Звоните! 
 (926)274-88-54 
 Бесплатная доставка. 
 Бесплатная сборка. 
Ассортимент тканей

График работы:
Ежедневно. С 8-00 до 20-00.
Почта: soft_hous@mail.ru
Читальный зал -->  Обмоточные провода высокого сопротивления 

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 [ 118 ] 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186 187 188 189 190 191 192 193 194 195 196 197 198 199 200 201 202 203 204 205 206 207 208 209 210 211 212 213 214 215 216 217 218 219 220 221 222 223 224 225 226 227 228 229

21э

21э

1 +к


-h--o

Рис. VIU.22 Статические характеристики транзистора: 0 - входная для схемы с общее базой; б - выходная для схемы с общей базоЛ: в - выходная 2ЛЯ схемы в общим эмнттерои.

Режим транзистора по параметрам эквивалентных схем можно рассчитывать при малых уровнях сигналов.

На рнс. Vni. 22.0,5 приведены статические характеристики для схемы с общей базой, из которых можно определить Лб-параметры транзистора:

116 ~гг- при i/к = const;

А/к At/к

S /к const]

i/к = const;

const.

Точность определения Авпараметров по этим характеристикам невелика вследствие тесного расположения входных характеристик для различных значений Ск и очень малого угла наклона коллекторных характеристик в схеме с общей базой.

Значительно большую точность можно получить при определении й-парамет-ров, используя более круто идущие характеристики для схемы с общим эмиттером. Схематично эти характеристики показаны на рис. VUI.22, .

\1ъ =

А[/к

При t/к = const;

S = const;

Ск = const;

А/к А[/к

/б = const.



Большое сходство характеристик для схемы с общим эмиттером с характеристиками электронных ламп позволяет в некоторых случаях использовать методы расчета ламповых схем для расчета устройств на транзисторах- Ниже дается связь между ламповыми и параметрами транзистора.

Крутизна

§21-

Внутреннее сопротивление Крутизна характеристики тока б а з бг

Если транзистор работает при больших сигналах, например, в оконечных усилителях низкой частоты, то можно воспользоваться параметрами большого сигнала или графическими методами расчета по статическим характеристикам.

Параметры транзисторов в области высоких частот. В расчетах высокочастотных усилителей на транзисторах обычно пользуются -параметра*

ми для схемы с общим эмиттером, которые в области высоких частот явш-ются комплексными.

Входаая проводимость

Sll3 +

где - активная составляющая входной проводимости на высоких частотах; Xjjg - реактивная состав.чяющая входной ггроводниости; g - входная проводимость на низких частотах (измеряется нли вычисляется на основании табличных данных по формулам стр. 357, 359); f - рабочая часто-та; /5 - граничная частота по крутизне s]i (иа частоте /5 параметр S

уменьшается наЗ йб по отношению к S, измеренному в статическом режиме); связана с граничной частотой усиления по току приводимой

в таблицах, приближенным равенством



362 Эмктронные и ионнш приборы

- распределенное объемное сопротивление базы является пределом, к которому стремятся сопротивление транзистора на достаточно выажнх частотах (приводится в таблицах). Проводимость обратной связи

г12. + -2пгСк

где 12э и -12 - активная н реактивная составляющие проводимости

обратной связи на высоних частотах; з2э ~~ проводимость обраткой связи на низких частотах; Ск - зарядная емкость коллекторного перехода (приводится в таблиоах).

Выходная проводимость

223 +

2 ,

\f-sl

2я/Ск(1 + л;г,2з)-г,2э

§223 22л - активная и реактивная составляющие входаюй проводимости на высоких частотах; -= входная проводимость на низкой частоте.

Проходная проводимость

У21э = 219 + /21:

11 э

ff2.a-

где 21э и *21э активная и реактивная составляющие проходаюй проводимости на высоких частотах; gia ~ проходиая проводимость на низких частотах.

Мод>Ль проходаой проводимости (/gjl представляет крутизну характеристики транзистора по цепи коллектора



1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 [ 118 ] 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186 187 188 189 190 191 192 193 194 195 196 197 198 199 200 201 202 203 204 205 206 207 208 209 210 211 212 213 214 215 216 217 218 219 220 221 222 223 224 225 226 227 228 229



ООО «Мягкий Дом» - это Отечественный производитель мебели. Наша профильная продукция - это диваны еврокнижка. Каждый диван можем изготовить в соответствии с Вашими пожеланияи (размер, ткань и материал). Осуществляем бесплатную доставку и сборку.



Звоните! Ежедневно!
 (926)274-88-54 
Продажа и изготовление мебели.


Копирование контента сайта запрещено.
Авторские права защищаются адвокатской коллегией г. Москвы
.