Читальный зал -->  Малогабаритная радиоаппаратура (свойства) 

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 [ 175 ] 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186

Продолжение ma6i XII/S

	1ТМ-115Б	ITM П5В	ITM-115 Г	ITM-305A	ITM 305Б	1ТМЭ05В
	50/50	50/70	50/70			4/15
	50/SO	50/50	50/50	30/1,5	30/1,6	ДО/1,5
	50-150	20-60	50-150	25-80	60-180	40-120
	Г. II
		-L85

p-п-л германий

{ 4. Интегральные микросхемы

Интегральные микросхемы, или просто микросхемы,-это микро.

электронные модули, в которых группы элементов выполняются по полупроводниковой, пленочной илн любой другой технологии на поверхности или в объеме твердых оснований (подложек), В ий-тегральных микросхемах комплекс отдельных конструктивно законченных детален, входящих в данную схему, заменяется группой элементов выполненных неразъемно на поверхности или в объеме материала основания. Это резко увеличивает плотность монтажа и позволяет значительно упросгить конструкцию радиоэлектронного узла В зависимости от применяемой технологии изготовления микросхемы делятся на два основных вида: полупроводниковые, гибридные.

Интегральная полупроводниковая микросхема - микросхема, все элементы которой выполнены на поверхности или в объеме подложки из полупроводникового материала

Гибридная интегральная микросхема - это микросхема, в которой наряду с элементами, неразъемно связанными с поверхностью или в объеме подложки используются навесные микроминиатюрные элементы, которыми, как правило, являются полу-проводииковые приборы.

В гибридной полупроводниковой (совмеш,енной) микросхеме навесными элементами являются резисторы и конденсаторы, выполненные на поверхности полупроводника методами пленочной технологии. Гибридные интегральные микросхемы в зависимости от толщины пленок и методов их нанесения на поверхность диэлектрической подложки делятся на тон ко пленочные (до 1 мкм) и тол-стопленочыые (более 1 мкм) Использование тонких пленок 1юзво-ляет создавать пассивные элементы с более широким диапазоном значении параметров и достигать большей плотности монтажа. Пассивные элементы гонкопленочных гибридных интегральных микросхем наносят на подложку преимущественно методами термо-иакуумЕюго осаждеЕ[ИЯ и катодного распыления.

Пассивные элементы толстопленочных интегральных микросхем изготавливают с помощью шелкографни. используя пасты с высоким удельным сопротивлением flociie нанесения паста вжигается в подложку Применение толстых пленок дает возможность изготавливать резисторы, способные рзссеивать большую мощность

Как полупроводниковые тлк и i ибридные интегральные микросхемы по степени интеграции (по суммарному количеству входящих в данную микросхему активных и пассивных элементов) подраз-деляют[;я на схемы малой, ср(;дней я большой степени интеграции. К схемам улой стопени иитегрании относятся схемы, содержащие 10-30 элементов: схемы сред1гсй 1~трпеин интеграции содержат 40-150 элементов; схемы, содрржащие больше 150-200 элементов, относят к большим интегральным схемам

По функциональному назначению интегральные .микросхемы делят на два класса: логические (или инфровые) схемы и линейно-импульсные (или аналоговые) схемы Логические схемы используются □ устройствах дискретной обработки информации и системах автоматики, а линейно-импульсные схемы используются для усилителей сигналов низкой и высокой частоты, генераторов, смесителей, детекторов и других устройств, где активные элементы работают в линейном режиме или осуществляю! нелинейные преобразования.

. параметры

Тип прибора		g 1 OS . p l*§ С с etc	Л1 , 41 Or	я< в: ё	о. о		ВЬ 01	- <Q
КД901А КД901Г	5 5 5 5	0,7 0,7 0.7 0.7	30 10 10 10	0,2 0.2 0.2 0.2	20 20 20 20	4 4 4 4	2 3 4	Общий катод
КД902Г КД902Д КД902Ж КДв02И	5 5 5 5 5 5 5 5	0,85 C.8S 0,85 0,85	5 5 5 5 5 5 6 5	0,2 0,2 0.2 0,2 0.2 0,2 0,2 0.2	10 10 10 )0 10	2 2 2 2 2 2 2 3	1 2 3 4 1 2 3 4	Общий анод
КД904Б КД904Е	5 Б S 5 5		10 10 10 10 10	0,2 0,2 0,2 0,2 0.2	10 10 10 10 10 10	2 2 2 2 2 2	2 3 4 3 4	Общвй анод
КД907А КДАОТБ igi907B КД907Г	60 50 50 50	1 1 1 1 *	40 40			4 4 4	2 3 4	Общи* катод

* при примем токе 50 нА

В целях защиты от механических и климатических воздействвй, а также для удобства сборки аппаратуры интегральные микро* схемы помещают в корпусы, которые герметизируют сваркой, пайкой нли склеиванием. Некоторые микросхемы герметизируют путем залнвкн пластмассой. Для использования в гибридных интегральных микросхемах разработаны специальные бескорпусные дноды, диодные матривд и транзисторы. Основные параметры бескорпусных диодов и диодных матриц приведены в табл. XIII. 9, транзисторов - в табл. ХИ1. 10. полевых транзисторов - в табл. аИ1. II. Типы конструкций бескорпусных полупроводниковых приборов приведены на рис. XIII. !5.

Маркировка интегральных микросхем отражает их принадлежность к функциональным классам и группам, а также принадлежность к определенной серии схем. По характеру выполняемых функ-itHU в радноэлектрониой аппаратуре интегральные микросхемы подразделяются на классы (усилители, генераторы, преобразователи) и на группы в пределах каждого класса (например, усилители синусоидальные, импульсные, постоянного тока). Классификация интегральных микросхем по функциональному назначению приведена в табл. ХП1. 12. Серия микросхем объединяет ряд отдельных функциональных схем по их технологическому признаку,

5-43

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 [ 175 ] 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186

ООО «Мягкий Дом» - это Отечественный производитель мебели. Наша профильная продукция - это диваны еврокнижка. Каждый диван можем изготовить в соответствии с Вашими пожеланияи (размер, ткань и материал). Осуществляем бесплатную доставку и сборку.



Звоните! Ежедневно!
 (926)274-88-54 
Продажа и изготовление мебели.

Копирование контента сайта запрещено.
Авторские права защищаются адвокатской коллегией г. Москвы.