Звоните! 
 (926)274-88-54 
 Бесплатная доставка. 
 Бесплатная сборка. 
Ассортимент тканей

График работы:
Ежедневно. С 8-00 до 20-00.
Почта: soft_hous@mail.ru
Читальный зал -->  Дроссели высокой частоты 

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 [ 87 ] 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186 187 188 189 190 191 192 193 194 195 196 197 198 199 200 201 202 203 204 205 206 207 208 209 210 211 212 213 214 215 216 217 218 219 220

включать полупроводниковый диод последовательно в цепь пита ния транзистора.

9. Для защиты транзисторов от действия статического электричества необходимо тщательно заземлять оборудование и и.чмери-тельные приборы, применять заземленные браслеты и паяльники с заземленным жалом.

§ 3. Полевые транзисторы

Полевым называют транзистор, в котором ток через канал управля-eTCsr полем, возникающим при приложении напряжения между затвором и истоком. Полевые транзисторы по сравнению с биполярными имеют большие входное и выходное сопротивления и меньшую крутизну проходной характеристики. Работа полевых транзисторов

3aFSos - ЗвтВщ Сток Исшвк ЗатЩ Стек


а i

Рис, IV 36 Устройство полевого траозивгора;

а- с р- л-переходом. б- с изолированным, явтвором и встроенным каналом, и - с изолированным затвором и индуднрованныи каналом

основана на движении основных носителей заряда в полупроводнике. Управление током в выходной цепи осуществляется управляющим напряжением, поэтому их усилительные свойства, как и электронных ламп, характеризуются крутизной. .

Полевые транзисторы в зависимости от способа изготовления и электрических характеристик делятся на две группы: транзисторы с р-д-переходом и с изолированным затвором (МОП транзисторы).

Полевой транзистор с р-п-переходом состоит из полупроводникового стержня (пластины из кремния) с омическими выводами от каждого конца, в котором метоД:М диффузии образован канал - тончайший слой с дырочной проводимостью (рис. IV.36, а). По краям канала также методом диффузии образованы более массивные участки с дырочной проводимостью. Таким образом, на поверхности канала с противоположных сторон формируется р-fi-переход, расположенный параллельно направлению тока. В соответствии с ГОСТ 15133-69 каналом-полезого транзистора называют область в полупроводнике, в которой ток носителей заряда регулируется из,менением ее поперечного сечення. Тип канала (л или р) зависит от электропроводимости полупроводника.

Вывод, через который в канал втекают носители заряда (положительный для 0-капала и отрицательный для л-канала), называют истоком; противоположный вывод, через котор1.1Й из капала в[.пе-клог цос1П-ели заряда,- стоком, третий вывод, к котором> прикла дь[иаегся ynpaiusuomee напряжение,- затвором. При подключении к нсгоку потожнтельного, а к стоку отрицательного напряжения вкана;[е ва1никает электрический ток, создаваемый движением дырок от истока к стоку, т. е. основными носителями заряда (дырками в области с дырочной проводимостью). В этом заключается



существенное отличие полевого транзистора от биполярного, у которого в образовании коллекторного тока участвуют как электроны, так и дырки. Движение носителей заряда вдоль электронно-дырочного пере.хода (а не через переходы, как в биполярном транзисторе) является второй характерной особенЕюстью полевого транзистора.

Электрическое поле, создаваемое между затвором и каналом, изменяет плотность носителей заряда в канале, т, е. величину протекающего тока. Так как управление происходит через обратно смещенный р-fi-переход, сопротивление между каналом и управляющим электродом (затвором) йелико, а ток затвора мал.

В помвых транзисторах с изолированным затвором затвор отделен от канала тонким изолирующим слоем окиси кремния. При очень тонком изолирующем слое проникновение поля в канал не затруднено, при этом ток затвора значительно уменьшается и не

/0-1:

=\-02 J0-]

?Я-й2 /

Рнс, IV.37. Схема включения полевого трэнэистора а - о ОН; б - с ОС; а ~ с 03

зависит ОТ полярности приложенного к затвору напряжения (в отличие от полевых транзисторов с р-л-переходом).

