Обозна*

Единица

Тип транзистора

Параметр

чение

КТ816А

КТ816Б

KT8i6B

КТ816Г

КТ817А

КТ817Б

КТ817В

КТ817Г

Обратный ток коллектора при В*

КБО

0.1/40

0.1/40

ОД/40

0.1/40

0,1/40

0,1/40

0.1/40

0,1/40

Обратный ток эмиттера при U:j, В*

-

Режим измерения ft параметров

напряжение коллектора

ток коллектора

. 2

Коэффициент передачи тока

й-20

>20

>20

>15

>20

>20

Граничная частота коэффициента 1[ерсдачи

Емкость коллекторного перехода

Постоянная Бремени цепи oCjiaTHoft связи

Максимально допустимые параметры

постоянное нанряженне коллектор-база

КВ max

постоянное напряжение моллсктор--эмиттер

КЭ max

постоянное напряжение эмиттер - база

ЭБ max

носгоянный ток коллектора ,

к max

постоянный ток базы

б max

рассеиваемая мошность без теплоотвода

так

рассеиваемая мошность с теплоотводом

тах Т

Максимальная температура окружающей среды

тах

>С

-1-100

-flOO

+100

+100

+100

+100

+100

+100

Минимальная температура окружающей среды

Общее тепловое сопротивление транзистора

=С/Вт

, -

Тепловое сопротивление транзистора

С/Вт

Тип перехода, материал

D-n-Р

кремннй

п~р~-п

. кремний

Конструкция Н расположение выводов (номер

7. ж

1V.27. Ж

рисунка)

Основное назначение

Для выходных

каск.1Д0в УНЧ,

Для выходных

каскадов УНЧ,

ключевых устройств

ключевых устройств

Еди-

Тнп транзистора

ница

КТ818А

KTSISB

KT8I8B

КГ818Г

КТ819А

КТ819б[кТ819В

КТ819Г

1/40

1/40

1/40

1/40

1/40

1/40

1/40

1/40

.115

>20

>1 5

>12

>15

> 20

>15

>12

+100

+100

+ 100

+ 100

+100

+100

+100

+ 100

- 40

С/Вт

=С/Вт

-

-п-р, креми ий

л-Р-п,

кремний

1V.28. и

IV. 28. и

Параметр

Обозна-

ЕДи-

транзистора

чение

ВИЦЭ

1Т901А 1

1Т9С!Б 1

KT9U2A I

КТЭОЗЛ (

КТ903Б 1

KTq04A j

КТ904Б

Обрашый ток коллектора при fKD В*

8/40

8/40

10/70

Сбратнын ток эмн1тера при ЭЪ В*

100/5

БО/4

50/4

0,3/4

0,3/4

Режим измерения Л-парамефов

иаьрижение коллектора

- 10

ток коллектора

Коэффициент передачи тока

21 э

20...БО

40...100

>1,5 *

15. 70

40.,.180

-3,5

ГранНшля частота коэффициента передачи

Емкость коллекторного перехода i

Посюянн.ш времени цспн обратной связи

Максимально допустимые параметры .

постоянное напряжение коллектор - база

постоянное напряжение коллекюр -эмиттер

КВ max

постоянное напряжение эмиттер - база

ЭБ max

постоянный ток коллектора

К niax

постоянный ток базы

б max

рассеиваемая мощность без теплоотвода

тах тах Т

рассеиваемая мощность с тенлоотоолом

Максимальная температура окружающей среды

+120

Минимальная температура окружающей среды

- 40

Общее тепловое сопротивление транзисвора

°С/Вт

Тепловое сопротивление транзистора

С/Вт

Тип перехода, материал

Конструкция и расположение выводов (номер

р-п~р, германий IV. 28. а

р-п, кремний IV.28. 3

п-р~п, кремний IV.29. д

рисунка)

Основное назначение

Для усилителен и генераторов в диапазоне

Для усилителей и генера-

Для усилителей и генераторов

торов

высокой

частоты

высокой частоты

частот до 30 МГц

импульсных

ус1ройсгв