(926)274-88-54
Бесплатная доставка.
Бесплатная сборка.
График работы:
Ежедневно. С 8-00 до 20-00.
Почта: soft_hous@mail.ru
|
|
Звоните! (926)274-88-54 Бесплатная доставка. Бесплатная сборка. |
Ассортимент тканей График работы: Ежедневно. С 8-00 до 20-00. Почта: soft_hous@mail.ru |
  
|
Читальный зал --> Обмоточные провода высокого сопротивления Кремниевые переключающие диоды
примечания: Наибольшее значение обратного тока переключения для всех диодов 1 ма. Наибольшее значение тока утечки 100 яма. Наибольшее значение тока Вплючення для диодов Д227 5 ма, для диодов Д32Я I ма. Наибольшее значение тока выключемкя 15 ма. Наибольшее значение тока включения в штульсе длительностью 10 мксек (при среднем токе через диод ве более 20Q ма) 2 а, наибольшее значение тока выключения в тех же услоииях Ю а. Наибольшее значение обратного напряжения - 10 . Наибольшее эиаченне остаточвога напряжения 1,5 (для диодов Д227 при токе через диод 200 ма, для диодов Д228 прн токе 50 ма). Наибольшее аначенке враыеяи включения длн диодон Д227 0.5 мксек, для диодов да2в 0,1 мксек. Наибольшее значе-ние воемсш выключения для диодов Д227 18 мксек, для диодов Д223 5 мксек. Наибольшее значение емкости диода у Д227 100 пф, у Д?28 80 пф. Двапэзон рабочих темле--50 до -flOOC. Конструктивное выполнение аналоричко диодам Д302-Дао5 ратур ог сы. табл. Vin,25).  Таблица VIII.33 Кремниевые стабилитроны <) Наибольшее внутреннее (динамическое) сопротивление, ом g.4 с- 01 о сэ б X =i Д808 Д809 Д810 7-8,5 8-9,5 9-10,5 1-33 1-29 1-26 6 10 12 18 25 10 10 280 280 Продолжение табл. VIIIM
I в схемах стабилизации подключаются к источнику полярностью, обратной по отношению к обозначенной на корпусе стабилитрона, допускается лоследоввтельное Включение в любом количестве. М При увеличении температуры окружающей среды выше 50 С допустимая рассеиваемая мощность снижается на 2,8 мет на каждый градус, ) На рабочем участке характеристики. Транзист(фЫ представляют собой полупроводниковые приборы с двумя р-и-перехода.чн. В простейшем случае транзистор (рис. VIII. 12) состоит из кристалла германия Г и даух остриев Э и К. касающихся поверхности кристалла иа расстоянии 20-60 мк одно от другого. Каждое острие образует с кристаллом Г обычный выпрямительный контакт с прямой проводимостью от острия к кристаллу. Если между электродом Э, называе-**Ь1\) эмиттером, и базой Б подать напряжение прямой полярности, а меж--У электродом /С, называемым коллектором, н базой Б - обратной полярно-  Рнс. VIIl.12. Схема, поясняющая принцип работы транзистора стй то, оказывается, что величнна тока коллектора /к ( обратного ) нахо-днтся в прямой зависимости от величины тока эмиттера Z. Поскольку напряжение на эмнггер подано в прямой полярности, а на коллектор - в обратной, то внутреннее сопротивление в цепи эмиттера оказывается значительно меньшим, чем сопротивление в цепи коллектора, поэтому,несмотря на то, что токи эмиттера U и коллектора незначительно отличаются один от другого, удается получить бачьшое усиление по мощности (порядка 100-1000). Если включись в цепь коллектора нагрузочное сопротивле-ние Ra величиной несколько десятков кнлоом, а на эчиттер подать переменное напряжение, то напряжение, развивающееся на сопротивлении /?н. окажется значнт&,1ьио большим напряжения, приложенного к эмиттеру. Так же как и дноды, транзисторы могут быть точечными н плос костными. Однако точечныетранзи сторы в настоящее время уже полностью вытеснены плоскостными, характер изугощнмпся большей стойкостью к внешним воздействиям, меньшим уровнем шумов, более высоким коэффициентом усиления, большей мощностью и т. д. Плоскостный транзистор состоит из кристалла полупроводника (гер мания, кремния и др,). имеющего три слоя с различной проводимостью р к п Проводимость типа р создается избыточными носителями положи-телыгых зарядов, так называемыми дырками , образующими- ся вследствие недостатка электронов в счое. В слое типа п проводимость осуществляется избыточными электронами. Таким образом, возможны два типа плоскостных транзисторов: р-ПР, в котором два слоя типа р (например, германия) разделены слоем типа л (рис. VI I.I3), п-р-п, в котором два слоя типа п разделены слоем типа р. Толщина среднего слоя обычно очень мала (приблизителы!о 0.25 мк). В зависимости от сочетаний величин и знаков напряжений на эмнт-терном (Уэ и коллекторном f/ переходах транзистор может работать в об ласти отсечки, активной области и области насыщения. Область отсечки характеризуется обратным смещением на обоих переходах (оба перехода заперты), активная область - прямым смещением на одном переходе и <Лратаым на другом и область насыщения - прямым смещением на обоях п?еходах (оба перехода инъектаруют носители в базу). Кроме того, с различными сочетаниями напряжений транзистор может работать в прямом (нормальном) и в обратном (инверсном) включениях. В последнем случае эмиттер сэужит коллектороы. а коллектор - эмиттером, В зависимости от того, какой электрод транзистора является дня нс- изобра- Рис. VIII.13. Схематическое жение транзистора: а - схема конструкции; б - схема вклю чения транзистора типа р-п р.
ООО «Мягкий Дом» - это Отечественный производитель мебели. Наша профильная продукция - это диваны еврокнижка. Каждый диван можем изготовить в соответствии с Вашими пожеланияи (размер, ткань и материал). Осуществляем бесплатную доставку и сборку. Звоните! Ежедневно! (926)274-88-54 Продажа и изготовление мебели. Копирование контента сайта запрещено. Авторские права защищаются адвокатской коллегией г. Москвы. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||