(926)274-88-54
Бесплатная доставка.
Бесплатная сборка.
График работы:
Ежедневно. С 8-00 до 20-00.
Почта: soft_hous@mail.ru
|
|
Звоните! (926)274-88-54 Бесплатная доставка. Бесплатная сборка. |
Ассортимент тканей График работы: Ежедневно. С 8-00 до 20-00. Почта: soft_hous@mail.ru |
  
|
Читальный зал --> Полупроводниковая схемотехнология нимают мощность, которая в транзисторе преобразуется в тепло: В связи с тем что температура р-и-перехо-да не должна превышать определенного значения 9-, максимально допустимая мощность рассеяния зависит от режима охлаждения. В паспортах указывается обычно максимальная мощность рассеяния смакс при температуре корпуса, равной 25°С. Выше этой температуры мощность рассеяния должна быть ниже указанного максимального значения, так как иначе температура 9j будет превышена. Типовое значение 9j равно 90°С для германиевых и 175°С для кремниевых транзисторов. Если транзистор рассеивает мощность Р то его р-п-переход нагревается относительно корпуса на ДЭ = Кц,с-Р где К, с-тепловое сопротивление между полупроводником и корпусом. Корпус нагревается относительно окружающей среды на A9l = = i?,h£, Р . Таким образом, р-п-переход нагревается относительно окружающей среды на Д9у = + Jl)-- Jht-это тепловое сопротивление между корпусом и окружающей средой. Оно существенно зависит от режима охлаждения корпуса. Если транзистор работает в неподвижном воздухе, то Я,!, 1 зависит исключительно от формы корпуса. Для этого случая задается Jthi/= JthG + Jthf Мощность, при которой 9j будет превышена, при этом рассчитывается по формуле 9j. - и thi/ где 9-температура воздуха окружающей среды. Так как К,ьс R-thu то Рэу тоже зависит в основном от формы корпуса. Ниже приведены приблизительные значения Р ;ш5 для основных типов корпусов кремниевых транзисторов, изображенных на рис. 4.48.
В правом столбце указаны типовые примеры максимальной мощности рассеяния, которых можно достичь при температуре корпуса транзистора 25°С. Эти экстремальные значения на практике обеспечить довольно трудно. Если необходимо достичь более высоких мощностей рассеяния, чем при эксплуатации в неподвижном юз-  Рис. 4.48. Применяемые типы корпусов транзисторов. Ряд i (слева направо): ТО-18. ТО-5, ТО-66, ТО-3; ряд П: транзисторы соответствующей мощности в пластмассовых корпусах. духе, применяется радиатор. Благодаря этому значительно уменьшается тепловое сопротивление между корпусом и окружающей средой. Сопротивление состоит из теплового сопротивления окружающая среда-радиатор и радиатор-корпус транзистора. Поскольку коллекторы мощных транзисторов обычно соединены с корпусом, то для изоляции необходимо использовать слюдяные или окисноберил-лиевые пластины. Изолирующие пластины все же создают дополнительное тепловое сопротивление. В общем случае Р , рассчитывают по формуле (4.50) где J Я,!,-сумма всех тепловых сопротивлений между р-п-переходом и окружающей средой, которая имеет постоянную температуру. Числовой пример приведен разд. 15.5. На рис. 4.49, где приведено семейство Лавинный продай  Рис. 4.49. Допустимая рабочая область транзистора. выходных характеристик, указана допустимая рабочая область транзистора. Она ограничена максимальным коллекторным током /смако максимальной мощностью рассеяния Pj лавинным пробоем и максимальным напряжением коллектор-эмиттер и cm- 5. Полевые транзисторы Полевыми транзисторами называются полупроводниковые элементы, которые в отличие от обычных биполярных транзисторов управляются электрическим полем, т.е. практически без затраты мощности управляющего сигнала. 5.1. КЛАССИФИКАЦИЯ Различают шесть различных типов полевых транзисторов {FET). Их условные обозначения в электрических схемах представлены на рис. 5.1. Управляющим электродом транзистора является затвор G. Он ров полевых транзисторов с управляющим переходом составляют от 1 пА до 1 нА, а для МОП-транзисторов они в среднем меньше в 10 раз. Входные сопротивления для транзисторов с управляющим переходом составляют от 10 до 10 Ом, а для МОП-транзисторов-от 10 до 10* Ом. Аналогично делению биполярных транзисторов на р-п-р- и и-р-и-транзисторы полевые транзисторы делятся на р-ка-нальные и и-канальные. У п-канальных полевых транзисторов ток канала становится тем меньше, чем сильнее падает потенциал затвора. У р-канальных полевых транзисторов наблюдается обратное явление. Ниже в основном будут рассматриваться и-канальные транзисторы, а р-канальные - лишь в тех случаях, когда на это будут особые причины. Замена и-канальных транзисторов на р-канальные возможна, если Полевой транзистор ПолеВой транжтор с управляЪщим р-п-переводом   МОП - транзистор обеднен11огоипа МОП- транзистор odosauietwozinmna п-канальный р-канальныи п-канальныи р-канальныи п-канальныи р-канальныи Рис. 5.1. Схемные обозначения полевых транзисторов. позволяет управлять величиной сопротивления между стоком D и истоком S. Управляющим напряжением является напряжение t/c.-. Большинство полевых транзисторов явл;1ются симметричными, т. е. их свойства не изменяются, если электроды D и S поменять местами. В транзисторах с управляющим переходом затвор отделен от канала DS п-р- или р-и-переходом. При правильной полярности напряжения и as диод, образуемый переходом затвор- канал, запирается и изолирует затвор от канала; при противоположной полярности он от.:ирается. У полевых транзисторов с изолированным затвором, или МОП-транзисторов, затвор отделен от канала DS тонким слоем SiOj. При таком исполнении транзистора ток через затвор не будет протекать при любой полярности напряжения на затворе. Реальные токи затво- поменять знак напряжения питания, а также соответственно изменить полярность включения используемых в схеме диодов и электролитических конденсаторов. Через полевые транзисторы с управляющим переходом при напряжении Ugs = О протекает наибольший ток стока. Такие транзисторы называют нормально открытыми. Аналогичные свойства имеют МОП-транзисторы обедненного типа. Наоборот, МОП-транзисторы обогащенного типа запираются при величинах Uqs, близких к нулю. Их называют нормально закрытыми. Ток стока протекает через и-канальные МОП-транзисторы обогащенного типа тогда, когда Uq превышает некоторое положительное значение. Существуют также МОП-транзисторы, промежуточные между транзисторами обедненного и обогащенного типа, в том числе и такие, через,
ООО «Мягкий Дом» - это Отечественный производитель мебели. Наша профильная продукция - это диваны еврокнижка. Каждый диван можем изготовить в соответствии с Вашими пожеланияи (размер, ткань и материал). Осуществляем бесплатную доставку и сборку. Звоните! Ежедневно! (926)274-88-54 Продажа и изготовление мебели. Копирование контента сайта запрещено. Авторские права защищаются адвокатской коллегией г. Москвы. |