![]() |
Звоните! (926)274-88-54 Бесплатная доставка. Бесплатная сборка. |
Ассортимент тканей График работы: Ежедневно. С 8-00 до 20-00. Почта: soft_hous@mail.ru |
![]() ![]() ![]() |
Читальный зал --> База цифровых устройств в последнее время предложен ряд вариантов динамических ОЗУ повышенного быстродействия. Методы, использованные в этих ОЗУ, основаны на предположении о кучности адресов при обращениях к ОЗУ. Это отвечает тенденции, проявляющейся при выполнении самых разных программ и состоящей в том, что адреса последующих обращений к ОЗУ вероятнее всего расположены рядом с адресом текущего обращения. Вариант FPM Вариант FPM (Fast Page Mode, быстрый страничный режим доступа) эффективен, если после обращения к некоторому ЗЭ следующее обращение будет к ЗЭ в той же строке. Сравним такую ситуацию с более общей. При чтении по произвольному адресу старший полуадрес выбирает строку, затем младший полуад11ес выбирает столбец в матрице ЗЭ. При этом сначала требуется перезарядить шину выборки строки, а затем шину выборки столбца, что сопровождается соответствующими задержками. При обращении к строке (странице), во всех З.Э строки проходят процессы, соответствуюшие двум первым фазам полного цикла обмена (по стробу RAS). и эти элементы готовы к выполнению очередных фаз. При обращении к данным в пределах одной страницы адрес строки остается неизменным, изменяются только адреса столбцов в сопровождении сигтгала строба CAS. Изменяет состояние фактически только группа ключей 3 и 4 (см. рис. 4.37). Пока не изменился номер страницы, в циютах обмена искиочсны некоторые этапы, что сокращает длительность циклоп. Временные диаграммы для режима FPM представлены на рис. 4.38. Видно, что Время доступа к данным при неизменности адреса строки RA и изменениях только адреса столбца сокращается в сравнении со временем доступа при полном цикле (временем доступа при первом обращении к ЗУ). Характерную пропорциональностъ времен первого и последующих обрашений к ЗУ можно записать следующим образом: 5-3-3-... . Режим FPM - начало линии развития методов повышения быстродействия динамических ЗУ По быстродействию его возможности уже намного превышены более поздними разработками, тем не менее метод FP.M находит свою область применения, и соответствующие ЗУ до сих пор занимают достаточно большой сектор рынка Дополнительные средства для организации режима FPM просты; требуется лишь проверять принадлежтюсть очередного адреса текущей странице (строке), что позволяет выполнять цикл страничного режима. В противном случае требуется выполнение обычного (полного) цикла. Разработанные ОЗУ типа FPM обеспечивают времена обращения к ЗУ 30...40 не, что .допус-ет их работу с процессорными шинами на тактовой частоте до 33 МГц. ![]() -<т>-CD-----<Z> 1*- W) ЧР Рис. 4.38. Временные диаграммы режима FPM динамических ОЗУ Структуры типа EDORAM Структуры типа EDORAM (Extended Data Out RAM. т. е. ОЗУ с расширенным выводом данных) близки к структурам FPM и отличаются от них модификацией процесса вывода данных. В EDORAM данные в усилителях-регенераторах не сбрасываются по окончании строба CAS. При этом на кристалле как бы появляется статический регистр, хранящий строку. При обращениях в пределах строки (страницы) исиользуется чтение данных из регистра, т. е. быстродействующей статической памяти. По-прежнему используется только сигнал CAS, но длительность его может бьггь сокращена в сравнении с режимом FPM Это увеличивает быстродействие ЗУ. В случае применения памяти типа EDORAM характерная пропорциональность времен обращения будет следующей: 5-2-2-.... Разработанные EDORAM допускают работу на частотах до 50 МГц. Такие ЗУ получили широкое распространение, в частности из-за тесной преемственности с разработанными ранее ЗУ типа FPM, замена которых на EDORAM требует лишь небольших изменений в схеме и синхросигналах ЗУ. Структуры типа BEDORAM В структуре типа BEDORAM (Burst EDORAM, т. е. с пакетным расширенным доступом) содержится дополнительно счетчик адресов столбцов. При обращении к группе слов (пакету) адрес столбца формируется обычным способом только в начале пакетного цикла. Для последующих передач адреса образуются быстро с помощью инкрементирования счетчика. Характерная пропорпионапьность времен первого и последующих обращений 5-1-1-1 (имеется в виду часто применяемый вариант с длиной пакета, равной 4). Память типа BEDORAM не получила широкого распространения из-за появления сильного конкурента - синхронных DRAM (SDRAM), в которых не только достигается пропорциональность времен обращений 5-1-1-1, но и сами времена существенно сокращаются. Структура типа MDRAM В структурах MDRAM (Multibank DRAM, многобанковые ОЗУ) память делится на части (банки). Обращение к банкам поочередное, чем исключается ожипание перезаряда щин. Пока считываются данные из одного банка, другие имеют передыщку на подготовку, после которой появляется вот-можность обращения к ним без дополнительного ожидания. При нарушении очередности и повторном обращении к тому же банку выполняегся полный цикл обращения к памяти. Чем больше банков, тем меньше будет повторных последовательных обращений в один и тот же банк. Так как процессор чаще всего считывает данные по последовательным а.тре-сам, то эффект ускорения работы ЗУ достигается уже ири делении памяти всего на два блока, а именно на один с нечетными адресами, другой - с четными. Банки ЗУ типа MDRAM могут строиться па обычных DRAM без каких-либо схемных изменений. Структуры типа SDRAM Хотя переход от базовой структуры DRAM к архитектурам FPM и CDOKAM повысил быстродействие памяти, этого оказалось педостаточтю лля coBic-менньк компьютеров и графических систем. Память типа SDRAM (Synchronous DRAM) заняла сейчас важное место в качестве быстролейс! вующей памяти с высокой пропускной способностью. В SDRAM синхросигналы памяти тесно увязаны с тактовой частотой системы, в них используется конвейеризация тракта продвижения информации, может применяться многобанковая структура памяти и др. Синхронные DRAM были предложены в 1994 г. в работе [58] как лвучбанко-вые системы с трехступенчатым конвейером, имевшие пропускную способность 250 Мбайт/с. Эти ЗУ работали иа частоте 125 МГц при Uec = 3,3 В и топологической норме 0,5 мкм. Причем плошаль кристалла (113.7мм2) практически не отличалась от площади кристаллов обычных DRAM той хсс емкости. До более подробного ознакомления с памятью типа SDRAM рассмотрим общий вопрос о конвейеризации трактов обработки информации. Сущность конвейеризации заключается в разбиении трактов обработки информации на ступени На рис. 4.39 показан тракт обработки данных, содержащий входной и выходной регистры и логическую схему между ними. Исходя из тезиса о возможности подачи новых входных данных только после окончания обработки старых, получим минимальный период тактовых импульсов для этой схемы; Tmin = tpr -* -t- tsu, где tpr - задержка входного регистра на пути такт-выход ; - задержка сигнала в комбинационной цепи (логической схеме); tsu - время предустановки выходного регистра.
ООО «Мягкий Дом» - это Отечественный производитель мебели. Наша профильная продукция - это диваны еврокнижка. Каждый диван можем изготовить в соответствии с Вашими пожеланияи (размер, ткань и материал). Осуществляем бесплатную доставку и сборку. Звоните! Ежедневно! (926)274-88-54 Продажа и изготовление мебели. Копирование контента сайта запрещено. Авторские права защищаются адвокатской коллегией г. Москвы. |