![]() |
Звоните! (926)274-88-54 Бесплатная доставка. Бесплатная сборка. |
Ассортимент тканей График работы: Ежедневно. С 8-00 до 20-00. Почта: soft_hous@mail.ru |
![]() ![]() ![]() |
Читальный зал --> Применение микроэлектронных ЦАП Сопоставление зависимостей на рис. 1.18 и 1.20 с достигнутым уровнем параметров БИС позволяет сделать вывод о том, что быстродействие АЦП с 6<10 ограничивается в основном инерционными свойствами усилительных устройств, а при 612-влиянием собственных шумов элементов. Применение линейной динамической модели для анализа структур БИС преобразователей и выявление взаимосвязей между их основными электрическими параметрами и совокупностью технологических и физических факторов позволяют сформировать систему критериев для целенаправленного проектирования сложных ЦАП и АЦП методами многовзрпантного сопоставительного анализа и инженерного (системного) синтеза. Причем проектирование методами инженерного синтеза позволяет увязать в единую систему целевых функций условия эксплуатации и физической реализуемости БИС преобразователей, а также результаты их динамического моделирования. Одну из таких систем можно представить, например, в следующем виде: Ф - {Vi, S,p, Ь, i}; где Vl - выбранное структурное решение; t - быстродействие; Ф - показатель функциональной сложности (в баллах для каждого из функциональных элементов схемы); Q - показатель конструкторско-техиологической сложности (число техно логических операций, допуски и др.); 5кр - площадь кристалла; Зтр - площадь транзистора; /1гр - число транзисторов (степень нитеграции; [А/, /пр/] - параметры и проектные нормы транзисторов; Лт.о - число технологических операций; Р - мощность, рассеиваемая кристаллом; Г -температура окружающей среды, В зависимости от проектной ситуации аргументы в рассматриваемой системе целевых функций образуют совокуп- jiocTi! множеств исходных данных иа разработку (нли изначально принадлежат им): D {Y, О, К, О,}, рде К~{У1...-, yj - условия эксплуатации; Os={Os],..>, Q - ограничения на структуру и технологию исполнения преобразователя при заданных чребовакиях на основные параметры; /С= {/Сь /СЛ- показатели качества основных электрических параметров; Ok {0\,Ош) - ограничения на показатели качества (физические, топологические, метрологические). При этом {b,t,P ...}еК; Наличие в системе показателей качества, представленных множеством K={Ki,...>Kn}, позволяет спптезировать БИС преобразователей, решая задачу векторной оптимизации или оптимизации по векторному критерию [19]. Задача оптимизации сводится к отысканию такой оптимальной из всех допустимых систем, которая удовлетворяла бы совокупности исходных требований D и обладала набором составляющих множества К, наилучшим с точки зрения выбранного критерия (например, пропускной способности ка-пача преобразования, экономической эффективности и т. п.). Показатели качества з множестве К могут быть различ-ними: К={Ь, tc, 6l}; K={b, ts, 6i}; K=={h, tc, P}... и зависеть от особенностей и функционального назначения БИС. Обычно они приводятся к стандартному виду, прп котором уменьшение (t -I, т) влечет улучшение си- стемы при том, что требования D = {Y, Os, К, 0} п значения остальных m-1 показателей качества остаются неизменными. Этому условию удовлетворяют параметры t, Р, !б1о. Показатель Ki~b приводится к стандартному виду через о{ношенне Xjb. Важно, что множество /(={1/?, О адекватно критерию качества эквивалентного капала преобразования данных аппаратуры любого класса /7 - =f(l/i?, t), где П - производительность канала. Таким образом, многовариаптный сопоставительный апл-1НЗ и инженерный синтез структур и эксплуатацнопиих Особенностей БИС ЦАП и АЦП позволяют устанавлпва ] ь зависимости между их электрофизическими п топологическими характеристиками, прн этом появляется созможпостъ учета фундаментальных физических ограничений, накладываемых на технологию изготовления БИС, применяемые полупроводниковые материалы и оборудование. Проектирование БИС преобразователей сводится к выбору оптимального элементно-технологического базиса, исходя из совокупностп технических, эксплуатационных и экономических требований. Оно предполагает использование систем автоматизированного проектирования (САПР), включающих подсистемы физико-технологического, схемотехнического и топологического моделирования. В зависимости от исходных требований и результатов проектирования БИС ЦАП и АЦП отличаются по уровню электрических параметров, функциональному составу, назначению и т. д. В этом можно убедиться, ознакомившись с последующими главами книги. [лава 2 2.1. цап С выходом по току 2ЛЛ. МИНРОСХЕМА И572ПА1 Микросхема умножающего Ц.Ш типа К572ПА1 (А, Б, В, Г) является универсальным структурным звеном для построения микроэлектронных ЦАП, АЦП и управляемых кодом делителей тока. Благодаря малой потребляемой мощности, достаточно высокому быстродействию, возможности реализации полного двух- и четырехквадрантного умножения, небольшим габаритам ЦАП К572ПА1 находит широкое применение в различной аппаратуре. Все ее элементы выполнены в одном кристалле. Микросхема поставляется потребителям в герметичном 16-выводном металлокерамическом корпусе типа 201.16-8 с двухрядным вертикальным расположением выводов К Микросхема ЦАП К572ПА1 предназначена для преобразования 10-разрядиого прямого параллельного двоичного За рубежом такое конструктивное исполнение корпуса ИС известно под аббревиатурой DIP (dua) - in - line psckage),
ООО «Мягкий Дом» - это Отечественный производитель мебели. Наша профильная продукция - это диваны еврокнижка. Каждый диван можем изготовить в соответствии с Вашими пожеланияи (размер, ткань и материал). Осуществляем бесплатную доставку и сборку. Звоните! Ежедневно! (926)274-88-54 Продажа и изготовление мебели. Копирование контента сайта запрещено. Авторские права защищаются адвокатской коллегией г. Москвы. |