Параметр

Обозна-

Еди-

Тип транзистора

чение

ница

ГТ404Б

ГТ104в

Г1404Г

ГТ405А

ГТ405Б

ГТ405В

ГТ406Г

Обратный TttK коллектора при U, В*

25/10

26/10

25/10

25/25

25/25

25/40

25/40

Обратный ток змиттера при (/дц. Б*

25/Ю

25/10

26/10

Режим измерений ft-параметров

напряжение коллектора

ток коллектора

Коэффициент передачи тока

60...150

30...80

60,..150

30...80

60... 150

30... 80

60... 150

Предельная частота коэффициента передачи

1000

1000

1000

1000

1000

1000

1000

Максимально Допустимые параметры

постоянное напряжение коллектор - база

КБ max

постоянное иапряжеине коллектор- эмиттер

КЭ тая

постоянное напряжение эмиттер- база

ЭЪ п аХ

0.35

0,35

0,35

0.35

постоянный ток коллектора

к max

постоянный ток базы

б шах

рассеиваемая мошность без теплоотвода

pacceHHjeMaH мощность с теплоотводом

тах Т

Максимальная температура окружающей средч

4-55

4-55

4-55

-Ь55

4-55

Минимальная температура окружающей среды

Общее тепловое сопротивлснне транзистора

С/Вт

Тепловое сопротивление транзистора

С/Вт

Тип перехода, материал

*-С-п, германий

0-п-р, германий

Конструкция и расположение выводов (номер

IV,25. f

IV. 23, м.

рисунка)

Основное назначение

Для выходных

каскадов

Для выходных каскадов v

силите-

усилителей низкой час-

лей низкое

частоты

тоты

радиовещ.атель11ых

Тип транзистора

Параметр

Обозна-

Еди-

чение

ница

П601И

П601ДИ

Пе01БИ

П602И

П602АИ

Обратный ток коллектора при I/ig. В*

0.2/1 С

0,1/10

0.13/10

0,1/10

0,13/10

Обратный ток эмиттера прн tgg, В*

1/0,5

1/0,5

1/0,5

1/0.5

1 /0,5

Режим измерения й-пара-летров

напряжение коллектора

ток коллектора

0,5

Коэффициент передачи.тока

Л21э

> 2о

40..Л 00

80...200

40... 100

80... 200

Граничная частота коэффициента передачи

Емкость коллекторного перехода

Постоянная времени цепи обратной связи

Максимально допустимые параметры

КБ max

постоянное напряжение коллектор- база

nOLTOHHiroe напряжение коллектор- эмиттер

КЭ max

постоянное напряжение эмиттер - база

ЬЭБ щах

постоянный ток коллектора

к max

импульсный ток коллектора

к и max

постоянный ток базы

рассеиваемая мощность без теплоотвода

Бт Вт

0,5

рассеиваемая мощность с тсплоотподом

Рщах Т

Мак1,ималЬная температура окружающей среды

° С

-t-GO

-t-60

Минимальная температура окружающей среды

- 50

- 50

Общее тепловое сопротивление транзистора

С/Вг

50

Тепловое сопротявлспис трапзистора

° С/Вт

Тип перехода, материал

р-п-р. германий

Конструкция и расположение выводов (номер

IV. 26, а

рисунка)

Основное назначение

Для усилителей и импульсных устройств

Параметр

Обозначение

Единица

транзистора

П605

ПЬ05А

П606

П600А

П701

П701А

П701Б

Обр,1111ый ток коллектора при t/jy. В*

2/45

2/45

2/35

2/35

0,1/40

0,1/00

0,1/35

Обратный ток эмиттера при Гэб- В*

1/0.5

1/0.5

Режим измерения /i-парзметров

напряжение коллектора

ток коллектора

Коэффициент передачи тока

20...60

40... 120

20...60

40... 120

1 0...40

5...60

30. .100

Граничная частота коэффициента передачи

12,5

12.5

12,5

Емкость коллекторною перехода

ПоСтоиннля времени цепи обратной связи

S500

8500

8500

Максимально допустимые параметры

пос1ояииое напряжение коллектор- база

КВ шах

постоянное напряжение коллектор - эмиттер

КЭ max

[юстоянное напряжение эмиттер-база

ЭБ max

постоянный ток коллектора

к max

имг1ульсный Ток коллектор;!

к и max

1ЮСто>1ипый ток базы

ь та \

рассеиваемая мощность без теплоотвода

оасссиваемая мощность с теплоотводом

тах Т

. 3

Максимальная температура окружающей среды

max

+100

+100

+100

Минимальная температура окружающей среды

rain

- 60

- 55

Об1цео тепловое сопротивление транзистора

С/Вт

Тепловое сопротивление транзистора

15

Тип перехода, материал

D-n-р.

германий

р-п, кремний

Конструкция и расположение выводов {номер

IV,26. а

1V.26, 6

рисунка)

Основное назначение

усилителей, iенера

торов

Для усилителей

и гене-

и импульсных устройств н диа-

раторов, устройств не-

пазоне частое до 30 МГц

реклычення