Звоните! 
 (926)274-88-54 
 Бесплатная доставка. 
 Бесплатная сборка. 
Ассортимент тканей

График работы:
Ежедневно. С 8-00 до 20-00.
Почта: soft_hous@mail.ru
Читальный зал -->  Полупроводниковая схемотехнология 

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 [ 79 ] 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168


Рис. 15.10. Задание начального смещения с регулируемым температурным коэффициентом.

коллектор-эмиттер при пренебрежимо малом токе базы устанавливается равным

UcE=U

Для получения требуемого температурного коэффициента в качестве применяют терморезистор с отрицательным температурным коэффициентом, который помещают на радиаторе транзистора. С помощью таких мер можно добиться практи-ческойезависимости тока покоя от температуры даже при температуре корпуса выходного транзистора ниже температуры его перехода.

В описанных схемах задания напряжения смещения с помощью диодов базовый ток выходных транзисторов, обусловленный наличием входного напряжения, отсутствует. Ток базы выходных транзисторов должен быть задан с помощью источника постоянного тока. Величина постоянного тока /j должна быть больше максимального базового тока транзисторов Ti и Tj, чтобы диоды Dj и D2 (и соответственно транзисторы Tj и 7) при максимальном входном сигнале не запирались. По этой причине не следует заменять источники постоянного тока резисторами, поскольку ток в этом случае будет убывать при юзрастании входного сигнала.

Наиболее предпочтительной является схема, в которой ток при возрастании входного сигнала увеличивается. Такая схема изображена на рис. 15.11. Полевые

. Т4

Рис. 15.11. Задание начального, смещения с помощью полевых транзисторов.

транзисторы Гз и

4 включены в ней по

схеме истоковых повторителей. Разность истоковых напряжений полевых транзисторов благодаря отрицательной обратной связи по току устанавливается равной около 1,4 В. Для рассмотренной схемы подходят полевые транзисторы, ток стока

которых при

Uqs 0,7 В составляет не-

сколько миллиампер.

15.3. СХЕМЫ ОГРАНИЧЕНИЯ ТОКА

Из-за малого выходного сопротивления усилители мощности легко перегружаются и разрушаются. Поэтому целесообразно использовать схемные решения, ограничи-ваюпще максимальную величину выходного тока усилителя мощности. Наиболее простое решение показано на рис. 15.12. Ограничение имеет место, когда один из

-Х-Утг

Рис. 15.12. Ограничение тока с помощью диодов.



диодов или открыт. В этом случае падение напряжения на резисторе или R2 не будет возрастать. Максимальный выходной ток при этом определяется следующим образом:

,+ Црз - Ubei j-

а макс ~ > а макс

ЦрА - \UbE2\

Как видно из приведенных соотношений, прямое напряжение диодов D3 и должно быть больше и be ~ 0,7 В. Для выполнения этого условия можно, например, включить последовательно несколько кремниевых диодов. Более резкое ограничение тока может быть получено, если в схеме изменить светодиоды. Наиболее подходящими для этой цели являются светодиоды с красным свечением, прямое напряжение которых составляет около 1,6 В.

Другой способ ограничения выходного тока иллюстрируется на рис. 15.13. Транзистор Тз или откроется, если падение напряжения на резисторе R или R2 превысит значение порядка 0,6 В. При этом дальнейшее возрастание базовых токов транзисторов и будет предотвращено. В этой схеме максимальное значение выходного тока ограничивается величиной

/а макс* 0,6 B/i?i и /амако*0,6В/Я2.

V Га

Преимущество такой схемы по сравнению с предьщущей состоит в том, что ограничение максимального тока определяется не сильно изменяющимся напряжением база-эмиттер выходных транзисторов, а напряжением база-эмиттер транзисторов ограничителя. Резисторы R, R служат для защиты транзисторов ограничителя от больших пиковых значений тока базы.

При коротком замыкании в нагрузке ток /а макс В каждый ИЗ полупериодов входного сигнала течет через один из транзисторов Ti или 7. Выходное напряжение при этом равно нулю. Мощность, рассеиваемая на выходных транзисторах при коротком замыкании в нагрузке, равна

Рт1 - Рт2 ~ /2 Ьамахс-

Как следует из разд. 15.2, эта величина примерно в пять раз превышает мощность, рассеиваемую на выходных транзисторах при нормальных условиях.

