Звоните! 
 (926)274-88-54 
 Бесплатная доставка. 
 Бесплатная сборка. 
Ассортимент тканей

График работы:
Ежедневно. С 8-00 до 20-00.
Почта: soft_hous@mail.ru
Читальный зал -->  Обмоточные провода высокого сопротивления 

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186 187 188 189 190 191 192 193 194 195 196 197 198 199 200 201 202 203 204 205 206 207 208 209 210 211 212 213 214 215 216 217 218 219 220 221 222 223 224 [ 225 ] 226 227 228 229

Пзредаттт на транзисторах 681


Такая схема антания целя базы широко используется в авхогенераго-рях, где нужно иметь большую крутизну характеристики в начальной рабочей точке, в маломощных каскадах, работающих без отсечки тока коллектора (класс А) либо с большими углами отсечки (в > 90*. где величина

к. п. д. и рассеиваемых мощностей на транзисторе не являются важным показателем

В тех случа ях, когда получение хороших энергетических соотношений я

снижение мощности, рассеиваемой транзистором, является существенным* применяют схему без смещения в цепи базы (Eg == 0) (рис. XI 37). Пра эгом получается к. п д., близкий к

максимальному, упрощается схема, не

требуется дополнительной мощности на питание цепрй смещения, получаются малые обратные напряжения на эмиттерном переходе. Однако режим при]сб = 0 не является наилучшим с точки зрения мощности рассеивания на транзисторе. Если последняя является лимитирующей в использовании транзистора, то следует сделать автоматическое смещение на базу, за счет тока эмиттера. При этом угол отсеч- п vt о-? ки тока колле1стора уменьшается транэистор-

(в <90% к п д. коллекторной цепи генератора с нулевым на-

возрастает и мощность, рассеиваемая РЯжением смещения на базе коллектором уменьшается

Режимы транзисторного генератора. При резко недонапряженном режиме существенно возрастает мощность рассеивания на коллекторе и падает к. п. д. коллекторной цепи по сравнению с граничным режимом. В перенапряженном режиме (с большим током базы, соизмеримым с током Коллектора), резко растет мощность рассеивания на базе, что увеличивает мощность, рассеиваемую транзистором, и растет мощность возбуждения транзистора за счет pocia тока базы, что уменьшает коэффициент усиления каскада. Кроме того, в перенапряженном режиме ухудшается форма напряжения на нагрузке в связи с тем, что интенсивность высших гармоник в цепи коллисгора получается большая (за ест искажения формы импульсов тока), а фильтрующая способность контуров при малом Яэ обычно плохая. В результате вышеизложенного в транзисторных генераторах желательно иметь режим граничный, либо весьма близкий к нему Режимы недо на пряжен ный и перенапряженный - нежелательны

Схемы промежуточных и выходных ступеней транзисторных передатчиков строятся по тем же принципам, что и ламповых (см. стр 646-651).Следует однако заметить, что в связи с необходимостью более тщательного подбора режима транзисторных передатчиков в межкэскадных связях и в связях выходной ступени с нагрузкой широко применяется трансформаторная схема, дающая возможность легко подобрать оптимальную связь. Реже применяется автотрансформаторная схема Емкостные свя?и в современных схемах встречаются редко, в основном, из-эа трудности регулировки святи. Тем не менее с ростом мощностей транзисторных передатчиков и повышением требования к фильтрации гармоник появилась тенденция к применению емкостных связей, которые дают хорошую фильтрацию высших гармоник н уменьшают склонность усилительных каскадов к самовозбуждению.



Задающие генераторы ка транзисторах рексшендуетсн строить по схеме с емкостной обратной связью (рис. Х!,36). При такой схеме получается высокая стабильность частоты автогенератора. Это , объясняется тем, что в схеме с емко-

л стной обратной связью меньше влия-

ет инерция носителей тока в транзисторе иа стабильность частоты. Кроме того, при емкостных связях ослабляются дестабилизирующие действия высших гармонических и изменения тока базы. Широко используется схема Клаппа (рнс. XI.38). В этой схеме Mcw(HO получить хорошую стабильность частоты за счет высокой добротности контура. Вместе с тем, коэффициент связи цепи коллектора с контуром получается малым, что обеспечивает малое значение эквивалентного сопротивления нагрузки транзистора /?=гр и создает условия при которых изменение параметров транзистора (например, за счет изменения температуры) будут мало влиять на частоту автогенератора.