Каналы полевых транзисторов с МОП структурой по физическим свойствам разделяются на встроенные (обедненный тип) и индуцированные (обогащенный тип) (рис. IV. 36, 6, в). По встроенному каналу течет ток в отсутствие напряжения на затворе, если приложить напряжение между стоком и истоком. Это так называемый начальный ток стока. Током стока можно управлять, изменяя значение и полярность напряжения между затвором и истоком. При некотором положительном напряжении затвор - исток транзистора с р-каналом или отрицательном транзистора с п-каналом ток в цепи стока прекращается, В полевом транзисторе с индуцированным каналом при отсутствии напряжения на затворе ток между стоком и истоком очень мал. При подаче на затвор транзистора с р-каналом отрицательного напряжения (положительного длятран-зистора с fi-каналом) по отношению к истоку ток между стоком и истоком увеличивается.

Полевой транзистор в качестве элемента схемы представляет собой активный несимметричный четырехполюсник, у которого один нз зажимов является общим для цепей входа и выхода, В зависимости от того, какой из электродов полевого транзистора подключен к оби,ему выводу, различают схемы: с общим истоком и входом на затвор; с общим стоком и входом на затвор; с общим затвором и входом на исток. Схемы включения полевого транзистора показаны на рис. 1V.37.

По аналогии с ламповой электроникой, где за типовую криилта схема с общим катодом, для полевых транзисторов типовой является схема с общим истоком. Параметры полевых транзисторов удобно



Истин

СтО!<

Исток

Рис. I V.38. Э[(внвалентнан схема полевого транзистора

определять в системе ПровоДимостей, или (/-параметров четырехполюсника (см. §2 данной главы).

ЭкБивалентна.э схема полево10 транзистора, элементы которой выражены через у-параметры, приведена на рис. IV.38. При таком подключении каждая нЗ проводимостей имеет физический смысл.

Выходная проводимость определяется проводимос7ью участка затвор - исток - Уп + выходная проводимость- проводимостью участка сюк - исток у , = у -- уаь функция передачи - крутизной вольт-амперной характеристики S = yi - У12, функция обратной передачи-проходной проводимостью = 12- Эти параметры принимаются за первичные параметры полевого транзистора, используемого в качестве четырехполюсника. Если первичные параметры четырехполюсника для схемы с обн№м истоком определены, то можно рассчитать параметры для любой Другой схемы включения полевого транзистора,

Обозначение типа полевых транзисторов состоит из нескольких элементов. Первый элемент обозначает исходный материал, из которого и:!готовлен прибор: германий 1ли его соединения - Г; кремний или его соединения - К; соединения галлия -А, Для транзисторов, используемых в устройствах специального назначения,

установлены следующие обозначения исходного материала: германий или его соединения - 1; кремний илн его соединения -2; соединения галлия - 3, Второй элемент - подкласс полупроводникового прибора (буква П). Третий элемент - назначение прибора (см. табл. IV.13). Четвертый и пятый элементы - порядковый номер разработки и технологического типа прибора (от 01 до 99). Шестой элемент -деление технологического типа на параметрические группы (буквы русского алфавита от А до Я). Наборы дискретных полупроводниковых приборов обозначаются в соответствии с их разновидностью и перед последним элементом добавляется буква С, Например: полевой транзистор, предназначенный для устройств широкого применения, кремниевый, малой мощности, высокочастотный, номер разработки 03, группа А - 2П303А.

Обозначение параметров полевых транзисторов установлено ГОСТ 19095-73.

Начальный тон стока I q j, -ток стока при напряжении между затвором и истоком, равном Нулю, и напряжении на стоке, равном или превышающем напряжение насыщения. Остаточный ток стока Сост- стока при напряжении между затвором и истоком, превышающем напряжение отсечки. Ток утечки затвора /зу-ток затвора при заданном напряжении между затвором и остальными выводами, замкнутыми между собой, Обратный ток перехода затвор- сток при разомкнутом выводе /30 -протекающий Б цепи затвор - сток, при заданном обратном напряжении между затвором и стоком и разомкнутыми остальными выводами. Обратный ток перехода затвор - исток при разомкнутом выводе /30- протекающий в цепи затвор - исток, при заданном обратном напряжении между затвором и истоком и разомкнутыми остальными выводами.



1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 [ 87 ] 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186 187 188 189 190 191 192 193 194 195 196 197 198 199 200 201 202 203 204 205 206 207 208 209 210 211 212 213 214 215 216 217 218 219 220



ООО «Мягкий Дом» - это Отечественный производитель мебели. Наша профильная продукция - это диваны еврокнижка. Каждый диван можем изготовить в соответствии с Вашими пожеланияи (размер, ткань и материал). Осуществляем бесплатную доставку и сборку.



Звоните! Ежедневно!
 (926)274-88-54 
Продажа и изготовление мебели.


Копирование контента сайта запрещено.
Авторские права защищаются адвокатской коллегией г. Москвы
.