Звоните! 
 (926)274-88-54 
 Бесплатная доставка. 
 Бесплатная сборка. 
Ассортимент тканей

График работы:
Ежедневно. С 8-00 до 20-00.
Почта: soft_hous@mail.ru
Читальный зал -->  Электронные вычислительные машины 

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 [ 58 ] 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69


После нанесения магнитного покрытия проверяют шерохова-! тость поверхности ротора, магнитные характеристики материала1 покрытия, параметры сигналов считывания (амплитуду и длитель-1 ность импульса). if

Для определения сигналов считывания на поверхность ротора] записывают серию импульсов. Считывание производится при под-; ключении контактов магнитной головки к входу осциллографа.

20.5. Накопители на магнитной ленте

Накопители на магнитной ленте могут хранить большие масси вы информации. Запоминающей средой является магнитная лента,

которая представляет собой эластичную основу толщиной 40 60 мкм из ацетилцеллюлозы, no-i лнвиннлхлорида и других материалов, на которую нанесен слой; ферролака толщиной 10...20 mkmJ Ленты на пластмассовой основв имеют малую массу, обладают большой гибкостью и допускают возможность склеивания. Emkocti определяется поверхностью ленть и плотностью записи. Магнитные ленты, используемые в вычислительной технике обычно имеют ширину 12,7 мм (ГОСТ 20958-80), в ряде случаев ширину 35; 25,4 и 19 мм, а в кассетных накопителях - 3,81 и 6,25 мм. Для универсальных ЭВМ рекомендуется лента длиной 742, 370, 180 и 90 м. Лента шириной 3,81 мм имеет толщину Щ 12 и 9 мкм. На ленте шириной 12,7 мм располагается девять до-i рожек. Девятая дорожка может использоваться для контроля я синхронизации.

Поперечная плотность записи определяется шириной дороже и составляет 1,2... 1,6 мм. Продольная плотность записи составляв ! ет 20... 30 имп/мм. Плотность продольной записи ограничиваетсг влиянием полей, создаваемых смежными намагниченными участками ленты.

Максимальная скорость движения магнитной ленты составляем; 4 м/с, средняя скорость - 2 м/с. Применение высоких скоростей ограничено возможностью обрывов ленты при пусках и реверсирон; вании.

Подготовка ленты к записи заключается в размагничивани! при помощи стирающей головки. Основным устройством, от kotqj; рого зависит качество всего накопителя, является лентопротяжный механизм (рис. 20.13). Во время работы лента 2, перематываяоь с катушки 1 на катушку 6 при помощи ведущих роликов 3 ленто

Рис. 20.13. Лентопротяжный механизм

протяжного механизма, перемещается относительно блока магнитных головок 4, касаясь его в области рабочих зазоров магнитных головок. Инерционность катушек с лентой компенсирует специальный демпферный узел 5. Запись и считывание производят головки, расположенные по линии, перпендикулярной движению носителя. Каждой головке соответствует своя дорожка на ленте, и запись производится параллельно-последовательно. Лентопротяжный механизм при большой скорости (1... 4 м/с) равномерного перемещения ленты должен обеспечить быстрый разгон и полную остановку ленты за 5... 10 мкс. Увеличение времени разгона и торможения снижает емкость ЗУ вследствие больших промежутков между зонами записи информации.

На электромагнитные свойства носителя существенно влияет толщина ферромагнитного покрытия. Уменьшение толщины покрытия влечет за собой увеличение плотности .записи. Для порошковых носителей достигнута толщина слоя порядка 2 ... 8 мкм. Дальнейшее уменьшение толщины покрытия представляет сложный процесс. Поэтому появились разработки металлизированных магнитных лент с толщиной покрытия 0,1 ... 0,5 мкм. Такие ленты обладают высокой магнитной индукцией и почти прямоугольной петлей гистерезиса. В качестве покрытия используют сплавы Со - Мо или Со - Мо--Ni, которые наносят гальваническим способом или напылением в вакууме. В качестве основы ленты используется поли-этилентерефталат.

Другим направлением в создании новых магнитных лент является разработка многослойных лент (с двумя слоями и более). Для нижних слоев применяют магнитный материал РсгОз, для верхних слоев - CoFeO; СгО. Толщина слоев может быть одинакова или верхний слой меньше. Общая толщина находится в пределах 8 ... 10 мкм.

20.6. Полупроводниковые запоминающие устройства

Основной частью полупроводникового ЗУ является БИС. Она содержит матрицу-накопитель и функциональные узлы, необходимые для усиления сигналов при записи и считывании, обеспечения режима синхронизации и др. Микросхемы памяти делят на две группы: для оперативных (ОЗУ) и постоянных (ПЗУ) запоминающих устройств.

Оперативные запоминающие устройства. По способу хранения информации ОЗУ разделяют на статические и динамические.