Автогенераторы с кварцевой стабилизацией частоты могут строиться либо ло осцилляторным схемам, либо по схемам, где кварц используется как элемент обратной связи.

В осцнлляторных схемах с общим эмиттером кварц включают обычно между базой и коллектором транзистора (рис. XI,39). При таком включе-


Рнс, XI.38. Автогенератор по схеме Клаппа.

Рис. XI.39. Осциллнторная ся:€ма автогенератора.


Рнс. XI.40. Автогенератор с кварцем в цепи обратной связи.

НИН получаются наилучшие условия работы кварцевого резонатора, так как он наименьшим образом будет шунтирован транзистором. Схемы, где кварцевый резонатор включается между базой и эмиттером и между эмиттером и коллектором, практически не применяются из-за значительного шунтирования кварцевого резонатора эле.чентамн схемы и транзистором. В схеме рис. Х1,39 последовательно с кварцем включен конденсатор Ci для подбора связи кварцевого резонатора с контуром. Резисторы R-iRi и резне-



SSB возбудитель на транзисторах 683

тор автосмещения /?2 обеспечивают необходимое положение рабочей точки на характеристике транзистора. Полупеременный конденсатор Сд, включенный параллельно кварцу, служит для точной подгонки генерируемой часто-ты.Схема на рис, XI.39 работает вблизи частоты параллельного резонанса пьезокварцевого резонатора.

На схеме рис. XI.40 кварцевый резонатор включен в цепь обратной связн. Схема работает на частоте последовательного резонанса пьезокварцевого резонатора. На этой частоте сопротивление кварца резко уменьшается, все напряжение обратной связи оказывается приложенным к цепи база-эмртттер транзистора, что приводит к самовозбуждению схе ы. Вдали от резонанса кварца последний представляет значительное сопротивление, включенное последовательно с базой, при этом напряжение на базе окажется меньше необходимого для самовозбуждения.

§ is. SSB возбудитель на транзисторах

Возбудн1-ель работает в диапазоне 28,3-29,3 Мгц. Блок-схема возбудителя приведена иа рис. XI.4I, а принципиальная схема - на рис. XI.42 [4].

Опорный генератор собран на транзисторе П403 (Т) по осцилляторной схеме с кварцем между базой н коллектором. Частота генератора - 500 кгц.

А.-А

ml h

9fl Т..

Рис. XI.41. Блок-схема SSB возбудителя: ОГ - опорпыН генератор; ЭП - эмиттерный повторитель; Б М -~ балансный модулятор; ЭМФ - электромеханический фильтр; СМ - смеситель; УИЧ - усйлит ль низкой частоты; ГПД - генератор плавного диапазона! г - генератор; М - микрофон.

Через эмиттерный повторитель на транзисторе П403 (Гд), служащий раз вязкой между опорным генератором и остальными цепямн, напряжение частотой 500 кгц поступает на балансный модулятор. Последний собран на диодах Д2Е (Л] ~ Л4). Диоды в балансном модуляторе подбирают с одинаковыми прямыми сопротивлениями. Их обратнЕе сопротивления выравнивают подбором шунтирующих резисторов Rti - 14-

Одновременно с опорным напряжением, на балансный модулятор подается напряжение звуковой частУ1Ты с выхода трех каскадного усилители низкой частоты, собранного на транзисторах П13 (Т3), ПЮ (Тд) и П14 (Т5). На выходе балансного модулятора получается двухполосный сигнал с подавленной несущей. Через согласующий трансформатор (Li, L3) этот сигнал



1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186 187 188 189 190 191 192 193 194 195 196 197 198 199 200 201 202 203 204 205 206 207 208 209 210 211 212 213 214 215 216 217 218 219 220 221 222 223 224 [ 225 ] 226 227 228 229



ООО «Мягкий Дом» - это Отечественный производитель мебели. Наша профильная продукция - это диваны еврокнижка. Каждый диван можем изготовить в соответствии с Вашими пожеланияи (размер, ткань и материал). Осуществляем бесплатную доставку и сборку.



Звоните! Ежедневно!
 (926)274-88-54 
Продажа и изготовление мебели.


Копирование контента сайта запрещено.
Авторские права защищаются адвокатской коллегией г. Москвы
.