, ткань и материал). Осуществляем бесплатную доставку и сборку. Звоните! Ежедневно! (926)274-88-54 Продажа и изготовление мебели. Копирование контента сайта запрещено. Авторские права защищаются адвокатской коллегией г. Москвы. |