(926)274-88-54
Бесплатная доставка.
Бесплатная сборка.
График работы:
Ежедневно. С 8-00 до 20-00.
Почта: soft_hous@mail.ru
|
|
Звоните! (926)274-88-54 Бесплатная доставка. Бесплатная сборка. |
Ассортимент тканей График работы: Ежедневно. С 8-00 до 20-00. Почта: soft_hous@mail.ru |
  
|
Читальный зал --> Дроссели высокой частоты где /S, 1Ш1 обратные теки коллектора и эмиттера при 25° С; it - коэффициент, равный 0,06..,0,09 1/°С для германия и 0,08... ...0,12 и С для кремния; Tj, - температура перехода, С. Эти зави- j)-n-p Рис. IV,17. Схемы измерения: а-обрапюго тока коллектора; б-обратного тока эмиттег<: ff-обратного токл коллектор- эмиттер. симости могут быть нарушены вследствие протекаиья тока поверхностной утечки, особенно при низких температурах, когда объемные токи /к;бо эБО M-ibi, и больших напряжениях, ко1Да поверхностные токи сравнительно велики. Обратный ток коллектора является 7 Траизистор  0С110ВНЫ.-и дестабнлкзирую1ци.ч фактором в каскадах ка транзисторах. Малосигиальные параметры характеризуют работу транзистора при во-здействии малого сигнала, т. е. сигнала, возрастание амплитуды которого на 50% приводит к увеличению измеряемого параметра на малую величину соответственно задэц- Hoil степени точности (обычно не более, чем на 10%). При воздействии малого сигнала транзистор рассматривают как линейный активны([ несимметрич£1ый четырехполюсник (рис. IV.18), у которого один из зажимов всегда является общим для входа и выхода. В зависимости от того, какой из электродов транзистора подклю- Phc,.1V.18. Схем;!1етырехполю1:-ника, эквивалентного транзистору.  Рис. IV.19. Схе-лы включения бкполярного транзистора. чен К общему зажиму, различают включения с общей базой, общим эмиттером и общим коллектором. Варианты схем включения транзистора приведены на рис. IV, 19. В соответствии с теорией четырехполюсников входные и выходные напряжения и токи (/7i, и U, /г) однозначно связаны между собой системой уравнений, содержащей четыре параметра четырехполюсника. Система h-параметров получила широкое распространение, так как при измерении этих параметров требуется воспроизведение холостого хода на входе (/j-0) нли короткого замыкания уа выходе 0), что легко выполнить. В этой системе параметров уравнения четырехполюсника записываются в виде Все Й-параметры имеют определенный физический смысл: = = Uj/h - входное сопротивление-транзистора при короткозамкну-том выходе (Us- 0); fii2- U1IU2 ~ коэффициент обратной связи по напряжению при разомкнуто.м по переменному току входе (h= 0); 121= !s/h - коэффициент передачи тока при короткоэамк- нутом выходе (U = 0); Лаз - JU - выходная проводимость при разомкнутом по переменному току входе (/i- 0). Обычно /i-параметры измеряют при включениях транэ*исторов ОБ или ОЭ. Связь между Л-параметрами для разных схем включения определяется формулами 126-13223/(1 +/1213); 2и= 1/(Ч Й12э); 21б~-21э/(1 + Й21э): 2IK~-(1 +Цэ)Г 226 ~ 22э/(1 + 21) ; 22к ~ 22v Для наиболее часто используемых параметров (коэффициент передачи тока лри включении с ОБ иОЭ) введены оссбые обозначения: ftg] = -ct; /igjj ~ p. Зависимость между ct и определяется выражением р = а/(] -а). Так как малосигнальные параметры измеряют на низкой частоте (в основном 270 и 1000 Гц), их можно считать действительными величинами. Система у-параметров используется преимущественно ра высоких частотах. По способу определения у-параметры являются параметрами короткого замыкания по переменному току на входе или выходе, что вытекает нз уравнений h = yni + У12-2\ /2 = Уи\ + У2г2.