.В статических ОЗУ элементами памяти являются триггеры. Они могут хранить информацию неограниченное время при условии сохранения напряжения питания.

В динамических ОЗУ запоминающим элементом служит конденсатор. Логический О означает отсутствие электрического заряда, а логическая 1 - его наличие. Динамические ОЗУ обеспечи-




Рис. 20.14. МОП-транзистор с двухслойным диэлектриком

вают высокий уровень интеграции и быстродействие. Недостатками являются необходимость периодической регенерации конденсатора, который самопроизвольно разряжается, и необходимость в различных номиналах питающих напряжений.

Постоянные запоминающие устройства. По способу записи информации ПЗУ делят на масочные, программируемые и репрограм-мируемые.

Масочные ПЗУ программируются в процессе изготовления БИС.

Программируемые ПЗУ имеют возможность однократной записи нужной информации у потребителя путем разрущения

элементов структуры ПЗУ. Для этого прожигают плавкие перемычки путем пропускания через них тока необходимого значения. Плавкие перемычки изготовляют из сплавов титана с вольфрамом, поликремния и др.

Репрограммируемые ПЗУ строят на основе структур металл - нитрид кремния - оксид кремния - полупроводник (МНОП). Такая структура представляет собой МОП-тран-. зистор с двухслойным диэлектриком! под алюминиевым затвором (рис. 20.14). Нижний, примыкающий к полупроводнику слой диоксида кремния 5 толщиной 3...4 им прозрачен для электронов. Если к затвору относительно подложки приложить импульс напряжения положительной полярности, то, под действием сильного электрического поля между затвором и. подложкой 4 электроны приобретают достаточную энергию, чтобы пройти через тонкий слой диэлектрика 5 до границы раздела 3 двух диэлектриков. Верхний слой нитрида кремния 2 имеет значительную толщину, которую электроны преодолеть не могут. Логическому нулю соответствует состояние транзистора без зарядов на диэлектрике. При подаче напряжения на затвор / при записанной единице транзистор откроется, а при нуле останется в закрытом состоянии. Такие ПЗУ позволяют сохранять информацию при отключении питания.

Микросхемы памяти реализуются в составе серий микросхем общего применения (KI55, К500 и др.) или в составе специальных серий.

Перспективным материалом для изготовления ПЗУ являются халькогенидные стеклообразные полупроводники (ХСП), которыми называют стекла, в состав которых входит хотя бы один элемент VI группы (сера, селен, теллур). По своим параметрам элементы, построенные на основе ХСП, превосходят МОП-структуры. Они имеют высокое быстродействие (на порядок выще, чем МОП-структуры), большую надежность, способность неограниченно дол-

го сохранять информацию при отключенном источнике питания, более низкое пороговое напряжение, меньшие токи записи и др.

Наиболее полно этим требованиям удовлетворяют ХСП на основе эвтектических систем G - Те; As - Те с различными добавками.

Несмотря на значительные успехи в области исследования стеклообразных проводников, разработка промышленных образцов ре-программированных ПЗУ остается сложной задачей, так как необходимо решить ряд комплексных вопросов, связанных с технологией, испытаниями и др.

ГЛАВА21

наладка и контроль электронных устройств 21.1. Наладка опытных и серийных изделий

Наладка заключается в том, чтобы не изменяя схемы и конструкции получить оптимальные значения выходных параметров, удовлетворяющих техническим условиям. Она осуществляется за счет изменения значения одного или нескольких первичных параметров.

Наладка схемы может выполняться с помощью предусмотренных в конструкции настроечных элементов (например, потенциометров) или путем подбора какого-либо из элементов конструкций, влияющего на выходной параметр.

При массовом и серийном производстве наладка устраняет ошибки монтажа и изготовления отдельных элементов.

Наладка опытной аппаратуры позволяет выявить ошибки в схеме и-конструкции. Замена отдельных неудачных схем, конструкций и элементов, выявленных в процессе наладки макетов или первых образцов, позволяет повысить надежность устройства. Наладка опытной аппаратуры значительно сложнее, чем серийной. В этом случае наладчику неизвестно, может ли вообще налаживаемое устройство в данном схемном и конструктивном оформлении надежно функционировать.

При наладке схемы приходится выполнять самые разнообразные электрические измерения, по результатам которых оцениваются параметры схемы и отдельных элементов.

При выборе измерительных приборов необходимо исходить из заданной точности, определяемой поставленной задачей. Например, при лабораторных измерениях и исследованиях точность должна быть выше, чем при наладке в условиях серийного производства. В первом случае надо оценить работу схемы, а во втором - соответствие техническим условиям.

Выбор измерительных приборов с высокой точностью измерения нецелесообразен, так как более точные приборы сложнее и



работа с ними менее производительна. Кроме того, они имеют большие габариты, вес и значительно более высокую стоимость.

