(926)274-88-54
Бесплатная доставка.
Бесплатная сборка.
График работы:
Ежедневно. С 8-00 до 20-00.
Почта: soft_hous@mail.ru
|
|
Звоните! (926)274-88-54 Бесплатная доставка. Бесплатная сборка. |
Ассортимент тканей График работы: Ежедневно. С 8-00 до 20-00. Почта: soft_hous@mail.ru |
  
|
Читальный зал --> Солнечные элементы лических слоев Si с большими размерами кристаллитов продемонстрировали, в отличие от ранее бытовавшего мнения, возможность достижения высоких КПД при наличии межкристаллитных границ. Тем не менее ввиду необходимости резки слитка на пластины зтот материал не обеспечивает каких-либо существенных экономических выгод. Реальное достоинство поликристаллических материалов - зто возможность использования высокопроизводительных методов получения тонких пленок и снижение толщины активных областей солнечного элемента за счет применения в качестве поддерживающей основы дешевых подложек. В солнечных элементах на основе поликристаллического кремния с крупным размером зерна значения Jgc, ff и Vqc несколько ниже, чем в изготовленных из монокристалла. На основе поликристаллических слоев прямоэонных широкоэонных материалов /j с не зависит от размера эерна. Однако там, где размеры эерна малы, наблюдают очень низкие Vqc и , что является основным препятствием в достижении высоких КПД. Перспективы применения тонкопленочных поликристаллических солнечных элементов зависят от того, насколько удастся снизить влияние межкристаллитных границ. Это можно сделать тремя путями: 1) уменьшением числа границ за счет увеличения размера эерна в процессе и (или) после осаждения слоев; 2) пассивацией границ за счет устранения или уменьшения возможности движения носителей заряда к границам, где они рекомбинируют; 3) применением материалов, в которых межзеренные области не активны. Высокая квантовая эффективность собирания носителей заряда, наблюдаемая в пленках CucS и CuInSe2 с малыми размерами зерен и (или) малыми толщинами, указывает на присущую этим материалам электрическую пассивность межзеренных границ, по крайней мере проявляемую по отношению к /jc ос и ff Эти материалы тем не менее могут способствовать разгадке механизмов, ответственных за пассивацию межкристаллитных областей в других полупроводниках и на границах раздела гетеропереходов. Например, кремний марки Wackei SILSO . список ЛИТЕРАТУРЫ Глава 1. Atwater. Н. А. (1961). Proc. IRE 49, 1440. Baliga, В. J., and Adler, M. S. (1978). IEEE Trans. Electron Devices ED-25, 817. Bassett, R. J. (1969). Solid-State Electron. 12, 385. Berz, F., and Kuiken, H. K. (1976). Solid-Stale Electron. 19, 437. Choo, S. C. and Mazur, R. a (1970). Solid-State Electron. 13, 553. Choo, S. C, and Sanderson, A. C. (1970). Solid-State Electron. 13, 609. Dalai, V. L., and Moore, A. R. (1977). J. Appl. Phys. 48, 1244. Davies, E. A. (1964). J. Phys. Chem. Solids 25, 201. Davies, L. W. (1963). Proc. IEEE 51, 1637. Dember, H. (1931). Phys. Z. 32, 554, 856. Dember, H. (1932). Phys. Z. 33, 209. Durrant, N. F. (1955). Proc. Phys. Soc. В 68, 562. Ellis, В.. and Moss. T. S. (1970). Solid-State Electron. 13, 1. Everhart. T. E., and Hoff, P. H. (1971). J. Appl. Phys. 42, 5837. Fischer, H., and Pschunder, W. (1975). Proc. Ilth IEEE Photovoltaic Specialists Conf., p. 25. Fossum, J. G. (1976). Solid-State Electron. 19, 269. Fossum, J. G., and Burgess, E. L. (1976). Proc. 12th IEEE Photovoltaic Spec. Conf., p. 737. Goodman, A. M. (1961). J. Appl. Phys. 32, 2550. Gossick, B. R. (1953). Phys. Rev. 91, 1012. Gossick, B. R. (1955). У. Appl. Phys. 26, 1356. Graff, K., and Fischer, H. (1979). Carrier lifetime in Si and its impact on solar cell parameters. In Solar Energy Conversion (B. O. Seraphin, ed.), Topics in Applied Physics, Vol. 31. p. 173. Springer-Verlag, Berlin and New York. Hackett, W. H., Jr. (1972). J. Appl. Phys. 43, 1649. Hamck, N. J. (1956). J. Appl. Phys. 27, 1439. Haynes. J. R., and Shockley, W. (1951). Phys Rev. 81, 835. Heiman, F. P. (1967). IEEE Trans. Electron Devices ED-14, 781. Hovel, H. J. (1975). Solar Cells (R. K. Willardson and A. C. Beer, eds). Semiconductors and Semimetals, Vol. 11. Academic Press, New York. Jastrzebski, L., Logowski, J., and Gales, H. C. (1975). Appl. Phys. Lett. 27, 537. Johnson, E. O. (1957a). J. Appl. Phys. 28, 1349. Johnson, E. O. (1957b). RCA Rev. 18, 556. Jonscher, A. K. (1960). Principles of Semiconductor Device Operation. Wiley, New York. Kamm. J. D., and Bernt, H. (1978). Solid-State Electron. 