Читальный зал -->  Конструкции многокаскадных усилителей 

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 [ 13 ] 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38

ности Sn, Si2, 5зз. На рис. 24 приведены графики зависимостей этих коэффициентов от параметра у, из которых следует, что для повышения стабильности следует выбирать у близким к единице. Видно также, что базовые резисторы R1, R2, определяющие параметр а, сравнительно слабо влияют на стабильность каскада, По-

0 о,! 0,2 0,3 0,if 0,5 0,6 0,7 0,8 0,3 1,0

Рис. 24, ГрафилИ зави-:имости коэффпцпелтог, нестабильности для каскада ОК-ОБ.

Сплошные кривые: / - Згг ! - S,2 = S2, при а-0,5-0,9. Пунктирные кривые: / - Sii = S22 при 0-0,9; * -Su = Sii при а=0,5.

этому их сопротивления можно выбирать из соображений фазовой стабильности каскада, удобства согласования каскадов и т. п.

Из сравнения рис. 24 с аналогичными построениями для других разновидностей усилителей-ограничителей (рис. 26) видно, что-

коэффициенты нестабильности в каскаде на рнс. 23 меньше, и при прочих равных условиях зависимость режима от сопротивлений резисторов R1--R4 проявляется слабее. Это является следствием включения в состав каскада токостабилизпрую-щего транзистора ТЗ. Видно также, что сам транзистор ТЗ влияет на результирующую стабильность каскада значительно сильнее, чем Т1 и 12. Поэтому иа практике транзистор ТЗ соединяет-ся с рядом дополнительных элементов (диодов, терморезисторов). Режим работы каскада с двумя источниками питания, но без третьего э.миттерпого транзистора выбирается аналогично. Исключая из эквивалентной схемы ТЗ и резисторы, относящиеся к нему, и включая вместо ТЗ резистор /?э, получаем схему, изображенную, на рис. 25. Отсюда находятся базовые токи транзисторов: 40

Рис. 25. Эквивалентная схема каскада мя источниками питания.

с ,!BV-

, . (э 2,1 + Б 2,1 + 2, l) + ЭБ 2,1 -

(Г + /?2 + Яэ2 + э) - -э

(24)

Далее определяются (в том же порядке, что н в предшествующем случае) приращения базовых и коллекторных токов, вызван-

яые нестабильностью параметров:

А /k4,2 = Sii,

Pi ,2

(/б 1,2 + /кБ01,2) +

1,2 Yl,23Bl,2 , Т1Т2ДЭБ2,1

*1,2

-5!2,21

ЯэО-У1 У2У: .(Б2,1 Ч-кБоТг)

.3(l-JlT2) .

Т2,1ДЭБ2Л

ДР2\7

VlY2A3Bl,2 i КБ0 1,2

(25)

- Vl V2) Pi ,2{( - Vl V2) + P2.1 [( + 2.1) V2,l - Tl T2]}

(1 - Yi Y2 + Pi [(1 + Si) Yi - Yi Yal} X-

-*X{1 - Vl V2 + P2 [(1 + S2) Y2 - Yi Y2]} - 1 2 Yi 72

о PlP2 2,l Yi.2( - Yi Y2)

2.21 - 1 [(1 4. y]}x--

X{1 - Vl V2 + P2 [(1 + h) Y2 - Yi Y2]} - 1 2 Yi Y2

(26)

Yi.2 = -

CC; о =

э + ?э1,2+Б1.2+1,2

Б11,2

Sj, 2 = -

Э 1,2

(27)

б 1,2 + 1,2 b 1,2 + 3

Остальные обозначения тс же, что и принятые раньше. Мно- жптель ai,2 обозначает коэффициент усиления тока в каскаде с ОБ, Считая каскад симметричным, получаем следующие упрощен-.ные выражения:

Рэ-Яэ1 + г + Я1

Si - So - s - - ;

ai = a =

r + Ri

Гг, + Rbi+Ri + Rb

(28)

Если, кроме этого, учесть, что Pi,21, то для коэффициентов не- cтaб;]льнocти имеем:

Оц =022 - Оо -

(1 - V) Y(l+s-V)

(29)

Y(1 -Y+s) Можно также показать, что

[!-(! +5) у](1-у)

На рис. 26 приведены графики зависимости коэффициентов нестабильности So и 5вз, рассчитанные по формулам (28) и (29). По этим графикам и формулам (25), (29) могут быть найдены

Рис. 26. Коэффициенты нестабильности для усилителя с двумя источниками питания.

Сплошные кривые: 811=822; - 8=0: 2 - 8=0,1; 3 - S-O.S. Пунктирные кривые: 812=821; / - 8-0,1; 2 - 8=0,5.

ff 0,1 0,г 0,3 0, 0,5 0,6 0,7 0,8 0,3 1,0

сопротивления резисторов, обеспечивающие малые нестабильности токов при изменении температуры. Сопротивление резистора Кэ рассчитывается по формуле

i?3 =

ЭБ Б

(30):

(31>

i+l /к Р+1

полученной из (24), при пренебрежении падением напряжения за счет базовых токов и в предположении симметрии каскада.

В каскаде с одним источником питания выбор Къ, заменяющего корректирующий мост, можно провести графически по статическим характеристикам транзисторов. Если пренебречь базовыми токами и падениями напряжений на корректирующих резисторах i?3i, Къ2 с малым сопротивлением, то можно записать уравнения баланса напряжений:

1 = ЭБ1 + [f3l(3Bl) + Ц2 (/ЭБ2)] ;) 2 = f3B2 + [1Э2 (ЭБх) + 1Э2(ЭБ2)] э-)

Здесь £1, £2 -напряжения на резисторах базовых делителей-R2, R4; 1э~1к - эмиттерные токи.

В широкополосных каскадах коллекторные нагрузки малы и токи гк1,2 зависят только от напряжений эб Поэтому (31) можно переписать в виде

1 =ЭБ1 + ИК1 (/ЭБХ) + 1К2 (ЭБ2)] П = ЭБ2 + Uki (ЭБх) + tK2 (ЭБа)] э- 1

Здесь 1к(эБ )-статические характеристики транзисторов. Графическое решение системы уравнений показано на рис. 27.-Точка пересечения нагрузочной прямой OA и статической харак-

(32>

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 [ 13 ] 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38

ООО «Мягкий Дом» - это Отечественный производитель мебели. Наша профильная продукция - это диваны еврокнижка. Каждый диван можем изготовить в соответствии с Вашими пожеланияи (размер, ткань и материал). Осуществляем бесплатную доставку и сборку.



Звоните! Ежедневно!
 (926)274-88-54 
Продажа и изготовление мебели.

Копирование контента сайта запрещено.
Авторские права защищаются адвокатской коллегией г. Москвы.