Во многих случаях усилитель мощности работает на постоянную омическую нагрузку R . При этом ток усилителя, отдающего максимальную неискаженную мощность в нагрузку, равен

Риа 15.13. Ограничение тока с помощью транзисторов.

амакс амакс,

JR..

При меньших выходных напряжениях ток в нагрузке также будет меньше: / = UJR Следовательно, можно уменьшить и предельное значение тока, что позволяет уменьшить рассеиваемую мощность при коротком замыкании в нагрузке. Для этого в схему на рис. 15.13 введены резисторы i?5 и Rg, изображенные штриховыми линиями. Рассмотрим функции этих резисторов при положительных выходных сигналах.

При больших значениях выходных напряжений и а ~ ТОК в резисторе R отсутствует. При этом сопротивление не играет роли и предельное значение тока будет равно, как и раньше, /а акс ~ 0,6 B ?i. При малых выходных напряжениях благодаря наличию делителя R, R3 возникает положительное напряжение смещения на базе транзистора Г3. В результате через Т3 будет протекать небольшой ток. Считая, что выполняется условие Rg Rj Ri, полу-




Рис. 15.14. Динамическое ограничение тока.

чим следующее соотношение для тока:

4ш.с 0,6 b/R, - {R,/R,R,){V, - UJ.

(15.1)

Изменение тока 1ашкс в зависимости от выходного напряжения схематично показано на рис. 15.14. Можно так рассчитать схему, что предельное значение тока будет отличаться от тока в нагрузке на величину Д/. В этом случае обе прямые будут параллельны. Из соотношения (15.1) следует, что для этого должно выполняться условие

Для отрицательных выходных сигналов будет выполняться условие

15.4. КОМПЛЕМТАРНЫЙ ЭМИТТЕРНЫЙ ПОВТОРИТЕЛЬ ПО СХЕМЕ ДАРЛИНГТОНА

Б рассмотренных до сих пор схемах ток в нагрузке может составлять несколько десятков миллиампер. При необходимости получения больших выходных токов следует применять транзисторы с более высокими допустимьаш токами. Для этих целей можно использовать составные транзисторы по обычной или комплементарной схеме Дарлингтона. Такие схемы и их эквивалентные характеристики были рассмотрены в разд. 4.6. На рис. 15.15 приведена принципиальная схема усилителя мощности, в которой используется пршщип Дарлингтона. Схема Дарлингтона состоит из

двух пар транзисторов: Tj и Г/ и и Т.

При работе этой схемы в режиме АВ установка тока покоя связана с определенными затруднениями, поскольку необходимо скомпенсировать четыре зависящих от температуры напряжения база-эмиттер. Этого можно избежать, задавая ток покоя только для предоконечных транзисторов Tj и Т2. При этом мощные выходные транзисторы будут открываться лишь при больших выходных токах. С этой целью величину напряжения смещения [/j выбирают такой, чтобы падение напряжения на резисторах i?i и R2 составляло около 0,4 В, так что 2 (0,4 Ва -I--I- 0,7 В) = 2,2 В. В этом случае выходные транзисторы даже при высокой температуре перехода оказываются запертыми.

При увеличении выходного тока напряжение база-эмиттер выходных транзисторов возрастает приблизительно до 0,8 В. В результате падение напряжения на резисторах Rl и 2 ограничивается удвоенной величиной смещения при отсутствии сигнала. По этой причине большая часть эмиттерного тока предоконечных транзисторов попадает в базу выходных транзисторов.

Резисторы Rl и i?2 одновременно служат в качестве сопротивлений утечки для базового заряда выходных транзисторов. Чем меньше значения этих сопротивлений, тем быстрее будут запираться выходные транзисторы. Это особенно важно в тех случаях, когда при изменении знака входного напряжения один транзистор открывается, хотя второй еще не заперт. В данном случае через выходные транзисторы будет протекать шунтирующий ток, вызы-


Рис. 15.15. Комплементарная схема Дарлингтона.



1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 [ 79 ] 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168



ООО «Мягкий Дом» - это Отечественный производитель мебели. Наша профильная продукция - это диваны еврокнижка. Каждый диван можем изготовить в соответствии с Вашими пожеланияи (размер, ткань и материал). Осуществляем бесплатную доставку и сборку.



Звоните! Ежедневно!
 (926)274-88-54 
Продажа и изготовление мебели.


Копирование контента сайта запрещено.
Авторские права защищаются адвокатской коллегией г. Москвы
.