Читальный зал -->  Применение микроэлектронных ЦАП 

1 2 3 4 5 6 7 8 [ 9 ] 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105

защиптьг

и 9 учений

Управление отнлючеиигп

Тай пер

Управление бнлкчением

Рнс, Структурная схема устройства защиты аппаратуры от воздействия ионизирующих излучений.

счет применения специальных устройств защиты, ограничивающих время их нахождения в активном режиме в момент облучения. Принимается во внимание тот факт, что ИС и РЭА обладают повышенной (до двух порядков) радиационной стойкостью, находясь в пассивном режиме работы,

Рис. 1,12, Схемы включения компенсирующих транзисторов;

диодного; С -между СазоЭ к эмиттером транзистора ИС; а -в внас балаи-<= С1П пары для снижения влияния ионизирующих излучений на ИС

+5S sro Схема включения ограни-

чиваюшего резистора в цепи питания микросхемы

кис

при отключенных источниках питания и входного напряжения (рис. 1.11) [15].

Помимо операции оыключепия и включения источников напряжения для защиты РЭА используют и схемотехнические приемы по ограничению или шунтированию в ИС ионизационных токов [16].

На рнс. 1.12, а показан компенсирующий транзистор VT2 в диодном включении [16], гозволяюший снизить влияние ИИ на напряжение в коллекторной нагрузке Rn транзистора VTi. Первичный ионизационный гок ifp. генерируемый при излучении в транзисторе VT1, шунтируется диодом иа VT2, включенным параллельно резистору. Компенсация вторичного ионизационного тока isp осуществляется путем включения перехода база - коллектор транзистора VT2 между базой и эмиттером транзистора VT1 (рис, 1.12,6).

Ионизационные токи аналоговых и ненасыщенных цифровых элементов преобразователей эффективно компенсируются при включении балансных пар транзисторов (рис, ]Л2,в}, которые в процессе ИИ имеют близкие по значениям первичные и вторичные ионизационные токи при равных входных сопротивлениях в цепи базы. Для защиты ИС преобразователей от тиристориого эффекта нередко используют резисторы, ограничивающие ток в цепях питания (рис. 1.13).

и. ОСОБЕННОСТИ ВЫБОРА И ПРОЕКТИРОВАНИЯ БИС ЦАП И АЦП

Как показано в предыдущих параграфах, требоааиия к электрическим параметрам и эксплуатационным характеристикам БИС ЦАП и АЦП вытекают нз требований, предъявляемых к РЭА, и могут существенно различаться,

К настоящему времени созданы десятки типов огечест-

веииых полупроводниковых ЦАП и АЦП. различающихся точностными и скоростными параметрами, функциональными возможностями, допустимыми условиями эксплуатации и другими характеристиками. По достигнутой степени интеграции, размерам кристаллов и уровню технологии изготовления современные ИС ЦАП и АЦП относятся к категории БИС н СБИС п с точки зрения технологического и схемотехнического исполнения образуют специфическую группу изделий микроэлектроники.

Особенностью современного этапа развития БИС ЦАП п ЛЦП становится прнмеиеиие структур с декомпозицией части двончно-взвешенных токов нли потенциалов в едннпч-ио-взвешенные с последующим дифференциальным суммированием либо усреднением значений за счет топологических решений.

Повкшенис точности и быстродействия преобразования достигается использованием корректирующих пассивных и активных схем (вспомогательных ЦАП с программируемыми иа стадии изготовления запоминающими устройствами, элементов автокоррекцни со встроенными источниками линейно изменяющегося напряжения и т.п.), а также избыточно-декомпозиционных и комбинированных структур.

Квалифицированный выбор элементной базы преобразователей или научно обоснованное формирование технических заданий на нх разработку становятся затруднительными без установления взаимосвязей между значениями их электрических параметров и эксплуатационных характеристик и возможностями конкретных структурных, схемотехнических и конструкторско-техиологическнх решений, а также зиаинй о фнзнческнх ограничениях применяемых полупроводниковых материалов и производственных процессов.

Миоговарнантность задач проектирования БИС преобразователей и большие затраты па отработку н проверку рабочих версий обусловливают внедрение современных математических и инженерных методов системного анализа и синтеза, развитых средств автоматизированного моделирования.

Рассмотрение свойств п закономерностей проектирования ЛЦП с точки зрения его анализа производится, исходя из известного [20-22] представления о процедуре преобразования как о некотором М-шаговом процессе сравнения множеств эталонов с значением входной величины. Такой подход позволяет отвлечься от особенностей преобразовате-

3-385 33

1 2 3 4 5 6 7 8 [ 9 ] 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105

https://modul-geo.ru как выбрать геотекстиль.

ООО «Мягкий Дом» - это Отечественный производитель мебели. Наша профильная продукция - это диваны еврокнижка. Каждый диван можем изготовить в соответствии с Вашими пожеланияи (размер, ткань и материал). Осуществляем бесплатную доставку и сборку.



Звоните! Ежедневно!
 (926)274-88-54 
Продажа и изготовление мебели.

Копирование контента сайта запрещено.
Авторские права защищаются адвокатской коллегией г. Москвы.