Звоните! 
 (926)274-88-54 
 Бесплатная доставка. 
 Бесплатная сборка. 
Ассортимент тканей

График работы:
Ежедневно. С 8-00 до 20-00.
Почта: soft_hous@mail.ru
Читальный зал -->  Малогабаритная радиоаппаратура (свойства) 

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 [ 48 ] 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186

где -напряжение на входе транзистора в схеме с общнм эмиттером.

Крутизна переходной вольтампериой карактеристнки используется для расчета схем с генератором напряжения на входе (например, в мощных усилительных каскадах) и почти не зависит от схемы включения транзистора.

Предельные параме1ры ограничивают область допустимых режимов работы гранзнсторов. Превыщенне предельных параметров приводят к резкому снижению надежностя работы транзисторов.

Максимальная мощность Р , - значение предельной мошностн, рассеиваемой транзистором, прн котором обеспечивается заданная надежность пря длительной работе.

Максимальная импульсная мощность Яд - значение предельной импульсной мощности, рассеянаемой траязястором. при котором обеспечивается заданная надежность. Величина зависит от

длительности ямпульсов, их скважности и формы.

Максимальный постоянный ток коллектора / ограничивается

максимальной мощностью (максимальной температурой перехода) н ножет быть определен по формуле

где - напряженке между коллектором в базой [Uyj или коллектором и эмиттером (i/)

Максимальный импульсный ток коллектора определнется допустимым разогревом отдельных участков перехода и снижением коэффициента усиления по току {h

Максимальное обратное напряжение коллектор - база t/g - напряжение между коллектором и базой яри /3 = О, при котором обеспечивается заданная надежность. Этот параметр используется длн расчета режима работы закрытого транзистора или при включении его по схеме с общей базой.

Максимальное обратное напряжение дмиттер-базаУ

используется для расчета режима работы транзистора в схемах, где на входе действует запирающее напряжение (различные им-нульсные схемы, усилители в режиме В).

Максимальное допустимое напряжение коллектор - эмиттер язт - значение предельного напряжения между коллектором н эмиттером при х.х. в цепн базы, = О (УэД - Р наличии сопротивления в цепи базы). Значение 0, существенно зависит от тока коллектора н может быть определено по формуле

и кбт

2 Is

где я = 3 для кремниевых и р-л-р-германиевых транзисторов; п = 5 для прл-германиевых транзисторов. Значение Ц



зависит от величины сопротявлення в ценк базы я может быть определено по формуле

где 5ц-коэффициент нестабильности схемы.

В справочных данных приводятся значення и,,. iQft кэт или iз для определенных температур перехода и диапазонов температур окружающей среды. При повышении температуры эти напряжения снижаются.

Тепловые параметры транзисторов характеризуют устойчивость их прн работе в широком диапазоне температур и определяют связь между рассеиваемой электрической мощностью к температурой определенных областей приборов.

Максимальная температура перехода Tgj - значение предельной положнт-ельной температуры перехода, при которой обес -печивается заданная надежность. Tf устававлнваетсн с определенным коэффициентом запаса. Для германия Т составляет 80-100 С. для кремния 150-900 G.

Минимальная температура перехода (окружающей среды) мнн ~ значение предельной отрицательной температуры перехода, при которой обеспечивается заданная надежность. Величина ынн определяется разрушающими механическими усилиями, возникающими между отдельными элементами транзистора при его охлаждении

Тепловое сопротивление переход - среда определяется

как отношение разности температур перехода и окружающей среды к рассеиваемой мощности

Г -Г.

где Гц - температура перехода, С; - температура окружающей

среды, °С; Р - мощность, рассеиваемая на переходе.

Тепловое сопротивйение переход - корпус определяется как отношение разности температур перехода и корпуса транзистора к рассеиваемой мощности

где Г -температура корпуса транзистора, °С.

Максимальная допустимая мощность рассеяния с ростом температуры снижается и для каждого конкретного случая может быть определена по следующим формулам:

Т -Т

т~-д -- (для маломощных транзисторов); Т Т

--- (для мощных транзисторов без теплоотвода))



рт макс с

(ДЛЯ МОЩНЫХ Транзисторов с теплоотводом)

где -тепловое сопротивление корпус - среда, °С/Вт (определяется качеством радиатора).

Для транзисторов малой мощности без теплоотвода в справочные данные включается значение /? д, а для мощных транзисторов - .

Вольтамперные характеристики транзистора содержат в себе информацию о свойствах последнего во всех режимах работы на больших н малых сигналах я о связях параметров между собой. По вольт-амперным характерястякам можно определить ряд параметров, не приводимых в справочной литературе, а также проязвестя расчеты



Рнс. IV.24. Входные характеристики транзисторой а - в схеме с ОБ; б - в схеме с ОЭ.

цепей смещения, стабилизацию режима, оценку работы транзнстора в широком диапазоне импульсных н постоянных токов, мощностей и напряжений Чаще всего используются два семейства статических вольтамперных характеристик: входные и выходные

Входные характеристики отражают зависимость входного тока (ток базы нля эмнттера) от напряжения между базой и эмяттером при фиксированных значеяяях напряжения на коллекторе.

Входные характеристики транзисторов (ряс. IV.24) аналогичны характерястякам диодов в прямом направлении с экспонен-1шальным возрастанием тоиа при увелячении напряжения. При О входные характеристики мало зависят от напряжения на коллекторе. Пря поняжеиии или повышении температуры переходов траязястора входные характеристики смещаются в область больших нли меньших входных напряжений соответственно

Выходные характеристики отражают зависимость тока коллектора от напряжения на коллекторе при фиксированных значениях тока базы или эмиттера (в зависимости от способа включения транзистора).

Выходные характеристики транзистора приведены на рис. IV.25 Отличительной особенностью выходных характеристик транзистора, включенного по схеме с общей базой, является слабая зависимость тока коллектора от напряжения Uq При напряжении U выше определенной величины пронсходит пробой коллекторного пере-



1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 [ 48 ] 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186



ООО «Мягкий Дом» - это Отечественный производитель мебели. Наша профильная продукция - это диваны еврокнижка. Каждый диван можем изготовить в соответствии с Вашими пожеланияи (размер, ткань и материал). Осуществляем бесплатную доставку и сборку.



Звоните! Ежедневно!
 (926)274-88-54 
Продажа и изготовление мебели.


Копирование контента сайта запрещено.
Авторские права защищаются адвокатской коллегией г. Москвы
.