Звоните! 
 (926)274-88-54 
 Бесплатная доставка. 
 Бесплатная сборка. 
Ассортимент тканей

График работы:
Ежедневно. С 8-00 до 20-00.
Почта: soft_hous@mail.ru
Читальный зал -->  Дроссели высокой частоты 

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 [ 60 ] 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186 187 188 189 190 191 192 193 194 195 196 197 198 199 200 201 202 203 204 205 206 207 208 209 210 211 212 213 214 215 216 217 218 219 220

- постоянная времени, пс; jgj - предельная частота коэффициента передачи тока при включении с ОБ, \Tu.; /5 - предельная частота по крутизне характеристики, МГц; /, -предельная частота

коэффициента передачи тока при включении с ОЭ, МГц.

Активные составляющие входной и выходной проходнмостей транзистора иа высокой частоте f < 500 МГц при включении с ОЭ можно определить по формулам

входную и выходную емкостн - по формулам крутизну характеристики - по формуле

5 = Л21э/(1 + Ыэ) ftuu ИТ; (tV.4)

модуяь обрат[[ой взаиашон проводимости - по формуле

где yg = f/f. Если величина A,jg отсутствует в справочных дачных

транзистора, ее можно рассчитать по формуле ЛцдГд-]-г, !!,

где = 25,6аУ/; rg- = Tj/C, В формулах (JV.I). (IV.5) не учтены

индуктивности выводов транзистора, которыми можно пренебречь на частотах f < 0,3/рр, не снижая точности расчета.

Коэффициент шума Кщ - отношение мощности шумов на выходе транзистора к той ее части, которая обусловлена тепловыми шумами сопротивления источника сигнала. Коэффициент шума существенно зависит от частоты, режима транзистора внут; реннего- сопротивления источника сигнала и температуры. В таблицах параметров транзисторов приведены гарантируемые максимальные значения в определенном, не оптимальном режиме и только для малошучящих транзисторов. Для получения минимального уровня шумов необходимо найти наивыгоднейший режим по току и напряжению при оптимальном сопротивлении источника сигнала. На рис. IV.20 приведены усредненные зависимости коэффициента шума от частоты для германиевых и кремниевых транзисторов, Для обеспечения работы усилителя в малошумящем режиме необходимо, чтобы его первые каскады использовались при малых токах эмиттера (0,1,..0,5 мА), небольшом напряжении на коллекторе (0,5...2,5 В) и по возможности узкой полосе рабочих частот.

Параметры большого сигнала характеризуют работу транзистора при изменениях токов и напряжений в широких пределах, Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером hgjg - отношение постояниого тока коллектора к постоянному

току базы при заданных постоянных обратном напряжении кол-192



лектор - эмиттер и токе эмиттера в схеме с общим эмиттером. Статическая крутизна прямой передачи в схеме с общим эмиттером у отношение постоянного тока коллектора к постоянному напряжению база - эмиттер при заданном напряжении коллектор - эмиттер. Статическая крутизна прямой передачи используется для pdC4eTa схем с генератором напряжения на входе (например, в мощны усилительных! каскадах) и почти не зависит от схемы включения транзистора.

Максимально допустимые параметры ог-)аничивают область допустимых режимов работы транзисторов, Тревышение максимально допустимых параметров резко снижает надежность работы тран-

зисторов.

Тепловые параметры характеризуют устойчивость транзисторов при работе в широком диапазоне температур и определяют связь между рассеиваемой электрической мощностью и температурой определенных областей приборов. Максимальная температура T v - макси-

Ю 8 6 4 2 О

Здб/от


Вдб/ош

Кремниевые транзисторы

Гермотебые транзисторы


Н -

мальная положительная температура перехода, при которой обеспечивается заданная надежность, устанавливаемая с определенным коэффициентом запаса. Для

германия Т составляет 80... 100 С, для кремния - 150...200 С Минимальная температура перехода (окр у окающей среды) Т -

Рнс. 1v.20. Усредненные зависимости ко-эффитгента шума транансторов от частоты.

температура, прн Г.

которой обеспечн-

минимальная отрицательная

вается заданная надежность, iij, определяется разрушающими

механическими усилиями, возникающими между отдельными элементами транзистора при его охлаждении.

Общее тепловое сопротивление транзистора (переход - окружающая среда) Rt= {Т - Т1Р, где -температура перехода, С; - температура окружающей среды, С; Р, - мощность, рассеиваемая на переходе. Тепловое сопротивление транзистора (переход - корпус) = (Гп - Т)1Р, где Т - температура корпуса транзистора, °С.

Максимально допустимая рассеиваемая мощность биполярного транзистора с ростом температуры снижается и для каждой конкретной температуры определяется по формулам

тах ~ шах ~~ п) (Д-я маломощных транзнсторов); тах = (тах~п)в (Д- МОЩНЫХ транзисторов без теплоотвода); П1ахт= (niax ~с)Ав + кс) (Д- МОЩНЫХ транзнсторов. с теплоотводом),

1-334



где R - тепловое сопротивление корпус - среда, С/Вт (завг-сит от качества радиатора). Для транзисторов малой мощности в справочнике приводится R- а для мощных транзисторов - R.

Вольт-амперные характеристики содержат информацию о свойствах транзистора во всех режимах работы при больших и ма-



Рве IV,21. Входные характеристики травзистора при включеиин, с - с ОБ; б - с ОЭ.

лых сигналах, в том числе о связях между параметрами. По вольт-амперным характеристикам можно определить ряд параметров, не приводимых в справочной литературе, а также рассчитать цепи смещения, стабилизации режима, оценить работу тран1ИСТорз в широком диапазоне импульсных и постоянных токов, мощностей


Рис, IV.22, Выходные характеристики транзистора при включении, а - с ОБ; б - с ОЭ.

И напряжений. В основном используются два семейства статических вольт-амперных характеристик: входных и выходных.

Входные характеристики устанавливают зависимость входного тока (ток базы илн эмиттера) от напряжения между базой и эмиттером при определенном напряжении на коллекторе. Входные характеристики транзистора (рис. IV.21) аналогичны характеристикам диода в прямом направлении с экспоненциальным возрастанием



1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 [ 60 ] 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186 187 188 189 190 191 192 193 194 195 196 197 198 199 200 201 202 203 204 205 206 207 208 209 210 211 212 213 214 215 216 217 218 219 220



ООО «Мягкий Дом» - это Отечественный производитель мебели. Наша профильная продукция - это диваны еврокнижка. Каждый диван можем изготовить в соответствии с Вашими пожеланияи (размер, ткань и материал). Осуществляем бесплатную доставку и сборку.



Звоните! Ежедневно!
 (926)274-88-54 
Продажа и изготовление мебели.


Копирование контента сайта запрещено.
Авторские права защищаются адвокатской коллегией г. Москвы
.