Читальный зал -->  Цилиндрические электромагнитные экраны 

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 [ 18 ] 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64

S в kd

Рис. 2.12. Функции активной ? и реактивной 9 мощностей, cos у = + в двустороннем симметричном экране в зависимости от толщины d для материалов с ц = const н

для (Fe) Рх= I \ \ Qi =

(2.31)

/.,= l+M., = 2Z,/(Z.-f Z,);

/ = 2Z./(Z. + Z,);

A1.. = (2.-Z,)/(Z, + Z,);

M,.{=(Z.-Z,)/(Z.-f Z,);

= (1+М.,)£ , = Л.,Е,.

Волна в среде 2 представляется суммой волн, перемещающихся вправо, Emsp-Л12ое- * и суммой волн, перемещающихся влево, EmpNi2M2зae- -. В результате

- е--ЬУИе- -) (2 32)

еГ.<г л1.,Л1 е-

При допущении ZiZj, Z3S>Z2, Z2=a/v получаем выражения

/,2 1,0 0,8 0,В 0,¥ 0,2

113567

Рис. 2.13. Функции активной т] и реактивной X мощностей, совф=Т1/(т12-)-х). в двустороннем антисимметричном экране в зависимости от толщины d\ Kg, -коэффициенты изменения активного и реактивного сопротивления при переменном токе;

Nil Eoi=Mi2E-pi
	loj;--- - ---- f
£w7	---. -,£2£ =----f
	---,SoZ
	Eot--.--- --- f	Ewio
	®

Рис. 2.14. Суперпозиция отраженных и проникающих волн в экране

(2.20). Волна в среде 3 (z>d) образуется вследствие наложения поля EwspN\2, проникающего в среду 2, а также его многократных отражений в среде 2 (EmspNa), приобретающих на поверхности z=d со стороны среды 3 равнодействую-

щее значение ЕтзрМпае--М и перемещающихся вправо с направляющим коэффициентом Q-i -)

£,3 (2) = EpN ee N e-> i- ) =

g r. (г-d).

(2.33)

Л.,= 1+Л1.з-=22./(2з + 2,).

Магнитные составляющие волны в отдельных средах определяются из второго уравнения Максвелла и (2.31)-(2.33)

= 1 = 1. 2, 3.

(2.34)

Аналогично, используя коэффициенты Мотр, NoTp, а также суперпозицию Oi отраженных волн, бегущих вперед е~ и назад е в пределах каждой среды (t=l, 2, 3, п) (рис. 2.15), можно ввести общие рекуррентные формулы для исследования поля в произвольном слое п-слойного экрана.

Пример 2.4. Определить демпфирование экрана, дБ, защищающего окружающую среду от поля радиоэлектрических помех, генерируемых электрической машиной.

Решение. Экран является симметричным четырехполюсным, тогда эффективность затухания или демпфирования

Ае= 20 Ig = 201g

поскольку из (2.31)-(2.33)

Emsl = (2 = 0)= (2 = 0) = Emsll = Е, (2 = d) = £ 3 (Z = d) =

Если по обе стороны металлического экрана расположен диэлектрик, то Z3=Zi Z2, тогда Л12з = = 1; ЛГ2з=2; Г2=а=(1+]); k=

= ]/ ш;гу/2 и

AE-=20lg\cha.a\ =

= 101g(ch~sin=).

При больших частотах Ы>1; таким образом, зНЫдасЬЫ 1/(2е ) и ослабления, дБ,

£=101g(V,e*-sinM).

®	®	®
	N,2 fiZ
		Мгз 3
		e-rs(z-dz)
		-*-

0 >-

3?

,-Гс(г-р,)

d -i

Mz-fd,)

,rn-i(Sd,-Z)

®

e-r (z-zd)

Рис. 2.15. Принципы общего волнового метода расчета п-слойиого экрана, па который падает плоская волна из пространства z<0

Аналогично определяется коэффициент демпфирования для составляющей поля Я

(7,е= + 51п=Ы)

Метод аналогии с длинной линией. Этот метод позволяет рассчитывать и проводить аналоговое моделирование при помощи простых электрических контуров для электромагнитных процессов, возбуждаемых плоской волной в многослойных экранах (см. рис. 2.5). Метод основывается на формальной аналогии 1волиовых сопротивлений и кривых и, i в длинных линиях и волновых сопротивлений (11.25) и кривых Е и Н в экранах.

Волновые уравнения (1.10), (1.11) в иеидеальиом диэлектрике

Е =: (ly - -j-fiS И

dt дЕ

для синусоидальных полей Н = H&l * и плоской волны (рис. 2.5) можно представить в форме

dEJdzrE; dHJdzrHm,

(2.35)

где r = V/cofi(Y4-/coe),

Поскольку для длинной линии (рис. 2.16) уравнения формально имеют ту же самую форму, получаем

dUldz = ZJU; d4/dz=ZJJ,

(2.36)

где Zo=ro-b/cuLo; Уо=§о+/шСо -

полное единичное сопротивление и единичная проводимость линии.

Используя чисто формальное подобие уравнений (2.35) и (2.36), можно получить соответствующие уравнения длинной линии и электромагнитного поля (табл. 2.2).

Пример 2.5. Используя метод аналогии поля с длинной линией, спроектировать двухслойное покрытие стальных стенок, уменьшающих отражение от этих стенок радиолокационных воли частотой 3000 МГц (Я,= с = 10 см).

Решение. В соответствии с теорией длинных линий отраженная волна не появляется, если на конце линии подключается сопротивление, равное полному волновому сопротивлению линии (так называемая согласованная нагрузка). Аналогичный процесс происходит с электромагнитной волной, если стенка, иа которую падает плоская волна, будет иметь входное полное сопротивление Zbx, равное полному волновому сопротивлению Zi среды, из которой волна падает, т. е.

2пая = 2. = 2 = /=377 Ом.

В соответствии с этим коэффициент отражения от поверхности / (рис. 2.5) Mi2 = 0 (табл. 2.2, строка 9).

Считается, что экран d выполнен из тонкого слоя графита с про-

Рис. 2.16. Элемент длинной линии с распределенными как модель волновых процессов в экранах

параметрами

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 [ 18 ] 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64

ООО «Мягкий Дом» - это Отечественный производитель мебели. Наша профильная продукция - это диваны еврокнижка. Каждый диван можем изготовить в соответствии с Вашими пожеланияи (размер, ткань и материал). Осуществляем бесплатную доставку и сборку.



Звоните! Ежедневно!
 (926)274-88-54 
Продажа и изготовление мебели.

Копирование контента сайта запрещено.
Авторские права защищаются адвокатской коллегией г. Москвы.