![]() |
Звоните! (926)274-88-54 Бесплатная доставка. Бесплатная сборка. |
Ассортимент тканей График работы: Ежедневно. С 8-00 до 20-00. Почта: soft_hous@mail.ru |
![]() ![]() ![]() |
Читальный зал --> Обмоточные провода высокого сопротивления Проводимость составляет дли плоскостных транзисторов около 10 * сим. Проходная проводимость определяется при закороченном выходе (рис. VIII.19, в). Для плоскостных транзисторов g = 0,03 сим. Выходная проводимость определяется при закороченном входе (рис. VIII.19, а), составляет для плоскостных транзисторов около 10~ сим.
1£
Рис, VIII.19. Схемы измерения -параметров транзистора, Свяк1 параметров транзистора с элементами его эквивалентной схемы (рис. VI11.I8 : ffu = 9.6 + ffri ffiB - ёэ.&* ffai = - г; en = ffK-э + ffK-б Система -параметров удобна для измерения параметров п.чоскостных транзисторов, так как при этом не нужно создавать режима холостого хода. Чтобы создать режим короткого замыкания по переменному току, выход шунтируется емкостью в несколько десятков микрофарад. Недостаток системы у-параметров - трудность измерения величины 8xv связанная с необходимостью создания режима короткого замыкания на входе транзистора. Прн этом вследствие малого входного сопротивле- ия для осуществления короткого замыкания требуется емкость порядка Нескольких тысяч микрофарад. 358 Эмктрошше и ионнш гиборы Система А-параметров нли смешанная система. Соответствующая этой системе эквивалентная схема приведена на рис. VIII.20. Свойства траизис* тора характеризуют такие параметры: , k Входное сопротивление -c:z> Opf- измеряется при коротком аамыданиа /-1=/,/, выхода транзистора (рис. VIII.21, а) и составляет около 30-50 ом. п V7TIT on Обратный коэффициент Рнс. VIII.20. Эквивалентная усиления по напряжению схема транзистора в режиме 18= - включеивя с общей базой для системы А-лараметрш. измеряется при разомкнутом входе (рис. VIII,21, б) и составляет около (3 5) 10-. Коэффидиевт усиления по току, взяты& с об{итным знаком. ![]() Транжпкр Тртжтр ![]() Рис. vni.2I. Схемы измерения ft-параметров транзистора. измеряется в режиме коротксго замыкании на выходе транзистора (рис. V11I.2I, в). В схемах с общей базой этот коэффициент обычно обозначается буквой о, в елеиах с оцш эииттом - р. Для точечных тркудое в схеме с заземленным основанием а составляет 2-25, а для плоскостаых 0,9-0,99. Выходная проводимость измеряется в режиме холостого хода на входе 1ршажт(фа (рис. VlII.2i.) Смешанная система наиболее удобна для определении параметров тга-йстора. Однако для расчетов делесообразнее применять систему jf-napa-ров, которые более близки к параметрам эквивалентной схемы электронной лампы Соотношения между параметрама четырехполюсников /1м Ац 22 1 23 11 Элементы эквивалентной Т-образной схемы с общей базой связаны с /[-параметрами следующими соотношениями э = 126 - -- (1 + Л21б); ft, 16 + (I - a)i 226 \Ч6 I , б л = - к =-.-; 13Й - -; 226 226 Если известны параметры для схемы с общей базой, то легко путем пересчета получить йэпараметры для схемы с общим эмиттером и Лк -параметры для схемы с общим коллектором: 116 . Чб 1+216 1+216 1,3/1223 -126(213+ ) fi h б . 1 * Т- 216 + 216 226 , 226 1 + 216 + 216 Иногда Удобнее (в частности при определения параметров по характеристикам) определить йэ-параметры. В этом случае h- и А-параметры можно определить по формулам. i26 =-гтт-5 12к
ООО «Мягкий Дом» - это Отечественный производитель мебели. Наша профильная продукция - это диваны еврокнижка. Каждый диван можем изготовить в соответствии с Вашими пожеланияи (размер, ткань и материал). Осуществляем бесплатную доставку и сборку. Звоните! Ежедневно! (926)274-88-54 Продажа и изготовление мебели. Копирование контента сайта запрещено. Авторские права защищаются адвокатской коллегией г. Москвы. |