Звоните! (926)274-88-54 Бесплатная доставка. Бесплатная сборка. |
Ассортимент тканей График работы: Ежедневно. С 8-00 до 20-00. Почта: soft_hous@mail.ru |
|
(926)274-88-54 ГлавнаяИнтернет-магазинТкани в наличииМягкая мебельДиваны еврокнижка
Диван-кровать
Диван книжка
Кожаные диваны
Угловые диваны
Кресло-кровать
Недорогие диваны
Кресла
Диваны с фабрики
Кожаная мебель
Производство
Недорогая мебель
Как купитьЗаказ мебелиМебель для домаКухниШкафы купеОфисная мебельШкольная мебельПродажа мебели
Карта сайта
Вакансии
Схема проезда
(926)274-88-54
|
Читальный зал --> Малогабаритная радиоаппаратура (свойства) При плотной компоновке элементов внутри аппаратуры или больших мощностях рассеивапня в приборе применение радиаторов, расположенных внутри блока, становит(;я малоэффективным, В том случае целесообразно располагать Мощные транзисторы не-(осредствеино на корпусе прибора или на специальных радиаторах, контактирующих с внешней средой, При креплении транзисторов к радиатору необходимо обеспечить надежный тепловой контакт. Контактирующая с транзисто-ром поверхность радиатора должна иметь хорошую плоскостность, не иметь заусениц или царапин. Для каждого вывода транзистора следует просверливать отдельное отверстие минимального диаметра. Крепление транзистора к радиатору должно производиться с использованием всех предусмотренных средств (болты, фланцы, резьбовые отверстия). Для электрической изоляции транзистора от радиатора можно использовать прокладки из слюды, фторопластовой пленки толщиной в несколько десятков микрон, металлоке-рамические прокладки, а также радиаторы с глубоким анодированием Во всех случаях необходимо стремиться к электрической изоляции радиатора от корпуса прибора, а не к изоляции транзистора от радиатора. Если в семе используется нескоД1гко транзисторов, включенных параллельно, необходимо обеспечить хороший тепловой кон- 5акт между ними. То.,т!ько в этом случае тепловой режим приборов удет устойчивым и идентичным. Располагать такие транзисторы необходимо на общем теплоотводе. В противном случае перегрев одного из транзисторов приведет к увеличению мощности, рассеиваемой этим прибором за счет уменьшения нагрузки на остальных. Правила установки и включения транзисторов, 1. Крепле[[ие транзисторов производить за корпус (мощные транзисторы крепить прн помощи предусмотренных конструкций средств: болтов, специальных фланцев). 2. Изгиб выводов производить на расстоянии не менее 10 мм от корпуса (если нет других указании). Изгиб жестких выводов мощных транзисторов запрещается. 3. Не располагать транзисторы вблизи 5лементов с большим тепловыделением (мощных электронных ламп, силовых трансформаторов и I. д.). 4. Не устанавливать транзисторы в сильных магнитных полях как гшстоянных, так и переменных. 5 Пайку производигь ие ближе Ю мм от корпуса транзистора. Необходимо обеспечить теплоотвод между местом панки и корпусом. Время пайки должно быть минимальным (2-3 с). Следует применять низкотемпературные припои. Температура припоя не должна превышать 260° С (например, припой ПОС-40). 6. Выводы базы включать в схему первыми и отключать последними. Запрещается подавать напряжение на транзистор с отключенной базой, 7. Замену транзисторов в схеме производить только при выключенных источниках питания § 3. Полевые транзисторы Полевые транзпсюры - универсальные активные приборы, применяемые в широком классе радиоэлектронных устройств. Существует две разновидности полевых транзисторов: полевые тран- 8* 22Г зисторы с р-п-переходом и полевые транзисторы с изолированным затвором (МОП транзисторы). Работа полевых транзисторов основана на движении основных носителей в полупроводнвке. Управленве током в выходной дбни осуществляется управляющим напряженяем, поэтому нх усилительные свойства, как н у электронных ламп, характерязуются крутизной. Полевой транзистор состоит из полупроводникового стержня (канала) с омическим выводом от каждого конца. На поверхности канала с противоположных сторон формируется р~-л-переход таким образом, чтобы он был параллелен направлению тока. Вывод, от которого носители начинают свой путь (положительный дли р-канала и отрицательный дли п-канала), называется истоком, противоположный вывод, к которому приходят носятели, называется стоком. Третий вывод ог р-л-перехода называется затвором. Электрическое поле, создаваемое затвором, изменяет