- Все г-параметры лмеют определенный физический смысл:tfii = = hlUi - входная проводимость при короткозамкнутом выходе (f/y- 0); ~ hU2 - обратная взаимиая проводимость при ко-роткозамкнутом входе {i = 0); У1\ = -прямая взаимная проводимость (крутизна) при короткоэамкнутом выходе; Уч = = IiU.,-выходная проводимость при йороткозамкнутом входе. Связь меЖду h- и -параметрами выражается формулами 11=1/Уп; У11 = 1/Л1,; 21 = yzi/yii\ У21 - hziShix, 22 ~ Уз2 -УпуиУ 11, У22 = fn ~izi!ix- Обышо в справочниках приводятся Л-параметры при включении транзистора с ОБ, По этп.ч параметрам можно Тэпределгггь -параметры при включении с ОЭ: У1ь = (I -2i6)/il6; У]2э = 22о -ieC - 2i6)ii6; г/21э = = Л22б/Йцб; У22э = 226 + 12б21бПб- Если вместо Л216 справочнике приведено А.,- то следует восполь-зиваться форОлой /ijlfils/C +г1э)- Матосигнальные параметры транзистора записят от схемы его включения, режима работы, температуры и частоты. Так, параметр /( прямо пропорционален, а Лц - обратно пропорционален току коллектора, Это необходимо учитывать, если режим работы трап-анстора отличается от режима измерения параметров. Вмсокочастогны параметры характеризуют транзисторы на высоких частотах. Граничная частота по определенному параметру - это частота, вышекоторой транзистор не может быть использован как усилительпыйэлемент- Граничная частота коэффициента передачи тока при включении с общим эмиттером Д,р - частота, пр[[ которой модуль коэффициента передачи тока при включении с общим эмиттером равен единице. Предельная частота по определенному параметру - частота, при которой этот параметр уменьшился на определенную величину (обычно 3 дБ) по сравнению с первоначальным (низкочастотным). Предельная частота йередачи тока при включении с ОБ /ftjg - частота, при которой модуль коэффициента передачи тока меньше на 3 дБ по сравнению со значением на низкой частоте, Предельная частота по крутизне характеристики fg- частота, при которой модуль крутизны проходной характеристики прн включении с ОЭ меньше на 3 дБ по сравнению с его значением на низкой частоте. Максимальная частота генерации -наибольшая частота, при которой транзистор способен генерировать в автогенераторе. Емкость коллекторного перехода Cj - емкость между выводами балы и коллектора прн заданных обратном напряясении эмиттер - база и режиме эмиттерной цепи. Емкость С, в первом приближении является функцией напряжения на коллекторе V ~ К КЭ/КЭ К справ где Cj j.j,pj,g - емкость коллекторного перехода, приведенная в справочнике для определенного jg. Сопротивление базы Tg- - сопротивление .между выводом базы и переходом база -эмиттер. На дистаточно высокой частоте гр, = Постоянная времени обратной связи на высокой частоте Tj - произведение сопротивления базы на емкость коллекторного перехода (т = гС). Эта величина используется при расчетах -параметров на высоких частотах. В справочных данных приводятся С, /ъ -К измеренные при определенном режиме. Высокочастотные параметры транзистора связаны между собой определенными зависимостями. Так, /п1вх~ 3-ьная частота генерации, МГц; /р--граничная частота коэффициента передачи тока прн включении с ОЭ, МГц;
ООО «Мягкий Дом» - это Отечественный производитель мебели. Наша профильная продукция - это диваны еврокнижка. Каждый диван можем изготовить в соответствии с Вашими пожеланияи (размер, ткань и материал). Осуществляем бесплатную доставку и сборку. Звоните! Ежедневно! (926)274-88-54 Продажа и изготовление мебели. Копирование контента сайта запрещено. Авторские права защищаются адвокатской коллегией г. Москвы. |