![]() |
Звоните! (926)274-88-54 Бесплатная доставка. Бесплатная сборка. |
Ассортимент тканей График работы: Ежедневно. С 8-00 до 20-00. Почта: soft_hous@mail.ru |
![]() ![]() ![]() |
Читальный зал --> Обмоточные провода высокого сопротивления 21э 21э 1 +к ![]() -h--o Рис. VIU.22 Статические характеристики транзистора: 0 - входная для схемы с общее базой; б - выходная для схемы с общей базоЛ: в - выходная 2ЛЯ схемы в общим эмнттерои. Режим транзистора по параметрам эквивалентных схем можно рассчитывать при малых уровнях сигналов. На рнс. Vni. 22.0,5 приведены статические характеристики для схемы с общей базой, из которых можно определить Лб-параметры транзистора: 116 ~гг- при i/к = const; А/к At/к S /к const] i/к = const; const. Точность определения Авпараметров по этим характеристикам невелика вследствие тесного расположения входных характеристик для различных значений Ск и очень малого угла наклона коллекторных характеристик в схеме с общей базой. Значительно большую точность можно получить при определении й-парамет-ров, используя более круто идущие характеристики для схемы с общим эмиттером. Схематично эти характеристики показаны на рис. VUI.22, . \1ъ = А[/к При t/к = const; S = const; Ск = const; А/к А[/к /б = const. Большое сходство характеристик для схемы с общим эмиттером с характеристиками электронных ламп позволяет в некоторых случаях использовать методы расчета ламповых схем для расчета устройств на транзисторах- Ниже дается связь между ламповыми и параметрами транзистора. Крутизна §21- Внутреннее сопротивление Крутизна характеристики тока б а з бг Если транзистор работает при больших сигналах, например, в оконечных усилителях низкой частоты, то можно воспользоваться параметрами большого сигнала или графическими методами расчета по статическим характеристикам. Параметры транзисторов в области высоких частот. В расчетах высокочастотных усилителей на транзисторах обычно пользуются -параметра* ми для схемы с общим эмиттером, которые в области высоких частот явш-ются комплексными. Входаая проводимость Sll3 + где - активная составляющая входной проводимости на высоких частотах; Xjjg - реактивная состав.чяющая входной ггроводниости; g - входная проводимость на низких частотах (измеряется нли вычисляется на основании табличных данных по формулам стр. 357, 359); f - рабочая часто-та; /5 - граничная частота по крутизне s]i (иа частоте /5 параметр S уменьшается наЗ йб по отношению к S, измеренному в статическом режиме); связана с граничной частотой усиления по току приводимой в таблицах, приближенным равенством 362 Эмктронные и ионнш приборы - распределенное объемное сопротивление базы является пределом, к которому стремятся сопротивление транзистора на достаточно выажнх частотах (приводится в таблицах). Проводимость обратной связи г12. + -2пгСк где 12э и -12 - активная н реактивная составляющие проводимости обратной связи на высоних частотах; з2э ~~ проводимость обраткой связи на низких частотах; Ск - зарядная емкость коллекторного перехода (приводится в таблиоах). Выходная проводимость 223 + 2 , \f-sl 2я/Ск(1 + л;г,2з)-г,2э §223 22л - активная и реактивная составляющие входаюй проводимости на высоких частотах; -= входная проводимость на низкой частоте. Проходная проводимость У21э = 219 + /21: 11 э ff2.a- где 21э и *21э активная и реактивная составляющие проходаюй проводимости на высоких частотах; gia ~ проходиая проводимость на низких частотах. Мод>Ль проходаой проводимости (/gjl представляет крутизну характеристики транзистора по цепи коллектора
ООО «Мягкий Дом» - это Отечественный производитель мебели. Наша профильная продукция - это диваны еврокнижка. Каждый диван можем изготовить в соответствии с Вашими пожеланияи (размер, ткань и материал). Осуществляем бесплатную доставку и сборку. Звоните! Ежедневно! (926)274-88-54 Продажа и изготовление мебели. Копирование контента сайта запрещено. Авторские права защищаются адвокатской коллегией г. Москвы. |