плотность носителей зарядов в канале, т. е. изменяет величину протекающего тока. Так как управление пронсходит через обратно смещенный р-л-переход, сопротивление между каналом и управляющим электродом велико, а ток затвора мал. В полевых транзисторах с МОП-структурой затвор отделен от канала тонким изолирующим слоем. При очень тонком изолирующем слое проникновение поля в канал не затрудняется, а ток затвора при этом значительно уменьшается и не зависит от полярности приложенного к затвору напряжения (в отличие от полевых транзисторов с р-ft-переходом). Каналы полевых транзисторов с МОП-структурой по физическим свойствам разделяются па встроенные (обедненного типа) и видуцированные (обогащенного типа). По встроенному каналу течет ток в отсутствие напряжения на затворе, если приложить напряжение между стоком и истоком. Это так называемый начальный ток стока. Величиной тока стока можно управлять, изменяя величину и полярность напряжения между затвором и истоком. При некотором положительном напряжении затвор - исток транзистора с р-каиалом илн отрицательном транзистора с п-каналом ток в цепи стока прекращается. В полевом транзисторе с индуцированньш каналом прн отсутствии напряжения на затворе ток между стоком я истоком очень мал. Прн подаче на затвор транзистора с р-каналом отрицательного напряжения (положительного длн транзистора Q п-каналом) по отношению к истоку ток между стоком и истоком увеличи вается. Полевой транзистор в качестве элемента схемы представляет собой активный несимметричный четырехполюсник, у которого один из зажимов является общнм для цепей входа и выхода. В зависимости от того, какой из электродов полевого транзнстора подключен к общему выводу, различают схемы: с общим истоком и входом на затвор; с общим стоком и входом на затвор} с общнм затвором и входом на исток. Варианты схем включения полевого транзистора показаны иа рис. IV.38. По аналогии с ламповой электроникой, где за типовую принята схема с общим катодом, для полевых транзисторов типовой является схема с общим истоком, и характеристики элементов четырех- полюсиика удобней всего определять в системе проводйностеб, или -параметров. В общем виде уравйеиня четырехполюсника ш системе у-параметров записываются так: I. h ff-p-i гЯ-?г /у-4=;~ j-3--az fflf-p, p?-02 1 L©! -©i 1 I J J-*г ТЯ I £j-- z 10- 1-иг Рис. IV.38. Схема включении полевых транзисторов: в - с общим истоком; б - с общим стоком; о - с общим затвором Истк 5Щи Итак Рис. IV.39. Эквивалеигиая схема полевого транзистора. где 1у, /д, £2 - соответственно малые прЕащеиия токов н напряжений на входе и выходе четырехполюсника. Эквивалентная схема полевого транзистора, элементы которой выражены через (/-параметры, приведена иа рнс. IV.39. При таком подключении каждая из проводимостей имеет физический смысл. Входиаи проводимость определяется проводимостью участка затвор - исток Уш = Уг\ + la- Выходная проводимость определ яется проводимостью участка сток - исток Функция прямой пере-дачя определяется крутизной вольтампернои характеристики 5 = Sal - Ух%- Функция обратной передачи определяется проходной проводимостью у = у-. Эти параметр ы пр ивима ются за первичи ые па раметр ы пол е-вого транзистора, используемого в качестве четырехполюсника. Еслн первичные параметры четырехполюсника для схемы с общим истоком определены, то можно произвести расчет параметров для любой лугой схемы включения полевого транзистора. Вольтамперные характеристики полевого транзистора содержат в себе информацию о его свойствах во всех режимах работы и о связях параметров между собой. По вольтаиперным характеристикам можно определить ряд параметров, не приводимых в справочной литературе, а также произвести расчеты цепей смещения, стабилизацию режима, оценку работы транзистора в широком диапазоне токов и напряжений. Обычно используют два семейства статических вольтамперных характеристик: сток-затворные (переходные) и стоковые (выходные).
ООО «Мягкий Дом» - это Отечественный производитель мебели. Наша профильная продукция - это диваны еврокнижка. Каждый диван можем изготовить в соответствии с Вашими пожеланияи (размер, ткань и материал). Осуществляем бесплатную доставку и сборку. Звоните! Ежедневно! (926)274-88-54 Продажа и изготовление мебели. Копирование контента сайта запрещено. Авторские права защищаются адвокатской коллегией г. Москвы. |