Звоните! 
 (926)274-88-54 
 Бесплатная доставка. 
 Бесплатная сборка. 
Ассортимент тканей

График работы:
Ежедневно. С 8-00 до 20-00.
Почта: soft_hous@mail.ru
Читальный зал -->  Цифровые измерительные приборы 

1 2 [ 3 ] 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31

числом - 4, 6, 8, 10 и т д Подключение схем к выходу логического элемента не должно ухудшать передачу сигналов О и 1. В схемах с высокой нагрузочной способностью расширяются их логические возможности, однако при этом снижается быстродействие, ухудшается помехоустойчивость н увеличивается потребление энергии. Поэтому в состав ряда серий интегральных схем включают однотипные логические элементы с различной нагрузочной способностью, например 4-10 и 15-50.

Коэффициенты объединения по входу т и / определяют максимальное количество входов логического элемента (т для реализации логической функции И, / - для реализации логической функции ИЛИ). Увеличение этого параметра допускает выполнение функций с большим числом аргументов на одном логическом элементе И-НЕ, ИЛИ-НЕ. Однако увеличение коэффициентов т и / приводит к ухудшению других параметров: помехоустойчивости, коэффициента разветвления и быстродействия. Поэтому основные логические элементы выполняются с небольшим числом входов: для схем ИЛИ /=2--4, для схем И m=2-i-&. Схемы логических расширителей позволяют увеличить коэффициенты m и / до 10 и более.

Средняя задерл{ка распространения сигнала ta ср характеризует время распространения сигнала через логическую схему, а предельная частота /макс определяет максимальную частоту переключения триггера.

Помехоустойчивость логических элементов различают в отношении статической или импульсной помехи, В статическом режиме логический элемент может находиться в одном из двух состояний - О или 1. Поэтому различают статическую помехоустойчивость по уровню О (f/no) и по уровню 1 (f/ni). Статическая помехоустойчивость определяется значением напряжения, которое может быть подведено к входу логического элемента относительно уровня О или 1, не вызывая ложного срабатывания его схемы У ряда интегральных схем помехоустойчивость составляет 0,4-0,6 В.

Помехоустойчивость в динамическом режиме зависит от длительности, амплитуды и формы сигнала помехи Если длительность сигнала помехи существенно превышает длительность задержки сигнала з.ср в интегральной схеме, то ее действие эквивалентно действию статической помехи соответствующего уровня. При коротких импульсах помехи помехоустойчивость схем увеличивается.

Каждая логическая схема при работе может находиться в одном из статических состояний или в режиме переключения Мощность, потребляемая при переходных процессах, обычно не превышает мощности, потребляемой в статических состояниях. Время, которое занимают процессы переключения, составляет незначительную часть от полного рабочего времени схемы. Если учесть, что в среднем половину рабочего времени схема находится в открытом состоянии и потребляет при этом мощность Ри а другую половину рабочего времени- в закрытом и потребляет мощность Ро, то среднюю потребляемую мощность можно определить из выражения

Р - Po + Pi ср -~ 2

По потребляемой мощности интегральные схемы делятся на следующие группы: маломощные логические схемы (0,3 мВт<Рср< <3 МВт), схемы средней мощности (3 МВт<Рср<25 мВт), мощные схемы (25 мВт<Рср<250 мВт).



Среди современных логических интегральных схем (ИС) наибольшее распространение получили диодно-транзисторные ИС (ДТЛ), транзисторно-транзисторные ИС (ТТЛ) и транзисторные ИС с эмит-терной связью (ТЛЭС).

Логический элемент диодно-тракзисторной ИС (рис. 1) реали-3) ет функцию И-НЕ. Входные диоды -Дз выполняют функцию И, транзисторный усилитель - фу ,кцию инверсии. При подведении высоких уровней напряжения (лсгическая 1) ко всем входам схемы входные диоды смещаются в обрат!Юм направленин и через них

о-Ч<Н



f=A-3-C

Рис. 1. Диодгю-транзисторная схема И-НЕ.

