(926)274-88-54
Бесплатная доставка.
Бесплатная сборка.
График работы:
Ежедневно. С 8-00 до 20-00.
Почта: soft_hous@mail.ru
|
|
Звоните! (926)274-88-54 Бесплатная доставка. Бесплатная сборка. |
Ассортимент тканей График работы: Ежедневно. С 8-00 до 20-00. Почта: soft_hous@mail.ru |
  
|
Читальный зал --> База цифровых устройств кунд) регенерироваться. В то же время плотность упаковки динамических элементов памяти в несколько раз превышает плотность упаковки, достижимую в статических RAM. Регенерация данных в динамических ЗУ осуществляется е помощью специальных контроллеров. Разработаны также ЗУ с динамическими запоминающими элементами, имеющие внутреннюю встроенную систему регенерации, у которых внешнее поведение относительно управляющих сигналов становится аналогичным поведению статических ЗУ. Такие ЗУ называют квази-статтескилш. Статические ЗУ называются SRAM (Static RAM), а динамические - DRAM (Dynamic RAM). Статические ОЗУ можно разделить на асинхронные, тактируемые и синхронные (конвейерные). В асинхронных сигналы управления могут задаваться как импульсами, так и уровнями. Например, сигнал разрешения работы CS может оставаться неизменным и разрешающим на протяжении многих циклов обращения к памяти. В тактируемых ЗУ некоторые сигналы обязательно должны быть импульсными, например, сигнал разрешения работы CS и каждом цикле обращения к памяти должен переходить из пассивного состояния в активное (должен формироваться фронт этого сигнала в каждом цикле). Этот тип ЗУ называют часто синхронным. Здесь использован термин тактируемые , чтобы освободить термин синхронные для новых типов ЗУ, в которых организован конвейерный тракт передачи данных, синхронизируемый от тактовой системы процессора, что лает повышение темпа передач данных в несколько раз. Подробнее сущность конвейерной организации ЗУ рассмотрена в § 4.8, т. к. она играет важную роль в повышении быстродействия динамических ЗУ (вариант SDRAM). Динамические ЗУ характеризуются наибольшей информационной емкостью и невысокой стоимостью, поэтому именно они используются как основная пшотгь ЭВМ. Поскольку от этой памяти требуется высокое быстродействие, разработаны многочисленные архитектуры повышенного быстродействия, перечисленные в тслассификации. Подробнее эти архитектуры рассмогпрены в §4.7. Статические ЗУ в 4...5 раз дороже динамических и приблизительно во столько же раз меньше по информационной емкости. Их достоинством является высокое быстродействие, а типичной областью использования - схемы кэш-памяти. Постоянная память типа ROM (М) программируется при изготовлении методами интегральной технологии с помошью одной из используемых при этом масок. В русском языке ее можно назвать памятью типа ПЗУМ (ПЗУ масочные). Для потребителя это в полном смысле слова постоянная память, т. к. изменить ее содержимое он не может. В следующих трех разновидностях ROM в обозначениях присутствует буква Р (от Programmable). Это программируемая пользователем память (в русской терминологии ППЗУ - претраммируемые ПЗУ). Ее содержимое записывается либо однократно (в PROM), либо может быть заменено путем стирания старой информации и записи новой (в EPROM и EEPROM). В EPROM стирание выполняется с помощью облучения кристалла ультрафиолетовыми лучами, ее русское название РПЗУ-УФ (репрограммируемое ПЗУ с УФ-стиранием). В EEPROM стирание производится элетстрическими сигналами, ее русское название РПЗУ-ЭС (репрограммируемое ПЗУ с электрическим стиранием). Английские названия расшифровываются как Electrically Programmable ROM и Electrically Erasable Programmable ROM Программирование PROM и репрограммирование EPROM и EEPROM производятся в обычных лабораторных условиях с помощью либо специальных программаторов, либо специальных режимов без специальных приборов (для EEPROM). Память типа Flash по запоминающему элементу подобна памяти типа EEPROM (или иначе EEPROM), но имеет структурные и технологические особенности, позволяющие вьщелить ее в отдельный