(926)274-88-54
Бесплатная доставка.
Бесплатная сборка.
График работы:
Ежедневно. С 8-00 до 20-00.
Почта: soft_hous@mail.ru
|
|
Звоните! (926)274-88-54 Бесплатная доставка. Бесплатная сборка. |
Ассортимент тканей График работы: Ежедневно. С 8-00 до 20-00. Почта: soft_hous@mail.ru |
  
|
Читальный зал --> Полупроводниковая схемотехнология Г.тва 3 больше времеш! накоплешм; в противном случае теряются выпрямительные свойства диода. Для уменьшения времени переключения можно использовать диоды Шоттки. Эти диоды имеют переход металл-полупроводник, который тоже обладает выпрямительным эффектом. Накопление заряда в переходе этого типа весьма мало. Поэтому время переключения может быть уменьшено до значений порядка 100 пс. Другой особенностью этих диодов является малое (по сравнению с обычными кремниевыми диодами) прямое напряжение, составляющее около 0,3 В. Условное обозначение диода Шоттки показано на рис. 3.7. Рис. 3.7. Диод Шоттки. 3.2. СТАБИЛИТРОНЫ В диодах обычного типа обратный ток существенно возрастает при превышении максимального обратного напряжения. Обратная ветвь характеристики стабилитрона имеет крутой излом, обусловленный резким ростом тока. Этот излом соответствует напряжению стабилизации U. На рис. 3.8 показано условное обозначение стабилитрона, а на рис. 3.9 приведена его характеристика. Рис. 3.8. Условное обозначение стабилитрона. Стабилитроны обеспечивают диапазон напряжений стабилизации 3-200 В; их прямое напряжение составляет ~ 0,6 В. Как видно из рис. 3.9, обратное сопротивление диода при малых обратных напряжениях Ак\ < Uz велико. При достижении напряжения стабилизации обратный ток резко возрастает. Эффект стабилизации основан на том, что большое изменение тока Л/ вызывает малое изменение напряжения Рис. 3.9. Характеристика стабилитрона. А{7. Стабилизация тем лучше, чем круче идет кривая и соответственно чем меньше дифференциальное внутреннее сопротивление г2 - hU/hl. Стабилитроны с (7z 8 В имеют наименьшее дифференциальное внутреннее сопротивление; с уменьшением и2 это сопротивление возрастает. Таким образом, стабилизирующий эффект при малых Uz проявляется в меньшей степени, Для напряжений Vz ниже 5,7 В преобладает пробой Зенера с отрицательным температурным коэффициентом напряжения, выше-лавинный пробой с положительным температурньпл коэффициентом. Температурный коэффициент напряжения стабилизации составляет примерно ± 0,1% на каждый градус. 3.3. ВАРИКАПЫ Емкость р-и-перехода диода с увеличением обратного напряжения уменьшается. На рис. 3.10 показано условное обозначе- Рис. 3.10. Условное обозначение варикапа. ние викапа, а на рис. 3.11 представлены графики зависимости емкости от напряжения. Максимальная емкость варикапа в зависимости от его типа составляет 5-300 пФ. Отношение минимальной и максимальной емкостей равно 1:5. Благодаря достаточно высокой добротности вари-  капы используются для построения колебательных контуров с управляемой напряжением резонансной частотой в области свч. Рис. 3.11. Зависимость от напряжения. емкости р-п-перехода 4. Транзистор и схемы на его основе Транзистор - полупроводниковый элемент с тремя электродами, который служит для усиления или переключения сигнала. Различают кремниевые и германиевые транзисторы. Они бывают р-п-р-и п-р-п-типа. На рис. 4.1 и 4.2 показаны их условные обозначения.   Рис. 4.1. п-р-п-транзистор и его диодная эквивалентная схема. Транзистор состоит из двух противоположно включенных диодов, которые обладают одним общим п- или р-слоем. Элек- pt Рис. 4.2. р-п-р-транзистор и его диодная эквивалентная схема. трод, связанный с ним, называется базой В. Два других электрода называются эмиттером Е и коллектором С. Диодная эквивалентная схема, приведенная рядом с условным обозначением, поясняет структуру включения переходов транзистора. Хотя эта схема не характеризует полностью функции транзистора, она дает возможность представить действующие в нем обратные и прямые напряжения. Обычно переход эмиттер-база смещен в прямом направлении, а переход база-коллектор-в обратном. Поэтому источники напряжения должны быть включены, как показайо на рис. 4.3 и 4.4. Основная особенность транзистора состоит в том, что коллекторный ток Iq является кратным базовому току /д. Их отношение В = IcHb называют коэффициен- том усиления по току. Режим транзистора подробно описывается с помощью семейства его характеристик. Ниже рассматри- 1г>0 Рис. 4.3. Полярность включения п-р-п-транзистора. ваются п-р- -транзисторы. Для р~п-р-транзисторов знаки напряжений и токов следует изменить на противоположные. 1в<0 1с<0 Рис. 4.4. Полярность включения р-п-р-транзи-стора. 4.1. ХАРАКТЕРИСТИКИ И ПАРАМЕТРЫ В РЕЖИМЕ МАЛЫХ СИГНАЛОВ Для исследования свойств транзистора приложим входное напряжение Use и измерим выходной ток 1с как функцию выходного напряжения Uce- Путем ступенчатого повышения входного напряжения получим семейство выходных характеристик (рис. 4.6). Особенностью транзистора является тот факт, что коллекторный ток мало изменяется после достижения Uce определенного значения. Этой особенностью обладает пентод. Напряжение, при котором характеристика имеет изгиб, называется напряжением насыщения. Другой особенностью является то, что малого изменения входного напряжения оказывается -достаточно для того, чтобы вызвать относительно большое изменение коллекторного тока. Это видно на передаточной характеристике, изображенной на рис. 4.5, которая представляет собой зависимость 1с от и be; при этом Uce варьируется как параметр. Известно, что передаточная характеристика транзистора, как и диода, имеет вид экспоненциальной функции. Однако в отличие от формулы
ООО «Мягкий Дом» - это Отечественный производитель мебели. Наша профильная продукция - это диваны еврокнижка. Каждый диван можем изготовить в соответствии с Вашими пожеланияи (размер, ткань и материал). Осуществляем бесплатную доставку и сборку. Звоните! Ежедневно! (926)274-88-54 Продажа и изготовление мебели. Копирование контента сайта запрещено. Авторские права защищаются адвокатской коллегией г. Москвы. |
||||||||||||||