Звоните! 
 (926)274-88-54 
 Бесплатная доставка. 
 Бесплатная сборка. 
Ассортимент тканей

График работы:
Ежедневно. С 8-00 до 20-00.
Почта: soft_hous@mail.ru
Читальный зал -->  Обмоточные провода высокого сопротивления 

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 [ 119 ] 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186 187 188 189 190 191 192 193 194 195 196 197 198 199 200 201 202 203 204 205 206 207 208 209 210 211 212 213 214 215 216 217 218 219 220 221 222 223 224 225 226 227 228 229

Подупроводникоше приборы s63

Параметры транзисторов, приводимые в таблицах: - входное сопротивление, ом; Ли - коэффициент обратной связи по напряжению;

- коэффициент усиления по току; Аз - выходная проводимость, мксим (в зависимости от схемы включения смешанные параметры Лц, his* hj, Нзз снабжаются индексами б , з> нли к ); Оо и а - коэф-циенты усиления по току в схеме с общей базой для низких и высоких частот соответственно, а = -/ij]; fo - то же, для схемы с общим

эмиттером, р = Ajj; - распределенное объемное сопротивление базы, ом; Сх н Сэ - зарядные емкости коллекторного и эмиттерного переходов* пф: qCk - постоянная времени коллекторной цепи, нсек; -коэф4ж-цнент шума, дб; /р - граничные частоты усилении по току в схеме с общей базой и общим эмиттером соответственно, при этих частотах аир падают до 0,7 от о, и ро. /р - О,?/ (1-0,);

fj. - максимальная частота самовозбуждения автогенератора на транзисторе,

fs - граничная частота усилевия по крутизне, при которой крутизна Sg падает до 0,75,

t .- fa .

Uk - напряжение на коллекторном переходе, в; f/ g и U =- напряжения иа коллекторе и эмиттере в схеме с обшей базой, e;UB U g - напр яжения на коллекторе и базе в схеме с общим эмиттером, в; Д£/к - падение напряжения иа полностью открытом транзисторе, в; t/g.o -максимальное обратное напряжение коллектор- эмиттер при разомкнутой цепи базы /б = 0; Со - максимальное обратное иапряженне межед эмиттером и базой при разомкнутой цепи коллектора 0); /9 и - полные токи эмиттера и коллектора, а; /ко - начальный (температурный) ток коллектора при отключенном эмиттере (/э = 0); ~ сквозной ток коллектора прн отключенном выводе базы (/б = 0); /д - начальный ток коллектора при закороченных выводах базы и эмиттера (Vf = 0); / - ток обратно смещенного коллекторного перехода при запертом эмиттерном переходе, ма; /g (j - начальный температурный txjk обратгго смещенного эмиттерного перехода при отключенном выводе коллектора (/н ~ 0); Риакс - максимальная мощность, рассеиваемая транзистором, вт; В - коэффициент усиления со току при постоянном или импульсном токе (на большом сигнале),

и 5к - крутизна переходной характеристики - тангенс угла наклона примой, касательной к линейному участку характеристики - соответственно на высокой и низкой частоте, а/в; Тф н Тс - длительность фронта



нарастания и спада импульса тока коллектора, сек;х - время переключения (принимаетсябольшеетхфиТс),сек;Тр - время рассасывания неосновных носителей (время задержки) импульса тока коллектора после приложения запирающего импульса к эмиттерному переходу, сек; Rl - сопротивление насыщения (котангенс угла наклона к оси абсцисс начального участка выходной вольт-амперной характеристики транзистора), ом.

Маркировка транзисторов производится в соответствии с ГОСТ 5461-59

и 10862-64.

Согласно ГОСТ 5461-59 условные обозначения транзисторов состо- ят кз трех элементов.

Первый элемент - буква П или МП (для транзисторов а--холодносварном корпусе).

Второй элемент - число, характеризующее электрические свойства прибора:

Транзисторы низкочастотные (f < 5 Мгц) малой мощности (Р 0,25 вт)

германиевые .................. I-100

кремниевые ...................101-200

большой мощности {Р > 0,25 вт)

германиевые ................... 201-300

кремниевые ................... 301-400

Транзисторы высокочастотна > 5 Мгц) малой .мощности {Р 0,25 вт)

германиевые ................... 401-500

кремн иевые ................... 501 -600

большой мощности (Р > 0,25 вт)

германиевые................... 601-700

кремниевые................... 701-800

Третий элемент*- буква, указывающая разновидность прибора.

Согласно ГОСТ 10862-64 маркировка транзисторов состоит из четырех элементов.

Первый элемент - буква или илфра, обозначающая исходный материал: Г или 1 - германий, К или 2 - кремний, А или 3 - арсенид галлия.

Второй элемент - буква Т.

Третий элемент - число, характеризующее назначение или электрические свойства прибора: Транзисторы малой мощности:

низкой частоты .................101-199

средней ................... 201-299

высокой ................... 301-399

Транзисторы средней мощности:

низкой частоты ................. 401-499

средней ................... 501-599

высокой ................... 601-699



Полупров(0никоше приборы 365

Транзисторы большой мощности:

низкой частоты .................. 701-799

средней ..................801- 99

высокой .................. 901-999

Четвертый элемент - буква указывающая разновидность 1па из данной группы приборов.

Пример. Обозначение ГТ313Б означает: германиевый транзистор*

малой мощности, высокочастотный, разновидность Б.

§ ё-Щ

Рис. VIII.23. Полярность подключения источников питания для транзисторов; а - тнпа р-я-р в схеме с общей базой; 6 - типа р-л-р в схеме с общин эмиттером; в - типа п-р-п в схеме о общей базой; г - тьпа п-р-п в схеме с общим эмиттером.

Параметры транзисторов, разработанных до 1964 г., приведены в табл, V11I.35-Vni.42, параметры новых транзисторов даны в табл. VUI.43-Vin.45.

Во все.\ таблицах указаны абсолютные значения напряжений на электродах транзисторов. Полярности напряжений в зависимости от типа транзистора и схемы его включения, определяются согласно рис. VIII.23.

Указания по эксплуатации полупроводниковых приборов. Не следует превышать предельно допустимые значения напряжений, токов и мощности, рассеиваемой коллектором, во всех статических, динамических н неустановившихся режимах (например, при переключениях). Даже кратковременная перегрузка транзистора приводит к перегреву контактов и ухудшению его параметров. При включении первым необходимо соединять контакт базы.

Кристаллические приборы к е должны размещаться вблизи нагревающихся деталей. Желате.чьио иметь хороший теплоотвод от корпуса прибора. Пайка н изгиб выводов плоскостных транзисторов и днодов допускается на расстоянии не менее 10 жж от корпуса. Для пайки применяется припой с температурой плавления не свьпие 150 С.



1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 [ 119 ] 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186 187 188 189 190 191 192 193 194 195 196 197 198 199 200 201 202 203 204 205 206 207 208 209 210 211 212 213 214 215 216 217 218 219 220 221 222 223 224 225 226 227 228 229



ООО «Мягкий Дом» - это Отечественный производитель мебели. Наша профильная продукция - это диваны еврокнижка. Каждый диван можем изготовить в соответствии с Вашими пожеланияи (размер, ткань и материал). Осуществляем бесплатную доставку и сборку.



Звоните! Ежедневно!
 (926)274-88-54 
Продажа и изготовление мебели.


Копирование контента сайта запрещено.
Авторские права защищаются адвокатской коллегией г. Москвы
.