21, 957. Kim. Y. S.. Drowley, C. 1., and Hu, C. (1980). Proc. 14th IEEE Photovoltaic Specialists Conf. p. 596. Undsbcrg, P. T. (1975). Solid-State Electron. 18, 1043. Urrabee. R. D. (1960). RCA Rev. 21, 124. Leamy, H. J., Kimmerling. L. C, and Ferris, S. D. (1979). Semicond. Int. May, p. 75. Reprinted from Scanning Electron Microsc. 1 (1978). Lindholm, F. A., and Fossum, J. G. (1977). IEEE Trans. Electron Devices ED-24, 325. Lindholm, F. A. and Sah. C.-T. (1976). J. Appl. Phys. 47, 4203. Lindholm, F. A., Fossum, J. G., and Burgess, E. L. (1976a). Рпн . I2ih II11 Vhoi.n.ili.iK Specialists Conf.. p. 33. Lindholm. F. A., Neugroschel. A., Sah. C.-T., Godiewski. M. P.. ;iml HiaiulluMM. II W (1976b). Proc. 12th IEEE Pholovoliaic S/хч iu/i.v(.v Cimf.. p. 1. Loferski, J. J., and Wysocki, J. J. (1961). RCA Rci 22, 38 McQuat, R. F., and Pulfrey, D. L. (1976). J. Appl. Phys. 47, 2113 Mahan, J. E.. Ekstedt, T. W., Frank, R. I., and K:iplow, R. (1979) / / hunv I I i m Devices ED-26, 733. Mallinson, J. R., and Landsberg, P. T. (1978) Ргск. Г7Г lJi i,n h,ii, S<-/ l>i,if:\ Conf.. Luxembourg, /977 p. 1027. Reidel Publ., Boston, M.iss.n.liiisciis Matart, H. F., and Wolff, G. A. (1978). Appl. Phys. 17. 33V Mitchell, K. W., Fahrenbruch, A. L., and Bube. R. H. (1977) ,/ A/./W lys 48, 4 Neugroschel, A., Lindholm, F. A., and Sah, C.-T. (1977) / / lnin\ I !,< i,o,i П,м, cs ED-24, 622. Persky, G., and Bartelink, D. J. (1970). Phss Rtv H 1, IMO Proc. Int. Conf. Hot Electrons Sfmimnil (I97SI, Пппчп i (V . \оЫ1 Si,ii<- Iln iron. 21. Rose, A. (1963). Concepts in PhotDcomliKtivity anil Allitil Imlilcms Wiley (liiior- science). New York. Rothwarf, A. (1978). Proc. I.Uh II 11 ПиЧтоПчн S/ ,4/u/m/s ( ../;/ p Rothwarf. A., Phillips, J., and Wycth. N С (1Ч7Н) / / (,/, / / rii.,i.noliai, Specialists Conf. p. 399. Runyan, W. R. (1975). .Seniicondiictoi Mcasmcinciits ami liisiiiiiiicril.ilian. 1 cxas liistni ments Electronics Series. McCiraw llill. New Yoik. Sah. C.-T. (1976). Solid-Slaic El,; iron 19, 97% Schroder, D. K., and Guldberg, J. (1971). SoIuISkii,- Elrtiron 14, IKS Schroder, D. K., and Nathanson, H. C. (1970). Solul .Siuif I h, iron ]., i77 Seeger, K. (1973). Semiconductor Physics. Springer-Verlag. Hcilin and New York Shea, S. P., Partain, L. D., and Warier. P. J. (1978). Srannint; El,-, m i Micr s(. I, 43,S, Shockley. W. (1949). Bell Tech. 28, 335. Sigmon, T. W.. and Gibbons, J. F. (1969). Appl. Phys. Lett 15, 320. Smith, R. A. (1968). Semiconductors. Cambridge Univ. Press, London and New York. Spitzer, W. G., Firle, T. E., Cutler, M. Schulman, R. G.. and Becker. M (I9.S5) J Appl Phys. 26, 414. Stokes, E. D., and Chu, T. L. (1977). Appl. Phys. Lett. 30, 425. Stratton. R. (1962). Phys. Rev. 126, 2002. Stratton, R. (1969). J. Appl. Phys. 40, 4582. Subhashiev. V. K. (1963). Sov. Phys.-Solid State 5, 405. Subhashiev, V. K., Dubrovskii, G. В.. and Petrusivich, V. A. (1961). Sov. Ph\s.-Solid State 2, 1781. Sze, S. M. (1969). Physics of Semiconductor Devices, p. 70. Wiley (Interscience). New York. Tarr, N. G., and Pulfrey, D. L. (1979). Solid-Siuie Electron. 22, 265. Tsaur, S. C, Milnes, A. G., Sahai, R., and Feucht, D. L. (1972). Gallium arsenide and re lated compounds. Proc. 4th Int. Symp., Boulder. Colo. (C. Hilsum, ed.), p. 156. Inst Phys. Conf. Series, No. 17. Institute of Physics, London and Bristol. 1973. Urii, N. В., Desnica, U. V., and CofTou, E. (1975). IEEE Trans. Electron Dcvh.s KD-22 1077. Van Overstraeten. R.. and Nyuts, W. (1969). IEEE Tran.s. Elennm Ptvios F,I)-I6, 632 Van Roosbroeck, W. (1955). J. Appl. Phys. 26, 380.
ООО «Мягкий Дом» - это Отечественный производитель мебели. Наша профильная продукция - это диваны еврокнижка. Каждый диван можем изготовить в соответствии с Вашими пожеланияи (размер, ткань и материал). Осуществляем бесплатную доставку и сборку. Звоните! Ежедневно! (926)274-88-54 Продажа и изготовление мебели. Копирование контента сайта запрещено. Авторские права защищаются адвокатской коллегией г. Москвы. |