(926)274-88-54
Бесплатная доставка.
Бесплатная сборка.
График работы:
Ежедневно. С 8-00 до 20-00.
Почта: soft_hous@mail.ru
|
|
Звоните! (926)274-88-54 Бесплатная доставка. Бесплатная сборка. |
Ассортимент тканей График работы: Ежедневно. С 8-00 до 20-00. Почта: soft_hous@mail.ru |
  
|
Читальный зал --> Дроссели высокой частоты (50.-. 100 кОм на каждые 100 В обратного напряжения) нли выравнивающими конденсаторами. 8. icTpoTicTBo с диодами необходимо рассчитывать с учетом максимально возможных изменений пара метроо в диапазоне рабочих температур и дрейфа параметров в процессе эксплуатации и хранения, В табл. IV.12 приведены критерии сохранения работоспособности диодов при [[Зменении их параметров. Правильно рассчитанное устройство должно оставаться работоспособным при изменении иара-метрои диодов в указанном интерпале. Таблица JV 12, Критерий сохрангиия раСогоспосо5цОс1и диодов при изменении Их параметров
(с) -сдаточкая норма по техническим условиям § 2. Биполярные трвнэнсторы Транзистор - электропреобразоаательный полупроводниковый прибор с одним или несколькими электрическими переходами, пригодный для усиления мощности и имеющий три иди более выводов. Биполярный транзистор - транзистор, в котором используются заряды носителей обеих полярностей. В отличие от полупроводниковых диодов биполярные транзисторы имеют два электронно-дырочных перехода. Основанием прибора служит пластина полупроводника, называемая базо1(, С двух сторон в нее вплавлена примесь, создающая области с Проводимостью, отличной от проводимости базы. Таким образом получают транзистор типа п-р-п, Когда крайние области являются полупроводниками с электронной проводимостью, а средняя - полупроводником с дырочной проводимостью, и транзистор типа р-п-р, когда крайние области являются полупроводниками с дырочноП проводимостью, а средняя - полупроводником с электронной проводимостью. Нижнюю область называют эмиттером, а верхнюю коллектором. На границах областей с различной проводимостью образуются два перехода. Переход, образованный вблизи эмиттера, называют эмиттерныч, вблизи коллектора- коллекторным. При использовании транзистора в схемах на его переходы подают внешние напряжения (рнс. IV,16). В зависимости от полярности этих Е1апряжениГ( каждый иэ переходов может быть включен либо в прямом, либо в обратном направлении. Соответственно различают три режима работы транзистора: режим отсечки, когда оба перехода заперты; режим насыщения, когда оба Перехода отперты; активный режим, когда эмиттерный переход частично отперт, а коллекторный заперт. Если же эмиттерный пере- + - -о из О- ход смещен в обратном направлении, а коллекторный - р прямом, то транзистор работает в обращенном (инверсном) включении. В основном транзистор используют в активном режиме, где лля смещения эмкттерного перехода в прямом направлении на базу транзнсгора типа р-п-р подают отрицательное напряжение относительно эмиттера, а коллектор смещают в обратном направлении подачей отрицательного напряя?ения относительно эмиттера. Напряжение на коллекторе обычно в несколько раз больше напряжения на эмиттере. Кл.:ссификация. Транзисторы классифицируются по исходному материалу, рассеиваемой мощности, диапазону рабочих частот, принципу действия и т. д. В зависимости от исходного материала их делят на две группы: гер.мапневые и кремн! евые. Германиевые транзисторы работают в интервале температур от -60 до -]-78... 85 С. кремниевые-От -60 до + 120... 150 С. По диапазону рабочих частот их делят ка транзисторы низких, средних и высоких часгот, по мощности - на классы транзисторов малой, средней и 6олЕ)[[1ой мощности. Транзисторы малой мощности делят на шесть групп; усилители низких и высоких частот, малошумящие усилители, переключатели насыщенные, ненасыщенные и малотоновые (прерыватели); транзисторы большой мощности - на три группы: усилители, генераторы, переключатели. По технологическому признаку разл,ичают транзисторы сплавные, сплавно-диффузионные, лифрузнонно-сплавные, планарные, эпитакснальные, конверспон-Hue, эпитаксиаЛьно-планарные. Обозначение типа биполярных транзисторов состоит из нескольких элементов (ГОСТ 10862-72). Первый элемент обозначает исходный материал, из которого изготовлен прибор: германий или его соединения - Г; кремний нли его соединения - К; соединения галлия - к. Для транзисторов, И1Пользуемых в устройствах специального назначения, установлены следующие обозначения исходного материала; германий илн его соединения - 1; кремний или его соединения - 2; соединения галлия - 3. Второй элемент - подкласс пол>проводннкового прибора, Для биполярных транзисторов вторым элечектом является буква Т. Третий элемент - назначение прибора (табл. IV.13). Четвертый и пятый элементы- порядковый номер разработки и технологического типа прибора (от 01 до 99). Шестой элемент - деление технологического типа на параметрические групг[Ы (буквы русского алфавита от А до Я). Например, транзистор, предназначенный для устройств широкого применения, германиевый, низкочастотный, малой мощности, номер разработки 15 группа А - ГТ115А. Наборы дискретных полупроводниковых приборов обозначаются в соответствии с их разновидностью и перед последним элементом добавляется буква С. Обозначение типа транзисторов, разработанных до 1964 г., состоит из трех злементов: первый - буква П (полупроводниковый триол, транзистор); второй - цифра (порядковый номер разработки в соответствии с табл. IV.14); третий - буква, соответствующая Рис, 1V.16, Структура транзистора и схема кодачи напряжений на его электроды. Таблица IV.13. Третий, транзистора четвертый и питый элементы оЗозндчепия типа
Таблице! IV.14. Второй элемент обозначения типа транзпсгоров, разрабо-Тй-нных до 1964 г.
разновидности транзистора данного типа. В обозначение модернизированных транзисторов входит буква М (например, ЛШ101А, МП21В). Обозначение параметров биполярных транзисторов установлено ГОСТ 20003-74. Параметры постоянного тока характеризуют неуправляе.мые токи транзистора, связанные с обратными токами переходов. Обратный ток коллектора i< Qcy ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор - база и разомкнутом выводе эмиттера (рис, IV.17, а). Обратный ток эмиттера эбо - через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутом выводе коллектора (рис. IV 17,6). Обратный ток коллектор - эмиттер /q - ток в цепи кол. лектор - эмиттер при заданном обратном напряжении коллектор - эмиттер (рис. IV.17, в). Обратные токи коллектора и эмиттера зависят от температуры переходов: , .(25) /.(Т-п-аЗ). , ;(25) / i(?r-25) КБО = КБО ЭБО ~- ЭБО * При разомкнутом выводе базы - кЭС- Р короткозамкнутых вывода? эмиттера и базы - /(;эк;; при ааданком сопротивлении в цепи база - эмиттер -КЭ/? Р заданном-обратном напряжении эмиттер база - УЭХ,
ООО «Мягкий Дом» - это Отечественный производитель мебели. Наша профильная продукция - это диваны еврокнижка. Каждый диван можем изготовить в соответствии с Вашими пожеланияи (размер, ткань и материал). Осуществляем бесплатную доставку и сборку. Звоните! Ежедневно! (926)274-88-54 Продажа и изготовление мебели. Копирование контента сайта запрещено. Авторские права защищаются адвокатской коллегией г. Москвы. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||