протекают только небольшие обратные токи, В базу транзистора течет ток, определяемый разностью токов через резисторы Ri и 2. Транзистор переходит в состояние насыщения: напряжение на его коллекторе соответствует логическому 0. При снижении уровня хотя бы на одном из входов до уровня логического О происходит увеличение токт через соответствующий диод в прямом направлении Одновременно уменьшается ток в цепи базы транзистора, последний запирается и уровень его коллекторного напряжения становится равным логической 1 (немного меньше, чем напряжение Ег).

На процесс выключения микросхемы оказывает влияние конечное время рассасывания транзистора Ti.

Для сокращения этого времени необходимо, чтобы обратное сопротивление смещающих диодов Дси восстанавливалось только после того, как закончится рассасывание транзистора. Для выполнения этого условия постоянная времени рассасывания смещающих диодов должна значительно превышать соответствующий параметр транзистора. Большой ток, протекающий через диоды до восстановления их обратного сопротивления, сокращает время выключения микросхемы fsMK-i- Основными преимуществами этого вида схем является повьш1енная помехоустойчивость, а также возможность увеличения количества входов И путем добавления входных диодов.

Нагрузочная способность описанных выше ДТЛ схем ограничена и обычно не превышает 6. Для повышения нагрузочной способности разработаны логические схемы со сложным инвертором; на рис. 2 приведена типичная диодпо-транзисторная схема Она предназначена для выполнения функции И-ИЛИ-НЕ. В схемах ДТЛ реализация функций И и ИЛИ осуществляется на диодах, функции НЕ - в тран-



sHcfoiJiiuM yciifliltejie-HHBeptope, Диоды U\, Hi и Дз, itk образуют СлС-мы И {И\ и Яг), Дъ и Дб -диодную сборку ИЛИ основной схемы, д, смещающий диод.

Расширение логических возможностей может производиться с помощью дополнительных схем-расширителей \\ и ИЛИ. Схема расширителя функции И представляет собой диодную сборку {И\), которая подключается к точке х диодной сборки основной схемы. В схему расширителя функции ИЛИ входит диодная сборка И, рс-. зистор и диод схемы ИЛИ, подключаемый катодом в точке z. У схем


А-В С-J7-

Рис. 2, Диодно-транзисторная схема И-ИЛИ-НЕ.

ДТЛ коэффициент объединения /6, /nsC8. Выходной усилитель выполнен по слол?иой схеме с транзисторным выходом. Транзистор 7 , осуществляет промежуточное усиление и инвертирование входного сигнала, сигналы с его коллектора н эмиттера управляют выходными транзисторами и Тг- Диод Дз обеспечивает надежное запирание транзистора Гг- При поступлении сигнала с низким уровнем на один из входов схемы Hi (А или В) и па один из входов схемы [С или D) в результате смещения входных диодов схем Я, и И> в прямом направлении увеличение тока через эти диоды приведет к уменьшению тока в базу транзистора Г]. Последний перейдет в запертое состояние. Транзистор Гг отпирается высоким уровнем на коллекторе транзистора Т{\ транзистор Гз заперт низким уровнем на эмиттере Г]; уровень выходного напряжения (логическая 1) будет несколько меньше напряжения Е.

При подаче на в.ходы Л иВ (или на С и D) уровня, соответствующего логической 1, диоды Д-Дг (пли Дч-д4) окажутся смещенными в обратном направлении, В этом случае ток от источника £ потечет через резисторы Pi или Рг, диоды схемы ИЛИ Дь или Дб и смещающий диод Дг в базу транзистора Г]. Последний отпирается: положительный потенциал а его эмиттере отпирает транзистор Tj. Потенциал на базе транзистора Гг будет определяться суммой напрялсе-ний t/б.в насыщенного транзистора Г3 и напряжением Us.a транзи-



1 2 [ 3 ] 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31



ООО «Мягкий Дом» - это Отечественный производитель мебели. Наша профильная продукция - это диваны еврокнижка. Каждый диван можем изготовить в соответствии с Вашими пожеланияи (размер, ткань и материал). Осуществляем бесплатную доставку и сборку.



Звоните! Ежедневно!
 (926)274-88-54 
Продажа и изготовление мебели.


Копирование контента сайта запрещено.
Авторские права защищаются адвокатской коллегией г. Москвы
.