Однако совершенно недопустимо применение приборов, не обеспечивающих требуемую точность измерений. Для измерения выбирают приборы одинаковой точности (с одинаковыми допустимыми погрешностями). При этом допустимую погрешность в определении результата необходимо разделить на число приборов.

Стрелочные приборы делят на пять классов: 0,2; 0,5; 1; 1,5; 2,5. Приведенные цифры указывают погрешность, выраженную в про центах от максимального значения шкалы. Так, прибор класса 0,5 на шкале О ...300 В гарантирует точность измерения ±0,5 %, т. е. 1,5 В, причем эта погрешность сохраняется на протяжении всей шкалы. Таким образом, при измерении напряжения, например, порядка 1,5 В (на той же шкале) ошибка составит ±100 %. При работе с прибором надо использовать такой диапазон, чтобы его показания, соответствующие измеряемой величине, лежали во второй половине шкалы, а не в начале, при этом относительная погрешность будет меньше. При оценке точности измерения необходимо также учитывать дополнительные ошибки, вносимые в результате измерений вследствие влияния подключаемых приборов на налаживаемое устройство.

Подключение измерительных приборов создает новую систему, процессы и режимы в которой отличны от процессов и режимов до подключения приборов. Любой измерительный прибор с соединительными проводами имеет входное сопротивление. Соединительные провода емкостно и индуктивно связаны между собой и с элементами проверяемой схемы.

Для уменьшения влияния подключаемых приборов надо ослаблять их связь с проверяемой схемой. Это можно сделать, например, путем подключения приборов через небольшие емкости, но при этом нарушается градуиррвка приборов и необходима их юстировка.

Внешние паразитные связи и наводки можно уменьшить правильным расположением приборов и измеряемой схемы. Приборы для измерения сигнала надо располагать соответственно его распространению. Например, если измеряют входное и выходное напряжения, то выходной вольтметр должен быть расположен ближе к выходу, а входной - к входу.

Точная аналитическая оценка погрешностей измерения, вносимых вследствие подключения измерительных приборов, практически трудно выполнима. Однако даже примерные расчеты помогают уточнить отдельные неясные вопросы.

При экспериментальных исследованиях влияние подключения измерительных приборов можно оценивать по выходному парамет- ру всего устройства. Например, прн наладке усилителя влияние подключения измерительного прибора в любой точке схемы оцени-

вается по изменению показаний прибора, включенного на выходе схемы при неизменном входном напряжении.

При наладке сложных схем измерительные приборы подключают на все время наладки и настраивают схему по этим приборам. После окончания наладки приборы постепенно отключают, проводя поднастройку для компенсации погрешностей, внесенных отключением очередного прибора. Если оценка влияния приборов по выходному параметру невозможна, то включают одновременно несколько приборов к разным точкам схемы и, поочередно отключая их, наблюдают изменения показаний оставшихся приборов.

Для упрощения измерений при наладке надо подбирать такие комплексные параметры, которые однозначно характеризуют исправное функционирование изделия. Соответственно принятым комплексным параметрам выбирают измерительные приборы, при помощи которых можно осуществить прямые (без промежуточных вычислений) измерения. Прямые измерения, как правило, имеют меньшую погрешность и повышают производительность труда прн наладке.

21.2. Контроль электроэлементов

Электроэлементы перед монтажом подвергают контролю. Тип аппаратуры для контроля во многом зависит от серийности производства. При небольшом количестве электроэлементов, подлежащих контролю, используют стандартную измерительную аппаратуру. Однако в ряде случаев стандартная аппаратура не обеспечивает требуемой точности измерения, а для контроля ряда параметров электроэлементов стандартной измерительной аппаратуры вообще не существует. В этомслучае проектируют специальные приборы или стенды.

Повышение производительности при контроле достигается с помощью приборов, шкалы которых градуированы в соответствии с граничными значениями параметров каждой группы, или применением специальных автоматических устройств. В последнем случае после настройки автомата задачей оператора является наполнение загрузочного устройства и периодическое наблюдение за работой автомата.

Электрические параметры интегральных схем проверяют в статических и динамических режимах.

Статический режим. Статическими параметрами цифровых интегральных микросхем являются ток потребления при высоком и низком уровне выходного напряжения, выходной ток низкого и высокого уровня, напряжение блокировки, выходное напряжение высокого и низкого уровня, выходной ток высокого уровня и ток выключенного состояния, ток короткого замыкания и др.

Метод измерения статических электрических параметров основан на прямом измерении физической величины параметра (напря-



1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 [ 58 ] 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69



ООО «Мягкий Дом» - это Отечественный производитель мебели. Наша профильная продукция - это диваны еврокнижка. Каждый диван можем изготовить в соответствии с Вашими пожеланияи (размер, ткань и материал). Осуществляем бесплатную доставку и сборку.



Звоните! Ежедневно!
 (926)274-88-54 
Продажа и изготовление мебели.


Копирование контента сайта запрещено.
Авторские права защищаются адвокатской коллегией г. Москвы
.