Звоните! 
 (926)274-88-54 
 Бесплатная доставка. 
 Бесплатная сборка. 
Ассортимент тканей

График работы:
Ежедневно. С 8-00 до 20-00.
Почта: soft_hous@mail.ru
Читальный зал -->  Конденсаторы постоянной емкости 

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 [ 53 ] 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186 187 188 189 190 191 192 193 194 195 196 197 198 199 200 201 202 203 204 205 206 207 208 209 210 211 212 213 214 215 216 217 218 219 220 221 222 223 224 225 226 227 228 229 230 231 232 233 234 235 236 237 238 239 240 241 242 243 244 245 246 247 248 249 250 251 252 253 254 255 256 257 258 259 260 261

Т а б л и ft а IV.13. Основные параметры светодиодов

о к

а к и

ts ft

я X К Й

о о.

1= о. ш с о

§ оГ

о я о 1)

<

о 3

>>о с S о к

я к о о

D Я О.

S Е -

Щ 3*

> я

Темпс{ окруж сре °

)атура ающей г;ы,

ч> о

КЛ101А

Желтый

-*10

IV.22, а

КЛ101Б

КЛ101В

. 20

- 10

+ 70

АЛ 102 Л

Красный

IV.22, б

АЛ102Б

100*

АЛ102Г

,200*

АЛ106А

(0.2)

Инфракрасный

IV.22, в

АЛЮОБ

(0,4)

АЛ 106В

(0.6)

АЛ 107 А

(60)

->60

IV.22, е

АЛ107В

(10)

2,0

ДЛ108А

(1,5)

1,35

+ 85

IV.22, д

АЛ115А

(10)

IV.22, г

АЛ307А

1500*

Красный -

р.60

IV.22, е

АЛ307Б

9000*

АЛЗОГВ

4000*

Зеленый

АЛ107Г

15000*

+ 70

* Сила света в микроканделах,

2. 1ирнс1оры

Тиристор - ЭТО полупроводниковый прибор с двумя устойчивыми состояниями, имеющий три или более перехода, который может переключаться из закрытого состояния в открытое и наоборот. Структура тиристора состоит из четырех слоев кристалла полупроводника с чередующимся типом электропроводности (рис: IV.23). Крайние области структуры - соответственно р- и п-эмиттеры, а области, примыкающие к среднему переходу,- р- и п-базы. Внешнее напряжение на такой прибор подается минусом на крайнюю область с электропровод- ностью п-типа (на катодный электрод) и плюсом на крайнюю область с электропроводностью р-типа (на анодный электрод). В этом случае крайние р - п-переходы П1, ПЗ включены в прямом направлении, поэтому их называют эмиттерными, средний р - /г-переход П2 включен в обратном направлении, поэтому его называют коллекторным. Структуру тиристора можно представить в виде схемы замещения (рис. IV.24), состоящей из транзисторов VI и V2 соответственно р - п - р- и п - р - /г-типа. В этой схеме для учета нелинейной зависимости коэффициентов усиления и от тока эмиттерные



переходы транзисторов шунтируются резисторами и R2. База и коллектор транзистора VI соединены соответственно с коллектором и базой транзистора V2, образуя цепь внутренней положительной обратной связи. Если к аноду тиристора подключить положительный полюс источника питания, а к катоду - отрицательный, то П1 и ПЗ сместятся в прямом, а П2 - в обратном направлении (см. рис. IV.23).

- + / П2 Ua

Рис. IV.23. Четырехслой-ная структура тиристора.


Рис. IV.24. Двухтранзис-торная схема замещения тиристор а.

Таким образом, напряжение источника питания окажется приложенным к переходу П2 и ток во внешней цепи будет определяться выражением / = /jo / [1 - (а + аз)], где / - обратный ток перехода П2. Из этого выражения следует, что ток / зависит от а- и

и резко возрастает, когда их сумма приближается к единице. Коэффициенты и tta зависят от тока эмиттера, напряжения на коллекторном переходе, а также от других факторов. Тиристор, имею-1ций выводы только от крайних слоев, называется диодным тиристором или динистором; при дополнительном выво- де от одного из средних слоев он называется триодным тиристором или три-нистором.

Вольт-амперная характеристика диодного тиристора представлена на рис. IV.25. Участок OA соответствует выключенному (закрытому) состоянию тиристора. На этом участке через тиристор протекает ток утечки /д и его сопротивление очень велико (порядка нескольких мегаом).При повышении напряжения до определенного U (точка А характеристики) ток через тиристор резко возрастает. Дифференциальное сопротивление тиристора в точке А равно нулю. На участке А Б дифференциальное сопротивление тиристора отрицательное. Этот участок соответствует неустойчивому состоянию тиристора. При включении последовательно с тиристором небольшого сопротивления нагрузки рабочая точка перемещается на участок БВ, соответствующий включенному состоянию тиристора. На этом участке диф-

Рис. IV.25. Вольт-амперная характеристика диодного тиристора



ференциальное сопротивление тиристора положительное. .Для поддержания тиристора в открытом состоянии через него должен протекать ток не менее /уд. Снижая напряжение на тиристоре, можно уменьшить ток до значения меньшего, чем /уд, и перевести тиристор в выключенное состояние.

Еольт-амперная характеристика тркодного тиристора (рис. IV.26), снятая при нулевом токе управляющего электрода, подобна характеристике диодного тиристора. Рост тока управляющего электрода (от /у = О до /уз) приводит к смещению вольт-амперной характеристики в сторону меньшего напряжения включения (от U до .f/пркз) При достаточно большом токе управляющего электрода, называемом

б1 {yj V fi


Рис. IV.26. Вольт-амперная характеристика триодного тирнс-тора.

током спрямления, вольт-амперная характеристика триодного тиристора вырождается в характеристику обычного диода, теряя участок отрицательного сопротивления. Для выключения триодного тиристора необходимо, снижая напряжение на нем, уменьшать ток через тири- стор до значения, меньшего, чем /уд.

Запираемые триодные тиристоры в отличие от обычных триодных тиристоров способны переключаться из отпертого состояния в запертое при подаче сигнала отрицательной полярности на управляющий электрод. Структура запираемого тиристора аналогична структуре обычного триодного тиристора. Способность тиристора к запиранию по управляющему электроду характеризуется коэффициентом запирания

за/з-зДах+аа-!).

где 1 анодный ток, при котором происходит запирание.

Симметричные тиристоры (семксторы) имеют пятислойную структуру и обладают отрицательным сопротивлением на прямой и обратной ветвях вольт-амперной характеристики. Обратная ветвь вольт-амперной характеристики симметричного тиристора расположена в третьем квадранте и аналогична прямой ветви. Отпирание семисто-



1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 [ 53 ] 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186 187 188 189 190 191 192 193 194 195 196 197 198 199 200 201 202 203 204 205 206 207 208 209 210 211 212 213 214 215 216 217 218 219 220 221 222 223 224 225 226 227 228 229 230 231 232 233 234 235 236 237 238 239 240 241 242 243 244 245 246 247 248 249 250 251 252 253 254 255 256 257 258 259 260 261



ООО «Мягкий Дом» - это Отечественный производитель мебели. Наша профильная продукция - это диваны еврокнижка. Каждый диван можем изготовить в соответствии с Вашими пожеланияи (размер, ткань и материал). Осуществляем бесплатную доставку и сборку.



Звоните! Ежедневно!
 (926)274-88-54 
Продажа и изготовление мебели.


Копирование контента сайта запрещено.
Авторские права защищаются адвокатской коллегией г. Москвы
.