Звоните! 
 (926)274-88-54 
 Бесплатная доставка. 
 Бесплатная сборка. 
Ассортимент тканей

График работы:
Ежедневно. С 8-00 до 20-00.
Почта: soft_hous@mail.ru
Читальный зал -->  Дроссели высокой частоты 

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 [ 85 ] 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186 187 188 189 190 191 192 193 194 195 196 197 198 199 200 201 202 203 204 205 206 207 208 209 210 211 212 213 214 215 216 217 218 219 220


Змтшр ж

Коллектор а

0/9.6

Рис IV.29. Транзисторы большой мощности средне- и высокочастотные



где С - емкость, пФ; L - нвдуктнвность, мкГ; Ю - сопротивление, Ом.

Схема защиты от осплесков напряжений с использованием шунтирующего диода приведена на pHC.IV.32, б. Перепад напряжения на катушке индуктивности в этом случае равен прямому падению

Ом-WOO

Ом-10

Рис. IV.30. Схемы измерения сопротивления переходое транзистора; а - обратного; б - прямого.

напряжения на диоде. Физический смысл защиты транзистора с цо-мощью диода состоит в том, что энергия, запасенная катушкой индуктивности, передается с помощью диода источнику питания и выделяется на активном сопротивлении нагрузки. Для ускорения времени разряда последовательно с диодом можно включить добавочный резистор Ri {рис. IV,32, в). Включение peuic-тора RI, кроме того, снимает высокочастотную генерацию контура, образованного паразитной емкостью диода и индуктивной нагрузкой. Вместоможно применить кремниевый стабилитрон, включенный встречно шунтирующему диоду {рис, IV.33, й). В этом случае максимальное напряжение на транзисторе будет ограничено значением t/jy max -к ст-

Дл я 3 а щ иты у с и л и тел ей от с.п у ч а й 11 ы х перенапряжений, а также от импульсных перегрузок в схеме с реактивной нагрузки!! применяются кремниевые стабилитроны {рис, IV.33, б). В усилителях низкой частоты можно также шунтировать участок коллектор - эмиттер диодом. В широкополосных усилителях, однако, такой способ может измени гь частотные свойства каскада за счет значительной емкости диода. Схема защиты, используемая в широкополосных и других высокочастотных усилителях, приведена на рис. IV.33, в. Смещение выбирается таким образом, чтобы оно было меньшеУ., стабилитрона.

Прн нормальной работе каскада стабилитрон закрыт и не влияет на частотную характеристику усилителя. При превышении установ-ленндго напряжения стабилитрон шунтирует транзистор, предохраняя его от повреждения.

Для защиты транзистора от перегрузкк по току рекомендуются следующие способы; включение токоограничивающих резисторов


Рис IV 31 Схема проверки коэффициента передачи тока транзистора



последовательно с выводами коллектора й эмиттера (не следует ограничивать ток включением резистора в цепь базы); и1унтированне почупроводникоцых приборов резисторов; параллельное включение транзисторов. Используя последний способ, необходимо учитывать, что полупроводниковые приборы имеют разброс сопротивле




рис. IV.32. Схемы защиты транзистора от переналряжеаий с помощью;

я - последовательной /?С-цепи; б - шунтирующего диода; з - шунтирующего диода и резистора

ния и, следовательно, ток между параллельно включенными приборами распределяется неравномерно. Так как разброс сопротивления зависит от температуры и изменяется со временем, надежная работа достигается не подбором приборов с идентичными пара-



Рис. IV.33. Схемы защиты транзистора от перенапряжений с помощью; я -диода н стабилитрона; 6, в- стабилитрона.

метрами, а выравниванием тока приборов с помощью добавочных резисторов небольшой величины, включенных последовательно в цепь каждого прибора (рис. IV.34). Параллельно включенные транзисторы необходимо располагать на одном и том же теплоотподе, приняв меры по максимально возможному выравниванию температур их корпусов. Эти температуры не должны отличаться более чем на К-.г С.

Рекомендации по применению транзисторов. В предварительных каскадах усилителей низкой частоты целесообразно нспольэо-



1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 [ 85 ] 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186 187 188 189 190 191 192 193 194 195 196 197 198 199 200 201 202 203 204 205 206 207 208 209 210 211 212 213 214 215 216 217 218 219 220



ООО «Мягкий Дом» - это Отечественный производитель мебели. Наша профильная продукция - это диваны еврокнижка. Каждый диван можем изготовить в соответствии с Вашими пожеланияи (размер, ткань и материал). Осуществляем бесплатную доставку и сборку.



Звоните! Ежедневно!
 (926)274-88-54 
Продажа и изготовление мебели.


Копирование контента сайта запрещено.
Авторские права защищаются адвокатской коллегией г. Москвы
.