вид. Запись данных и для EPROM и для E-PROM производится электрическими стналами В ЗУ с последовательным доступом записываемые данные образуют некоторую очередь. Считывание происходит из очереди слово за словом либо в порядке записи, либо в обратном порядке. Моделью такого ЗУ является последовательная цепочка запоминающих элементов, в которой данные передаются между соседними элементами. Прямой порядок считывания имеет место в буферах FIFO с дисциплиной первый пришел - первый вышел (First In - First Out), a также в файловых и циклических ЗУ. Разнтща между памятью FIFO и файловым ЗУ состоит в том. что в FIFO запись в пустой буфер сразу же становится доступной лля чтения, т. е. поступает в конец цепочки (модели ЗУ). В файловых ЗУ данные поступают в шчало цепочки и появляются на выходе после некоторого числа обраше-й, равного числу элементов в цепочке. При независимости операций считывания и записи фактическое расположение данных в ЗУ на момент считывания не связано с каким-либо внешним признаком. Поэтому записываемые данные объединяют в блоки, обрамляемые специальными символами конца и начала (файлы). Прием данных из файлового ЗУ начинается после обнаружения приемником символа начала блока. В циклических ЗУ слова доступны одно за другим с постоянным периодом, определяемым емкостью памяти. К такому типу среди полупроводниковых ЗУ относится видеопамять (VRAM). Считывание в обратном порядке свойственно стековым ЗУ, для которых реализуется дисциплина последний пришел - первый вышел Такие ЗУ называют буферами LIFO (Last In - First Ont). Время доступа к конкретной единице хранимой информации в нослсдова тельных ЗУ представляет собою случайную величину. В наихудшем случае для такого доступа может потребоваться просмотр всего объема хранимых данных. Ассощштиеиый доступ реализует поиск информации но некоторому признаку, а не но ее расположению в памяти (адресу или месту в очереди) В наиболее полной версии все хранимые в памяти слова одновременно проверяются на соответствие признаку, например, на совпадение определенных полей слов (тетв - от английского слова tag) с приз[[аком. задаваемым в,ход ным словом (теговым адресом). На выход вьщаюгся слова, удовлетворяющие признаку. Дисциплина выдачи слов, если reiy удовлетворяют несколько слов, а также дисциплина записи новых данных могут быть разными Основная область применения ассоциативной памяти в современных .ЭВМ кэширование данных. Технико-экономические параметры ЗУ существенно зависят ог их схсмотех-нологической реализации По эюму признаку также возможна кгасспфика ция ЗУ, однако удобнее рассматривать этот вопрос применительно к отдельным типам памяти. § 4.2. Основные структуры запоминающих устройств Адресные .ЗУ представлены в классификации статическими и динамическими оперативными устройствами и памятью типа ROM. Многочисленные варианты этих ЗУ имеют много общего с точки зрения CTiiyKTypHwx схем что делает более рациональным не конкретное рассмотрение каждого ЗУ в полном объеме, а изучение некоторых обобщенных структур с последующим описанием запоминающих элементов для различных ЗУ. Общность структур особенно проявляется для статических ОЗУ и памяти типа ROM. Структуры динамических ОЗУ имеют свою специфику и рассмотрены е§4.7. Для статических ОЗУ и памяти тина ROM наиболее характерны Структуры 2D, 3D и 2DM Структура 2D В структуре 2D (рис. 4.3) запоминающие элементы ЗЭ организованы в прямоугольную матрицу размерностью М = к < ш, где М - инс)Ормационная емкость памяти в битах; к - число хранимых слов; m - их [мзрялность.
ООО «Мягкий Дом» - это Отечественный производитель мебели. Наша профильная продукция - это диваны еврокнижка. Каждый диван можем изготовить в соответствии с Вашими пожеланияи (размер, ткань и материал). Осуществляем бесплатную доставку и сборку. Звоните! Ежедневно! (926)274-88-54 Продажа и изготовление мебели. Копирование контента сайта запрещено. Авторские права защищаются адвокатской коллегией г. Москвы. |