Читальный зал -->  База цифровых устройств 

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 [ 72 ] 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176

т- е. запись или стирание в блоке могут выполняться только при Lock-bit = 0. При высоком уровне WP в блоках могут выполняться операции записи и стирания независимо от состояния блокирующих битов.

Сигнал BYTE низким уровнем вводит схему в байтовый режим, высоким -в словарный и выключает буфер линии Ао.

Напряжение программирования Upp и вывод напряжения питания (это может бьп-ь 3,3 или 5 В - вход обозначен дробью 3/5) поступают в схему через переключатель напряжения, который находится внутри схемы.

Для примера приведем параметры ФФП фирмы lniel/28F032SA (1997 г.):

П организация 2М>.:6 или 4Мх8 (по выбору потребителя), напряжение питания 3,3 или 5 В (по выбору потребителя), напряжение профаммпрова-ния 12 В, ло lO циклов стнрания на блок, 64 независимо запираемых блока по 64 Кбайт или 64 блока по 32 Кслов;

D корпус типа TSOP размерами 1,2х 14x20 мм с 56 выводами;

П технология с топологической нормой 0,6 мкм;

□ время доступа при чтении 70 или 150 не при питании от 5 В и 3 В соответственно;

П время записи слова/байта не более 9 мкс;

П время записи блока не более 2,1с для байтового режима и не более 1 с для словарного режима;

□ время стирания блока не более 10 с и стирания кристалла не более 25,6 с. Памя1Ъ типа StrataFlash

В 1997 г. компания Intel представила новый вид Флэш-памяти, названный Стратафлэш (StrataFla,*), в которой впервые в одном элементе памяти хранятся два бита, а не один. Это обеспечивается тем, что в плавающем затворе транзистора фиксируется не только наличие или отсутствие заряда, но и определяется его величина, которая может иметь несколько значений. Различая четыре уровня, можно хранить в одном элементе два бита.

До изобретения памяти Стратафлэш для увеличения емкости ЗУ шли путем уменьшения размеров схемных элеменгов и других усовершенствований технологических процессов литографии. Стратафлэш ознаменовала другот! подход к этой проблеме. Хранения двух битов добились практически в тех же запоминаюших элементах, которые ранее хранили один бит, преодолев трудности ужесточения допусков на величины вводимых в плавающий та-твор зарядов. Во второй половине 90-х гг. появились коммерческие образцы памяти Страгафлэш. При этом от емкости 32 Мбита перешли к емкости 64 Мбита без заметных изменений плошади кристалла.

Запоминающие элементы программируются введением в плавающий затвор одного из 4-х количеств заряда, каждое из которых соответствует паре двоичных цифр II, 10, 01, 00. В зависимости от заряда, запоминающий транзистор имеет одно из четырех пороговых напряжений. При считывании информации к затвору транзистора прикладывают напряжение считывания. Ток запоминающего транзистора зависит от порогового напряжения. Определяя ток, можно выявить состояние плавающего затвора.

На рис. 4.22 показаны распределение пороговых напряжений в четырехуровневом запоминающем элементе (д) и схема чтения состояния запоминающего транзистора (б).

Уровень о I Уровень 1 [ Уровень 2 1 Уровень 3 [ (11) I (10), (01), (00),

А!А!Л!А!

.Матрица ЗЭ Флэш-памяти

Логическая схема

-D1 -DO

Набор эталонных ЗЭ

	Выходы усилитепей чтения	Выходнью данные
Q11 QIC Q01 ООО	1 2 3	1 1 1 0 0 1 0 0
	1 1 1 0 1 1 0 0 1

Рис. 4.22, Графики распределения пороговых напряжений в четырехуровневом эагоминающем элементе (а) и схема чтения данных из этого элемента (б)

к §4.5. Использование программируемых ЗУ 1для решения задач обработки информации

в предыдущих параграфах запоминающие устройства рассматривались с точки зрения основной для них задачи хранения информации. Однако програм-

мируемая память есть также универеальное средство решения самьга разных задач обработки информации. Применимость этого средства в указанной области определяется возможностью представления решения задачи в табличной форме. Эта форма решения возможна для задач самого разного характера.

Для уяснения возможностей ППЗУ в области решения задач обработки информации целесообразно рассмотреть основные соотношения, связанные с воспроизведением логических и числовых функций.

Реализация логических (переключательных) функций

ППЗУ с ортвнизацией 2 х1 принимает т-разрядный адрес и выдает одноразрядный результат (О или I). Этот способ функционирования непосредственно воспроизводит переключательную функцию ш переменных, т. к. шш каждого входного набора можно при программировании ЗУ назначить необходимую выходную переменную. Например. ППЗУ с организацией 1024x1 может быть использовано для воспроизведения переключательной функции 10 аргументов.

ППЗУ с организацией 2 хп по поступающему на его вход т-разрядному адресу выдает п-разрялное выхолтюе слово, хранящееся в ячейке с данным адресом. Такое ЗУ воспроизводит систему переключательных функций, число которых равно разрядтюсти вьгаодного слова. Действительно, на каждом выходе может быть воспроизведена любая переключательная функция ш-аргументов, а совокупность выходов даст п различных функций.

В ППЗУ функции реализуются в совершенной дизъюнктивной нормальной форме, для каждой возможной конъюнкции имеется свое оборудование (выходная линия дешифратора адреса) и, следовательно, она может быть введена в выходную функцию. Какой-либо минимизации функций при подготовке задачи к решению на основе НИЗУ не требуется, более того, если функции уже минимизированы, то для удобства подготовки данных для программирования ЗУ их придется развернуть до самой громоздкой формы (СДНФ). Это делается либо заполнением карты Карно и последующей записью функции без какого-либо объединения единиц, либо введением в каждую конъюнкцию недостающих переменньга х путем домножсния конъюнкции на равные единице выражения XjVxi с последующим раскрытием скобок (Х; - вводимая переменная). Пример приведения функции в СДПФ:

F= X,VX2X3 = X,(X2VX2)(X3VX3)V(X,VX,)X2X3 = Х,Х2Хз\/Х,Х2Хз\/Х,Х2Хз\/Х,Х2Хз\/х,Х2Хз.

Для воспроизведения этой функции по пяти конъюнкциям-адресам в ППЗУ следует записать единицы, по остальным адресам - нули.

Реализация функции в СДНФ определяет большие затраты элементов памяти, однако цена элемента памяти значительно ниже цены лотического элемента, поэтому даже при избыточности числа элементов памяти в несколько

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 [ 72 ] 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176

ООО «Мягкий Дом» - это Отечественный производитель мебели. Наша профильная продукция - это диваны еврокнижка. Каждый диван можем изготовить в соответствии с Вашими пожеланияи (размер, ткань и материал). Осуществляем бесплатную доставку и сборку.



Звоните! Ежедневно!
 (926)274-88-54 
Продажа и изготовление мебели.

Копирование контента сайта запрещено.
Авторские права защищаются адвокатской коллегией г. Москвы.