Звоните! (926)274-88-54 Бесплатная доставка. Бесплатная сборка. |
Ассортимент тканей График работы: Ежедневно. С 8-00 до 20-00. Почта: soft_hous@mail.ru |
|
(926)274-88-54 ГлавнаяИнтернет-магазинТкани в наличииМягкая мебельДиваны еврокнижка
Диван-кровать
Диван книжка
Кожаные диваны
Угловые диваны
Кресло-кровать
Недорогие диваны
Кресла
Диваны с фабрики
Кожаная мебель
Производство
Недорогая мебель
Как купитьЗаказ мебелиМебель для домаКухниШкафы купеОфисная мебельШкольная мебельПродажа мебели
Карта сайта
Вакансии
Схема проезда
(926)274-88-54
|
Читальный зал --> Малогабаритная радиоаппаратура (свойства) в рабочем диапазоне температур и дрейфа параметров в процессе эксплуатации и хранения. В табл. IV.16 приведены критерии сохранения работоспособности диодов при изменении их параметров. Правильно рассчитанная схема должна оставаться работоспособной прн изменении параметров диодов в указанном интервале. Таблица IV.I6 Критерий сохранения работоспособности диодое при изменении их параметров Параметр Критерий годности <СОХрвН ийн работоспособности) диодов Постоянное прямое напряжение Постоянный обратный ТОК Время восстановления обрвхието сопротивления Напряжение стабилизации Дифференциальное сопротивление пр < 1.51/ р (С) сбр < 5обр W восст * Ьбвоссх и < (с) ± 10% Лд < 1.5/?д (с) Примечая е. Вукяа (с) санпйет сдаточную норну по техлнчесины условием § 2. Транзисторы Классификация. По исходному материалу транзнсторЬ! делят на две основные группы: германиевые и кремниевые. Германиевые транзисторы могут работать в диапазоне температур от -GQ до 70-85 С, иремниевые - от -50 до 120-150° С. По диапазону рабочих частот нх делят на транзисторы низких, средних н высоких частот. По мощности различают классы транзисторов малой, средней и большой мощности. Транзисторы малой мощности могут быть разделены на шесть групп: усилители низких и высоких частот, малошумящие усилители, переключатели насыщенные, ненасыщенные и налотоковые (прерыватели). Транзисторы большой мощности подразделяют иа три группы: усилители, генераторы, переключатели. Каждая группа характеризуется специфическими параметрам . Маркировка. В настоящее время действ>ют старая и новая системы маркировки транзисторов. Обозначение типов транзисторов разработанных до 1964 г.. состоит иэ трех элементов: первый ~ буква П (полупроводниковый триод, транзистор), второй - цифра (порядковый номер разработки в соответствии с табл IV.17), третий - буква, соответствующая разновидности транзисторе дав ного типа. Для модеринзоваиных транзисторов добавляют букву М (в начале). Обозначенне типов транзисторов, разработанных в 1964 г. в позднее, состоит нз четырех элементов: первый - буква или цифра, обозначающая материал, на основе которого выполнен транзистор (Г нли 1 - германий, К или 2 - кремний), второй -буква Т (транзистор) нлн П (полевой транзистор), третий - цифра (порядковый номер разработки в соответствии с табл IV. 18), четвертый - буква, соответствующая разновидности транзистора данного типа. таблица rv.l7 Второй влемтт маркировки транзисторов, разработанных до 1S64 t.
Таблица ]V.I3 Третий эгемнт маркировки транзисторов, разработанных в 1964 а. и позднее
Система обозначения параметров транзисторов. В соответствии с ГОСТом 15172-70 для вновь разрабатываемых транзисторов введена новая система обозначения параметров. Поскольку эта система ие получила еще широкого применения в технической литературе, в настоящем издании справочника сохранена прежняя Рнс, IV. 17. Схеш изыереиня оатиого тока коллекторного перехода. Рис. IV. 18, Схема измерения обратного тока эмнттерного перехода, Рнс. IV. 19. Скема измерения начального тока коллектора. система обозначений. В табл. IV. 19 приведены обозначения основных параметров транзисторов, принятые в справочнике к установленные стандартом. Параметры постоянного тока характеризуют величины неуправляемых токов транзистора, связанных с обратными токами переходов. Обратный ток коллектора /jgQ-ток через обратно смещенный переход коллектор - база при отключенном эмнтере и заданном напряжении на коллекторе рис. IV.17). Обратный ток эмиттера 7,, -ток через обратно смещенный переход эмиттер - база прн отключённом коллекторе и заданном напряжении на эмиттере (рис. IV.IS). Оба тока зависят от температуры, и поэтому нх называют температурными нли неуправляемыми токами. Ниже приведены зависимости обратных токов от температуры переходов: - /25 кб.о кб.о 1 /2Б эб.о эб.о обратные токи коллекторного и эмиттернвго переходов при температуре 25° С; - температура перехода, С; kf - составляет S-9 %/град для германия н 8-12 %/град для кремния. Таб л в а а 1V.I9 Обознаяашя основных параметров транзисторов Наим иояаяие параметра
КаимеяОваявв параметра Обозначение и спрв-вочнн-ке согласно ГОСТу 15172-70 Нйпряжекяе коллектор - базе Напряжение коллектор - эмиттер Напряжение аынт- тер- бяаа Ток коллекторе Ток бааы Обратный той коллектора Обратный ток эмиттера НичальиыИ ток коллектора Ток коллектор запертого транзистора Мощнссть, рассеиваемая и а колле11торе Входное сопротивление я схеме с общей базой Коэффициент обратной связи в схеме с общей базой Коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером Коэффициент передачи тока в схеме с общим змнттсром на большом сигнале Примечание. Для обозначения импульсных индекс М. Например /jif - импульсный ток коллектора. Выходв!<я проводимость 8 схеме с общей базой Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общей базой Предельная чистота коэффициента передачи тока Емкость коллекторного перехода Емкость эмиттерного перехода Постоянная вреиепн kojliektophor цепи Коэффициент шума Температура окружающей среды Температура корпуса Температура перехода Тепловое сопротивление переход - среда Тепловое сопротивление переход - корпус *22б *22*
вввчений, добавл}пот
ООО «Мягкий Дом» - это Отечественный производитель мебели. Наша профильная продукция - это диваны еврокнижка. Каждый диван можем изготовить в соответствии с Вашими пожеланияи (размер, ткань и материал). Осуществляем бесплатную доставку и сборку. Звоните! Ежедневно! (926)274-88-54 Продажа и изготовление мебели. Копирование контента сайта запрещено. Авторские права защищаются адвокатской коллегией г. Москвы. |