(926)274-88-54
Бесплатная доставка.
Бесплатная сборка.
График работы:
Ежедневно. С 8-00 до 20-00.
Почта: soft_hous@mail.ru
|
|
Звоните! (926)274-88-54 Бесплатная доставка. Бесплатная сборка. |
Ассортимент тканей График работы: Ежедневно. С 8-00 до 20-00. Почта: soft_hous@mail.ru |
  
|
Читальный зал --> База цифровых устройств Цифровая схемотехника При восстановлении нормального питания признак АС norm вызывает программу обслуживания прерывания В, в ходе которой из стека возвращаются в процессор данные для регистров процессора и сбрасывается триггер, что ведет к подключению намята к основному источнику питания. Статические ЗУ типа БиКМОП Триггерные ЗУ- одно из основных направлений применения БиКМОП-техиологии. в которой стремятся объединить достоинства схем на основе биполярных приборов и МОП-структур. Применительно к SRAM это реализация триггеров на схемах КМОП, а цепей выдачи данных, имеющих значительную емкостную нагрузку, с которой элементы типа КМОП справляются плохо, на биполярной схемотехнике (ЭСЛ или ТТЛШ). Повышенная сложность изготовления БиКМОП-схем и их удорожание могут быть скомпенсированы более высоким их быстродействием, эффективной работой на длинные линии и другими факторами. На рис. 4.31 показана для примера ячейка д&ухпортоаого ЗУ с организацией 4Кх1 и временем доступа 4 нс. выполненная по БиКМОП-технопогии. Запоминающий триггер построен на транзисторах Т1...Т4. Его выход подключен к базе биполярного транзистора Т6, который совместно с опорным транзистором Т7, общим для всех ячеек столбца, образует схему токового переключателя, характерного для ЭСЛ и способного с большой скоростью коммутировать ток из одного плеча в другое. Показанный условно источник тока реально выполняется так же, как и в обычных схемах ЭСЛ. Возможность быстро формировать сигналы в нагруженных цепях линий записи-считывания позволяет сохранить быстродействие на уровне, соответствующем внутренним частям 3V, в которых КМОП-схемы работают в условиях малых нагрузок. лвэп Л;: т7 Uon Рис. 4.31. Схема ячейки статического ЗУ в схемотехнике БиКМОП Ячейка имеет две линии выборки - для чтения (ЛВчт) и для записи (ЛВзп). Это позволяет записывать данные в невыбренные для чтения элементы одновременно со считыванием из других элементов, что характерно для двухпортовой памяти.  Питанием ячейки служит потенциал линии ЛВт. В отсутствие выборки для чтения этот потенциал невысок и любые переключения триггера не могут настолько повысить потенциал базы Т6. чтобы он отфылся. Запись данных производится сигналом Ооу при выборке ячейки по линии ЛВг. Транзистор Т5 изготовляется как ниэкоомный, что позволяет ему диктовать состояние триггера Для чтения напряжение на линии ЛВчг повышают на 0,55 В- Если триггер хранит единицу, то ТЗ открыт, а Т4 заперт Так как при этом перепад напряжения на PBvr передается иа базу Т6, он отфывается. и ток I переключается из опорного транзистора Т7 в транзистор Т6. Напряжение на коллекторе Т7 повышается, что и служит входным сигналом чтения единицы для последующих каскадов усилителя чтения, обозначенных как УС. Если триггер хранит логический ноль то ТЗ заперт и Т4 открыт. Ясно, что в этом случае перепад напряжения на линии ЛВ никак не повлияет на потенциал базы Т6, переключения тока I не возникнет и перепада выходного напряжвния схемы не будет. §4.7. Динамические запоминающие устройства - базовая структура в динамических ЗУ (DRAM) данные хранятся в виде зарядов емкостей МОП-структур и основой ЗЭ является просто конденсатор небольшой емкости. Такой ЗЭ значительтю проше триггерного, содержащего 6 1ранзисто-ров, что позволяет разместить на кристалле намного больше ЗЭ (в 4...5 раз) и обеспечивает динамическим ЗУ максимальную емкость. В то же время конденсатор неизбежтю теряет со временем свой заряд, и хранение данных требует их периодической регенерации (через несколько миллисекунд) Запоминающие элементы Известны конденсаторные ЗЭ разной сложности. В последнее время практически всегда применяют однотранзисторные 33 - лидеры компактности, размеры которых настолько малы, что на их работу стали влиять лаже а-частицы, излучаемые элементами корпуса ИС. Поликремний Рис. 4.32- Схема и конструкция запоминающего элемента динамического ЗУ  Электрическая схема и конструкция олнотранзисторного ЗЭ noKiuaEibi на рис. 4.32. Ключевой транзистор отключает запоминающий конденсатор от липни записи-считывания или подключает его к ней. Сток транзлстора не имеет внешнего вывода и образует одну из обкладок конденсатора. Другой обкладкой служит подложка. Между обкладками расположен тонкий слой диэлект1эика - оксида кремния Si02. В режиме хранения клюгевой транзистор заперт. При выборке данного ЗЭ на затвор подается напряжение, отпирающее транзистор. Запоминаюпшя емкость через проводящий канал подключается к линии записи-считывания и в 1ави-симости от за1 1женного или разряженного состояния емкости различно влияет на потенциал линии записи-считывании. При записи потенциал линии записи-считывания передается на конденсатор, определяя его состояние. Процесс чтения состояния запоминающего элемента. Фрагмент ЗУ (рис. 4.33) показывает ЗЭ, усилитель считывания УС а также ключи К1 и КО со(Ивет-ственно записи единицы и нуля. К линии записи-считывания (ЛЗС) подключено столько ЗЭ, сколько строк имеется в запоминающей матрине. Особое значение имеет емкость ЛЗС С, в силу большой протяженности линии и большого числа подключенных к ней транзисторов многократно превышающая емкость ЗЭ.  Рис. 4.33. Фрагмент схемы динамического ЗУ Перед считыванием производится прелзаряд ЛЗС. Имеются варианты ЗУ с предзарядом ЛЗС до уровня напряжения питания и до уровня его половины.
ООО «Мягкий Дом» - это Отечественный производитель мебели. Наша профильная продукция - это диваны еврокнижка. Каждый диван можем изготовить в соответствии с Вашими пожеланияи (размер, ткань и материал). Осуществляем бесплатную доставку и сборку. Звоните! Ежедневно! (926)274-88-54 Продажа и изготовление мебели. Копирование контента сайта запрещено. Авторские права защищаются адвокатской коллегией г. Москвы. |