(926)274-88-54
Бесплатная доставка.
Бесплатная сборка.
График работы:
Ежедневно. С 8-00 до 20-00.
Почта: soft_hous@mail.ru
|
|
Звоните! (926)274-88-54 Бесплатная доставка. Бесплатная сборка. |
Ассортимент тканей График работы: Ежедневно. С 8-00 до 20-00. Почта: soft_hous@mail.ru |
  
|
Читальный зал --> Обмоточные провода высокого сопротивления можно получить ту или иную систему уравнений, етшсывающих четырехполюсник. Если за независимые переменные приняты токи (сисема г-параметров), та уравнения четырехполюсника имеют вид: где Zji и Z22- входное и выходное полные сопротивления при разомкну, том выходе и входе соответственно, и Zg, - обратное и прямое полные передаточные сопротивления при разомкнутом входе и выходе соответственно. Если за независимые переменные принять ЕЕапряжения (система у-параметров), то Рвс. VIII. 16. Эививалентиая транзистора с общей базой. схема где Й1 и 1/22 - входная и выходная проБодимостн при корот-козамкнутом выходе и входе соответственно; и - обратная и прямая передаточные про- водимости при короткозамкиутом входе и выходе соответственно. Если за независимые переменные выбираются входной ток и выходное напряжение (система h-параметров), то где и Аз - входное сопротивление и выходная проводимость при закороченном выходе и разомкнутом входе соответственно; - отношение напряжения на входе к напряжению иа выходе при разомкнутом входе; ftaj - отношение тока на выходе к току на входе при закороченном выходе, При расчете схем с полупроводниковыми триодами применяются все три системы параметров. Система -параметров. На рис.У111.16 приведена Т-образная эквивалентная схема транзистора с общей базой. Эта схема справедлива для области низких частот, так как реактивные элементы в ней не учтены. На рисунке: - прямое сопротивление участка эмиттер - база; - обратное сопротивление участка коллектор - база; гб-сопротивление части кристалла, образующего базу. Сопротивление эквивалентного генератора rj- определяется как отношение э. д. с. эквивалентного генератора бг к току эмиттера ig Характеристические сопротивления в системе г-параметров измеряют в)ежи.ме холостого хода (по переА(ениому току), поэтому ее часто называют системой параметров холостого хода. Для полного описания свойств трай- знстора в области низких частот достаточЕю определить четыре его основных параметра; Входное сопротивление измеряется при разомкнутом выходе (рис. VIIl.IT, и обычно составляет 50-100 аи. Траигистор Транзистор в f Транзистф 1 © Транзистор  Рис. Vin.l7. Схема измерения г-параметров транзистора. Сопротивление обратной связи измеряется прн разомкнутом входе (рис. VIII.17, б) и обычно составляет 50-300 ом. Прямое проходное сопротивление измеряется при разомкнутом выходе (рис. VIII.17 в) и для точечных транзисторов приблизительно равно 30 ком, для плоскостных - 1 Мом н более. Выходное сопротивление Измеряется при разомкнутом входе (рис. VIII.17, г) к дя точеных трагш- зисторов составляет около 30 ком, для плоскостных - I AfoM.  Рис. VI11.18 Эквивалентная П-образная схема транзистора в режиме включения с обшей базой. Соотношение между г-нарачетрамн транзистора и элементами эквивалентной схемы (рис. VIII.16): = + б- Измерять параметры транзистора следует прн определенном режиме по постоянному току, так как их величина зависит от режима работы. На электроды, которые должны быть в процессе измерений разомкнуты по переменному току, пнтагошле напряжения подаются через разделительные дроссели, индуктивное сопротнв. ление которых на применяемой при измерениях частоте в 30-50 раз больше сопротивления той цени транзистора, где требуется создать режим холостого хода. Это условие сравнительно легко осуществить прн исследовании точечных транзисторов. Для плоскостных транзисторов, выхопное сопротивление которых ве.<1ико, создать режим холостого хода весьма затруднительно, Поэтому на практике применяются другие системы параметров транзисторов. Система -параметров. Если транзистор представить в виде П-об-разной эквивзлеитной схемы четырехполюсника (рис. Vlil.IT), то параметры его удобнее всего выразить в виде полных проводимостей у. В отличие от г-параметров у-параметры определяются в режиме короткого замыкания. В области низких частот параметры транзистора будут определяться активной составляющей проводимости. На рис. VUI 18 обозначены активные проводимости -между эмиттером и основа шем; g - между эмиттером и коллектором; g g - между коллектором и базой. Усилительные свойства транзистора отображаются посредством генератора, развивающего ток Свойства транзистора характеризуют такие параметры: Входная проводимость Г = - измеряется при замкнутом выходе (рис. V111.I9. о). Ее величина составляет обычно около 0,025 сим. Проводимость обраткой связи измеряется при закороченном входе (рис. VIII.19, б). Чем меньше эта проводимость, тем слабее паразитная обратаая связь в транзнегоре.
ООО «Мягкий Дом» - это Отечественный производитель мебели. Наша профильная продукция - это диваны еврокнижка. Каждый диван можем изготовить в соответствии с Вашими пожеланияи (размер, ткань и материал). Осуществляем бесплатную доставку и сборку. Звоните! Ежедневно! (926)274-88-54 Продажа и изготовление мебели. Копирование контента сайта запрещено. Авторские права защищаются адвокатской коллегией г. Москвы. |